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41.
以差示扫描量热法对热致液晶聚酯酰亚胺的结晶过程和液晶化过程的非等温相转变动力学行为进行了初步研究,根据Jeziorny方法处理数据得到了表征聚合物非等温相转变动力参数Zc,Gc并对其进行了讨论,结果表明,在所研究的条件下聚合物的相转变过程基本上符事Jeziorny结论,但两种相转变的成核与生长方式是不同的。  相似文献   
42.
43.
利用水和乙醇混合溶剂合成了稀土三氯醋酸盐与2份1,10-邻菲绕啉(phen)配合物RE(CCl_3COO)_3(phen)_2·nH_2O(RE=Nd,Sm,n=0;RE=Eu,n=2)的单晶.结构测定表明,Nd(CCl_3COO)_3(phen)_2为三斜晶系,每个三氯醋酸盐均以双齿配位,2个phen亦为双齿配位,故配位单元中钕为10配位;Eu(CCl_3COO)_3(phen)_2·2H_2O为单斜晶系,1个三氯醋酸根在外界,2个三氯醋酸根为单齿配位,2个phen为双齿配位,另有2分配位水,故配位单元中Eu为8配位.  相似文献   
44.
本文以涂丝Ag-Ag2S电极为指示电极,饱和甘汞电极和自制锑电极为参比电极,分别试验了加入阳离子、阴离子和非离子表面活性剂对电极灵敏度的影响。结果表明,加入非离子表面活性剂对电极响应无明显影响,但阴离子和阳离子表面活性剂可使电极灵敏度有较大提高;其中,十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)、十二烷基硫酸钠(SDS)对电极的增敏效果显著,可使电极响应线性范围下限扩大一个数量级左右,且电极响应时间缩短,稳定性提高。  相似文献   
45.
 本文报道了一种合成硫杂冠醚聚合物的新方法。以聚(2′-氯乙基-2,3-环硫丙基醚)为预聚物与二巯基化合物通过大分子反应直接环化,一步法合成了四种以聚硫醚为主链的新型硫杂冠醚聚合物(PD1-PD4)。并测定了它们对Ag+、Au3+)、Pd2+、Pt4+、Cu2+、Hg2+、Zn2+、Cd2+、Pb2+、Mg2+、K+、Ns+等金属离子的络合性能。结果表明:它们除不络合K+、Na+、Mg2+、Pb2+外,对其它八种离子有不同程度的络合,其中对Ag+、Au3+、Pd2+等贵金属离子的络合容量较高。  相似文献   
46.
吹扫-捕集气相色谱法测定水中挥发性卤代烃   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究建立了吹扫 捕集法富集样品 ,利用HP 1大口径厚液膜通用型熔融石英毛细管柱 (30m× 0 .5 3mm×2 .6 5 μm) ,ECD检测器 ,测定水中 10种挥发性卤代烃的方法 ,确定了最佳吹扫 捕集条件 .结果表明 :水样体积为 5mL时 ,标准偏差在 0 .0 2~ 0 .0 7μg L之间 ,变异系数在 1.0 9%~ 3.2 8%之间 ,加标回收率为 94.0 %~ 10 7%之间 ,10种物质的检出限在 0 .0 7~ 0 .19μg L之间  相似文献   
47.
采用薄层色谱和柱色谱法,选择优化展开体系,有效地分析了三氯半乳蔗糖中间体2,3,6,3′,4′-五氧乙酰蔗糖混合物,并证实该混合物中杂质为三苯甲醇,为三氯半乳蔗糖的合成研究取得了重要发现。  相似文献   
48.
李治衡  董平华  岳明  刘欢 《合成化学》2019,27(10):788-792
以顺丁烯二酸酐及二乙醇胺为原料,采用“一步熔融法”合成了端羟基超支化聚酯酰胺(HBP-OH);以环氧氯丙烷改性HBP-OH制得端基为氯甲基的超支化聚酯酰胺(HBP-ECH);以三乙胺改性HBP-ECH制得端基为季铵基的超支化聚酯酰胺(HBP-L),其结构经IR表征。研究了HBP-L的静态防膨率、耐水洗能力及对岩心的渗透伤害率。结果表明:HBP-L加量为1 wt%时,粘土防膨率为90.36%;经10次水洗后,其防膨率仍超过85%;模拟地层温度为45 ℃时,HBP-L对岩心的渗透伤害率仅3.86%。采用XRD和Zeta电位法分析了HBP-L对粘土水化膨胀及运移分散的抑制机理。结果表明:经1 wt%HBP-L处理的粘土,其晶层间距为6.91 nm,较去离子水处理层间距(4.71 nm)小;粘土表面的zeta电位由-39.2 mV升高至-19.6 mV。  相似文献   
49.
纳米尺寸团簇NinZrn(n=3~5)的几何结构与成键规律研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
根据化学键理论与拓扑原理,设计了团簇NinZrn(n=3-5)的可能几何构型,并用从头算方法进行构型优化,结果表明,由NiZr组成的团簇原子间的Zr-Zr和Zr-Ni键明显较强,而Ni-Ni的成键较弱,并发与NinZrn(n=3-5)团簇电子性质与有机烯烃分子等瓣相似,原子之间的成键按照强弱相间的规则分布。  相似文献   
50.
从一种聚芳酯B-N得到了丝状(包括细丝和粗丝)、纹影状和大理石纹状等与小分子向列液晶相似的多种织构。由于样品淬火后晶片装饰在织构上而不影响分子取向矢的分布,因而可以用化学刻蚀和电镜技术揭示其向错和取向矢图。电镜和光学显微镜的结果相互补充,表明了细丝和粗丝状织构的分子取向矢分布很不相同,是两种不同的织构,而粗化始于第二熔融降温。在这些向列织构中分别发现了S=±(1/2)和s=+1的向错的例子和平面内微区转向壁的证据。  相似文献   
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