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991.
992.
以氧化铝粉为基体,热固性硅树脂为粘结剂,利用热压注方法制备出多孔氧化铝基陶瓷试样,接着又用液态硅树脂对该试样进行强化处理.结果表明:以硅树脂为粘结剂,制备的氧化铝基陶瓷在1500℃烧结后,具有46.99;的显气孔率,22.15 MPa的抗弯强度,0.23;的收缩率,但其1600℃高温抗弯强度仅为2.04 MPa.在液态硅树脂强化后,其室温强度达到了37.67 MPa,高温强度也相继增加,在1600℃下,其强度增加到10.18 MPa. 相似文献
993.
利用高温高压方法在2 ~ 5.0 GPa和900 K的合成条件下成功合成出系列立方相Sm填充型方钴矿化合物SmxCo4Sb12 ( x= 0.2, 0.6, 0.8 ) 体热电材料,并系统地研究了合成压力及不同的Sm填充分数对其室温下的电输运特性(电阻率、Seebeck系数、功率因子)的影响. 研究结果表明, Sm填充型方钴矿化合物SmxCo4Sb12为n型半导体. 在不同压力下,随着Sm填充分数的增加,Seebeck系数的绝对值和电阻率均呈现降低趋势. 在2 GPa,900 K条件下合成的Sm0.8Co4Sb12化合物功率因子达到最大值5.88 μW /( cm·K2). 相似文献
994.
995.
996.
997.
998.
We give a study on the general Moiler transformation and emphatically introduce its differential form. In this paper, a definition of acceleration is given in spacetime language and the inertial reference frame is also settled. With a discussion of the geodesic equations of motion, the differential form of the general MФller transformation at arbitrary direction is presented. 相似文献
999.
A nonlinear hot image is usually thought as of a special case of self-focusing, and thus occurs when a laser beam propagates through a slab of self-focusing medium. Here we show theoretically that a hot image may also be formed by a thin slab of self-defocusing medium. The physical origin for this hot image formation is akin to the in-line volume-phase holographic imaging due to the intensity-dependent refractive-index modulation of the self- defocusing medium. NumericM simulations confirm the theoretical prediction and further identify the dependence of the hot image on the beam power, the modulation depth of obscuration and the thickness of self-defocusing medium. The analysis presented here brings new insight into the physics of hot image formation in the high power laser system. 相似文献
1000.
Photoluminescence of GaAs0.973Sb0.022N0.005 is investigated at different temperatures and pressures. Both the alloy band edge and the N-related emissions, which show different temperature and pressure dependences, are observed. The pressure coefficients obtained in the pressure range 0-1.4GPa for the band edge and N-related emissions are 67 and 45meV/GPa, respectively. The N-related emissions shift to a higher energy in the lower pressure range and then begin to redshift at about 8.5GPa. This redshift is possibly caused by the increase of the X-valley component in the N-related states with increasing pressure. 相似文献