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31.
重离子治疗计划系统的构想 总被引:2,自引:1,他引:1
对重离子柬治癌的优势进行简要的回顾,并着重介绍了用于重离子放射治疗的治疗计划系统。治疗计划系统是一套软件系统,不同的硬件设施应有与其相匹配的软件系统,即治疗计划系统。在此基础上,针对兰州重离子加速器的特点提出一些关于治疗计划系统方面的构想。After a brief review concerning the advantages of heavy ions in radiotherapy, more interests are concentrated on treatment planning system (TPS) for heavy ion radiotherapy. Compared to the hardware devices such as accelerator and beam delivery system, the TPS is a set of software system, and different therapy facilities require their corresponding TPSs. Based on the specialities of the Heavy Ion Research Facility in Lanzhou (HIIRFL), some suggestions on the TPS for tumor therapy at HIRFL finally are given. 相似文献
32.
Rb(5PJ)+Rb(5PJ)→Rb(5JS)+Rb(nl=5D,7S)碰撞能量合并 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了Rb(5PJ)+Rb(5PJ)→Rb(nlJ')+Rb(5S)碰撞能量合并过程,利用单模半导体激光器分别共振激发Rb原子的5P1/2或5P3/2态,利用另一与泵浦激光束反向平行的单模激光束作为吸收线探测激发态原子密度及其空间分布,吸收线分别调至5P1/2→5D3/2和5P3/2→7S1/2跃迁.由激发态原子密度和谱线荧光比得到碰撞能量合并过程的截面,对5P3/2激发,碰撞转移得到5D5/2,5D3/2和7S1/2的截面分别是(1.32士0.59)×10-14,(1.18士0.53)×10-14和(3.21士1.44)×10-15cm2;对5P1/2激发,碰撞转移到5D5/2和5D3/2的截面分别是(6.57士2.96)×10-15和(5.90士2.66)×10-15cm2.与其他的实验结果进行了比较. 相似文献
33.
34.
35.
该文通过一种基本的分析方法,得到了一类退化型Schrodinger方程解的连续性结果,方程的类型为:Lu+vu=(f_i)_{x_i},其中L为一退化椭圆算子,v属于某一Kato类的类比,而f_i 属于某一加权L^p空间. 相似文献
36.
从4~10周龄药物流产胚胎的生殖嵴和肠系膜组织中分离原始生殖细胞(primordial germ cells,PGCs),培养在添加人重组白血病抑制因子(rh LIF)、人重组碱性成纤维细胞生长因子(rh bFGF)和Forskolin的小鼠饲养层细胞上.经过4~7 d培养,PGCs形成典型的鸟巢状集落.集落在传代过程中保持碱性磷酸酶活性,且胚胎阶段性特异抗原1(SSEA-1)、胚胎阶段性特异抗原3(SSEA-3)免疫荧光染色呈阳性.具有分化潜能的PGCs能在体外连续传代培养12代.结果表明从药物流产胚胎中分离的人类PGCs可以在体外培养成为具有分化潜能的多能性干细胞. 相似文献
37.
戴菁 《宁波大学学报(理工版)》2003,16(3):317-319
介绍了供应链管理中的一个得力工具——条形码技术,对这一技术进行了剖析,分析了条形码技术的国际发展趋势以及在我国的应用现状,最后针对我国在实现条形码技术时所遇到的各种问题提出了一些建议。 相似文献
38.
39.
应用多尺度微扰理论到广义非简谐振子, 得到了一阶经典和量子微扰解. 特别是
我们的量子解在极限条件下能方便地转变为经典解, 并且坐标和动量算符的对易
关系的简化十分自然. 与Taylor级数解相比较, 无论是在经典还是在量子解
中频率移动都出现在各阶振动表达式中, 所以多尺度微扰解是弱耦合非简谐振动的较好解法. 相似文献
40.
Effect of Bias Step on the I-V Curve in Double-Barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs Resonant-Tunnelling Devices 下载免费PDF全文
We investigate the non-equilibrium electron transport properties of double-barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs resonant- tunnelling devices in nonlinear bias using the time-dependent simulation technique. It is found that the bias step of the external bias voltage applied on the device has an important effect on the final current-voltage (I - V) curves. The results show that different bias step applied on the device can change the bistability, hysteresis and current plateau structure of the I - V curve. The current plateau occurs only in the case of small bias step. As the bias step increases, this plateau structure disappears. 相似文献