Influence of Ring Oxidation-Induced Stack Faults on Efficiency in Silicon Solar Cells

We observe a strong correlation between the ring oxidation-induced stack faults (OISF) formed in the course of phosphor diffusion and the efficiency of Czochralski-grown silicon solar cells. The main reason for ring-OISF formation and growth in substrate is the silicon oxidation and phosphorus diffusion process induced silicon self-interstitial point defect during POCl₃ diffusion. The decreasing of minority carrier diffusion length in crystal silicon solar cell induced by ring-OISF defects is identified to be one of the major causes of efficiency loss.     

温度调谐准相位匹配光参量产生的研究

对温度调谐光学参量产生的特性进行了全面的理论分析和计算,得到参量产生过程中的允许温度、温度调谐速率以及允许温度与输出参量光波长的关系曲线、信号光波长与温度调谐速率的关系曲线,同时对泵浦光的波长、非线性晶体长度、调谐温度进行了分析,以获得较高的转换效率。     

微槽群相变散热器传热性能的实验研究

本文对应用于大功率芯片散热的微槽群相变散热器的散热性能进行了实验研究,实验中采用了一种能强化系统换热性能的混合液体工质2-Methylpentane与甲醇.实验结果表明,一定的真空度和充液率下,充入一定摩尔配比的该种混合工质,在同一散热热流密度下,与前人的工作相比,能够使芯片表面温度降低7～9℃.其散热性能能够满足当今大功率高性能电子芯片的散热需求.     

沉积温度对等离子体化学气相沉积制备硅氧薄膜微结构的影响

利用13.56 MHz的射频等离子体化学气相沉积设备(RF-PECVD)在不同沉积温度(50~400 ℃)下制备了一系列氢化硅氧(SiO_x:H)薄膜材料,并研究了薄膜材料性能与微结构的变化规律。随着沉积温度的增加,薄膜内的氧含量(C_O)下降,晶化率(X_C)也下降,折射率(n)上升,此外,薄膜的结构因子(R)下降,氢含量(C_H)先上升后下降,由此在合适的中间温度下可以获得最大的氢含量。通过实验结果分析提出了不同沉积温度下制备硅氧薄膜的内在微结构模型:低温下沉积的硅氧薄膜是以氢化非晶硅氧(a-SiO_x:H)相为主体并嵌入氢化纳米晶硅(nc-Si:H)的复合材料,而在高温下沉积的硅氧薄膜则是以氢化非晶硅(a-Si:H)相为主体并嵌入越来越少的nc-Si:H相和a-SiO_x:H相的复合材料。由上可知,要制备太阳电池通常采用的晶化率X_C高、氧含量C_O高的氢化纳米晶硅氧(nc-SiO_x:H)材料,需要采用相对较低的沉积温度。     

S41中的Ⅱ型洛伦兹等参超曲面

研究S41中的Ⅱ型洛伦兹等参超曲面.证明了S41中最小多项式为(λ-a)2的Ⅱ型洛伦兹等参超曲面局部地被两个函数C1(t)和C2(t)所唯一确定,并给出了这种超曲面的解析表达式,从而完成了S41中的Ⅱ型洛伦兹等参超曲面的分类.