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991.
992.
993.
以铁线莲品种繁星(Clematis' nelly moser’)的带节茎段为材料,研究不同光照强度和光质对铁线莲不定芽繁殖的影响.以MS为基本培养基(含有0.2 mg/L 1-萘乙酸和2 mg/L 6-苄氨基腺嘌呤),设置光照强度梯度为0、500、2 000、3 000和4 000 Lux的白光光照;用透明玻璃纸得到蓝(440 nm)、绿(560 nm)、红(650 nm)3种光质,以白光为对照组,强度均为3 000 Lux.结果表明:在光照强度为3 000 Lux的白光光照下,不定芽的诱导效果最好,其诱导频率和每个外植体上不定芽的数量分别为100%和4.4,每个外植体上不定芽的平均高度为5.66cm,平均节数为4.6个;蓝光能够显著提高不定芽的诱导数量,是相同光强白光诱导数量的1.27倍,蓝光下不定芽SOD和CAT的最大值显著高于其它光质下的数值,且叶绿素a和b的比值最大. 相似文献
994.
采用溶胶-凝胶法合成Ln2Sn2O7:Er3+(Ln=La,Gd,Y)纳米晶。通过X射线衍射和场发射扫描电子显微镜测试了样品的晶体结构和形貌,同时对样品的上转换发光性能进行了测试。结果表明:在980 nm连续激发光的激发下,样品主要表现为绿光发射。发射中心在528,549 nm的绿光和672 nm处的红光发射分别对应Er3+离子的4S3/2→4I15/2、2H11/2→4I15/2和 4F9/2→4I15/2跃迁。以La2Sn2O7:Er3+纳米晶为例,Er3+离子的摩尔分数为7%、退火温度为1 150℃是其制备的最佳条件,此时其各个发射峰的强度最高。对La2Sn2O7:Er3+的发光强度与激发功率关系的研究表明,其绿光和红光发射均为双光子过程。激发光吸收和能量转移是La2Sn2O7:Er3+纳米晶上转换发光的主要机制。 相似文献
995.
采用2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP): 5 wt.% cesium carbonate(Cs2CO3)和N, N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine(NPB): 20 wt.% molybdenum oxide(MoO3)分别作为器件的电子注入层和空穴注入层,研究了N型和P-i-N结构有机电致发光器件的载流子传输特性.载流子传输层中BCP: Cs2CO3和NPB:MoO3的引入有效增强了载流子注入能力,从而降低了器件的驱动电压.基于新型电荷生成层BCP: 5 wt.% Cs2CO3/ NPB: 20 wt.% MoO3制备了色稳定、高效率P-i-N结构有机叠层器件.与单元器件相比,引入新电荷生成层有机叠层器件的最大电流效率增大了2.5倍,表明该电荷生成层可以有效地将电子和空穴分别注入到相邻发光单元中.采用该电荷生成层制备了P-i-N结构白色有机叠层器件,器件的上下发光单元分别为橙光和蓝光发射.当发光亮度从500增加到5 000 cd/m2时,器件的色坐标稳定在(0.33, 0.29)附近,接近白光等能点.利用单色发光单元堆叠制备白色有机叠层器件的方法为实现色稳定、高效率的白色有机电致发光器件提供了一种有效的途径. 相似文献
996.
当O〈a〈2时,积分∫^∞x sint/t^αdt收敛.本文研究在2≤a〈4时,反常积分∫^∞x sint/t^αdt当x→0^+时的估计式. 相似文献
997.
云计算是一种通过互联网将各种资源按照一定的方法整合在一起,以服务的形式向外提供的商业模式,有着良好的发展前景.Agent技术拥有其他技术无法比拟的智能性,并在各个领域都得到了广泛的应用.但Agent软件的系统开发、部署、运行以及维护仍采用传统的技术方案,无论在硬件还是软件设施上都存在着严重的浪费,因此将云计算与Agent技术结合起来,建立基于云计算的Agent平台(AaaS),来解决上述存在的问题,利用虚拟化技术解决硬件资源的浪费,设计开发Agent开发工具箱(ADT)以统一的标准来开发和部署Agent,提供云控制器来实时监测Agent的运行状态,进而动态的解决Agent运行时存在的问题. 相似文献
998.
以胍基取代的二甲基二氯硅烷与胺基锂反应合成了3种硅基化合物,使用核磁共振、高分辨质谱、元素分析对化合物结构进行了表征,通过热重分析(TGA)研究了化合物的热稳定性、挥发性、蒸汽压等性能。 3种化合物均具有良好的热稳定性及挥发性,无明显热分解过程,固体残留小于1%,接近纯挥发过程,最高蒸汽压在3600~5300 Pa,满足前驱体使用要求。 以二甲基-胍基-甲乙胺基-硅烷为前驱体,采用螺旋波等离子体气相沉积(HWPCVD)工艺制备了硅基薄膜,使用X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的化学组成和膜表面结构,XPS分析结果证实该薄膜为Si、N、C组成,实验结果表明,该类胍基硅化合物可作为硅基化学气相沉积(CVD)前驱体材料应用于集成电路制造。 相似文献
999.
Fan-Chang Meng Chong-Yang Chen Yan-Sen Wang Ya-Ming Zou 《Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer》2008,109(11):2000-2008
Ab initio calculation of the total dielectronic recombination (DR) rate coefficient from the ground state 3s23p63d9(J=5/2) of Co-like tungsten is performed employing the relativistic distorted-wave approximation with configuration-interaction. The DR contributions mainly come from complex series 3d84ln′l′. The complex series 3p53d10n′l′, 3p53d94ln′l′ and 3d85ln′l′ also contribute significantly to the total DR rates at relatively high electron temperatures. The l′ and n′ dependences of the partial rate coefficient are investigated. The inclusion of decays into autoionizing levels followed by radiative cascades (DAC) enlarges the total DR rate coefficients by a factor of about 10%. The level-by-level extrapolation method is developed to include DAC effects. The total DR rate coefficients are fitted to an empirical formula. It is shown that at temperatures above 2.5 keV the Burgess-Merts (BM) semiempirical formula can provide DR results with an accuracy of about 15%, whereas at electron temperatures below 100 eV it underestimates the DR rate coefficients by up to a few orders of magnitude and its temperature dependence is completely inadequate. The comparison of the results for Ni-like and Co-like tungsten shows that these two sets of DR rate coefficients are very close in magnitude at relatively high electron temperatures. 相似文献
1000.