化学电源技术指标分类的模型实证研究

分别采用因子分析模型和聚类模型对化学电源的技术指标:正极长度、负极长度、隔膜长度、电液量、容量、开路电压、自放电后电压、内阻和重量进行分析,得出正极长度与负极长度参数设计指标联系最紧密,开路电压与自放电后电压性能测试指标联系最紧密.这为化学电源技术指标的分类研究提供理论依据,为化学电源的设计质量控制、组合管理质量控制提供了参考价值,从而促进化学电源的技术进步与发展.     

含任意项逻辑函数布尔差分的图形化算法研究

针对包含任意项的逻辑函数,提出了一种利用该类逻辑函数K图和bj图的图形转换来实现一阶布尔差分和二阶布尔差分计算的方法．实例表明,该图形方法具有简单、直接、方便的特点．     

一种聚簇重配置的传感器网络负载平衡算法

根据传感器网络的动态实时性,提出了聚簇重配置负载平衡算法(forced reconfiguration load balan-cing,FRLB).该算法对啦制重配置的系统框架进行了改进,实现了构建阶段和稳态阶段的两种均衡策略.采用一个簇中的节点数和在节点传输距离内的簇头数这两个指标来选择下一簇头;建立了基于契比雪夫不等式的负载平衡的衡量标准来均衡化网络内的能量消耗并减少通信拥塞.仿真分析表明,该算法相比其他网络资源和任务管理算法,能更有效减少热点并提高传感器网络的使用寿命.     

Fe-Co-Ni衬底上准定向ZnO亚微米杆的制备及其光学性质

以Fe-Co-Ni合金为衬底,硝酸锌(Zn(NO_3)_2·6H_2O)和氨水(NH_2·H_2O)为原料,采用水热法生长出准定向的ZnO亚微米杆阵列.运用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)及室温光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.在合适温度(85℃)下长出的ZnO亚微米杆直径较均匀,定向性较好,具有良好的紫外发光特性;在较高的生长温度(100℃)下得到的ZnO样品是分叉杆簇团.Ni衬底上的生长实验获得了类似于Fe-Co-Ni衬底上的准定向ZnO亚微米阵列.     

氟里昂113在多频强红外场离解过程中的V-V能量转移

用TEACO₂激光9P(24),9P(22),9P(20),9P(18)四支线组成的多频强红外场“超激发”氟里昂₁₁₃分子,使其达到很高激发态。由分解曲线可以看出CF₂Cl·CFCl₂与CF₃·CCl₃之间的V-V能量转移有明显的“虹吸”作用。从所得主要产物C₂P₆,C₂Cl₆,C_关键词：     

水汽在淀积金属钠的InP(111)表面的吸附

用UPS和HREELS研究室温下水汽在清洁的和淀积了金属钠的InP(111)表面的吸附。表面淀积了0.3单层金属钠之后,水汽在InP(111)表面的粘附系数显著增加,推测其原因可能与钠原子和表面的磷原子间的电荷转移有关。水汽主要以不分解的分子态形式吸附在表面。在HREELS谱中观察到与P—H键有关的282meV能量损失峰,表明部分水汽可能与淀积在表面的钠原子发生反应或者在表面发生分解。 关键词：     

晶格振动声学支的边界耦合效应

在计入最近邻二体和三体作用的简谐近似下,解出了N×N正方简单格子的振动模。边界效应使通常将声子分支和用波矢量来标注的物理图象完全改变了。只能按空间型将声子分类。数字计算表明共价结构性质的加强可导致出现边界耦合软模。还给出了旋转模、内旋转模、公度非公度结构模,以及表面波声子模等一些新结果。边界耦合作用消除了声子的一些简并,使其频谱向高端和低端散开。理论被推广到三维一般情况,说明了边界耦合效应的主要结果。 关键词：     

As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱

本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×10¹⁶—3×10¹²cm^-2的As⁺注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As⁺注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε₂-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε₂-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。 关键词：     

用HREELS研究氢在GaAs和InP的(111),(111)表面上的吸附

氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动追加声子损失相混淆,只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布。对于GaAs(111)面,低暴露量时只形成Ga—H键,而高暴露量时还可以形成As—H键。而InP(111)表面由于是经过磷气氛退火处理的,在低暴露量下In—H与P—H键均可形成。InP(Ⅲ)面上只看到P—H损失峰,说明这个表面是完全以P原子结尾的。在(Ⅲ)面上出现小面的情形,则表面Ⅲ族和Ⅴ族原子均可同氢成键。 关键词：     

SrTiO3表面O2,H2O吸附的UPS,XPS研究

观察到还原SrTiO₃表面三价Ti离子引起的表面态的存在。分析了它在太阳光分解水中所起作用,以及光照在恢复活性中的作用。 关键词：