C-ADS中质子束窗散射效应和热力学计算

质子束窗是C-ADS中隔离加速器的真空环境与靶的非真空环境的重要部件。质子束窗材料及其冷却介质造成的束流散射效应是造成束流在靶外损失的主要因素,由于质子束窗中的高能量沉积和高辐照效应,束窗的热力学计算显得尤为重要。计算结果表明：当质子束窗和散裂靶距离为1.5 m时,通过选取合理的结构参数,多管道型质子束窗结构可以将靶外束流损失控制在1%以内。束窗中总的应力,包括由于温度升高造成的热应力、冷却剂的静压,以及束窗两侧加速器真空与外部非真空环境的压强差造成的应力,可以有效控制在所用材料的许用应力之内。并通过计算讨论给出C-ADS中质子束窗的初步设计参数。     

CSNS RCS射频系统双谐波模式低电平控制模拟实验

介绍了中国散裂中子源/快循环质子同步加速器一期工程(CSNS-Ⅰ/RCS)拟采用的双谐波加速方案。针对该方案需要在加速周期内对8个射频腔之一进行工作模式切换的特殊要求,对设计实现的基于现场可编程门阵列（FPGA）技术的数字化低电平控制系统采取了一系列优化措施,包括模式切换时段控制回路的开环、功率源两级调谐回路的错时闭环等。在射频系统样机平台开展的模拟实验表明该低电平控制系统动态性能良好,双谐波方案可行性得到了一定程度的验证。     

超高速碰撞产生等离子体云的粒子能量时空分布

为了研究超高速碰撞产生等离子体的粒子能量对航天器电路中元器件的毁伤,获得超高速碰撞产生等离子体粒子能量的时空分布特性是十分必要的。基于超高速碰撞产生稀薄等离子体中带电粒子的运动速度、等离子体的扩散特点,推导出等离子体的粒子能量密度与带电粒子密度及带电粒子运动速度的关系式。进而通过对超高速碰撞2024-T4铝靶实验采集的原始数据分析,利用Matlab编程得到了超高速碰撞2024-T4铝靶产生膨胀等离子体云物理过程中,等离子体的粒子能量密度与带电粒子持续时间及被测点到碰撞点距离的时空分布规律。     

The studies of high-temperature and short-time annealing,phase transition process,and magnetic property for LaFe11.7Si1.3 compound

The high-temperature phase transition is analyzed according to the DSC of as-cast LaFe_11.7 Si_1.3 compound and the X-ray patterns of LaFe_11.7Si_1.3 compounds prepared by high-temperature and short-time annealing. Large amount of 1:13 phase begins to appear in LaFe_11.7Si_1.3 compound annealed near the melting point of LaFeSi phase (about 1422?K). When the annealing temperature is close to the temperature of peritectic reaction (about 1497?K), the speed of 1:13 phase formation is the fastest. The phase relation and microstructure of the LaFe_11.7Si_1.3 compounds annealed at 1523?K (5?h), 1373?K (2?h)?+?1523?K (5?h), and 1523?K (7?h) +1373?K (2?h) show that longer time annealing near peritectic reaction is helpful to decrease the impurity phases. For studying the influence of different high-temperature and short-time annealing on magnetic property, the Curie temperature, thermal, and magnetic hystereses, and the magnetocaloric effect of LaFe_11.7Si_1.3 compound annealed at three different temperatures are also investigated. Three compounds all keep the first order of magnetic transition behavior. The maximal magnetic entropy change ΔS_M (T, H) of the samples is 12.9, 16.04, and 23.8?J?kg^?1?K^?1 under a magnetic field of 0–2?T, respectively.     

Anion adsorption induced reversal of coherency strain

Experimental results are presented for stress evolution, in vacuum and electrolyte, for the first monolayer of Cu on Au(111). In electrolyte the monolayer is pseudomorphic and the stress-thickness change is -0.60 N/m, while conventional epitaxy theory predicts a value of +7.76 N/m. In vacuum, the monolayer is incoherent with the underlying gold. Using a combination of first-principles based calculations and molecular dynamic simulations we analyzed these results and demonstrate that in electrolyte, overlayer coherency is maintained owing to anion adsorption.     

X-ray resonance in crystal cavities: realization of Fabry-Perot resonator for hard x rays

X-ray back diffraction from monolithic two silicon crystal plates of 25-150 microm thickness and a 40-150 microm gap using synchrotron radiation of energy resolution DeltaE = 0.36 meV at 14.4388 keV clearly show resonance fringes inside the energy gap and the total-reflection range for the (12 4 0) reflection. This cavity resonance results from the coherent interaction between the x-ray wave fields generated by the two plates with a gap smaller than the x-ray coherence length. This finding opens up new opportunities for high-resolution and phase-contrast x-ray studies, and may lead to new developments in x-ray optics.     

3ω法加热/测温膜中温度波解析及其在微/纳米薄膜导热系数测量中的应用

给出了3ω法测试系统中描述薄膜表面加热/测温膜中温度波动的级数形式解，并将复数温度波动的实部和虚部分开表示.利用该解分析了交流加热频率、加热膜宽度和材料热物性的组合参数对加热膜温度波动幅度的影响.并根据此解对测量原理的数学模型进行了修正，建立了相应的3ω测试系统，首先测定了厚度为500 nm SiO₂薄膜的导热系数，验证了实验系统的合理性.加大了测试频率，利用级数模型在高频段直接得到SiO₂薄膜的导热系数，结合低频段的数据同时确定了Si基体的导热系数.利用级数解分析测试了激光晶体Nd:YAG〈111〉面上多层ZrO₂/SiO₂增透膜的导热系数，测试的ZrO₂薄膜的导热系数比体材料小.进行了不确定度分析.结果表明，提出的分析方法可以有效研究微器件表面薄膜结构的导热性能. 关键词： ω法')" href="#">3ω法 微/纳米薄膜 导热系数 微尺度加热膜     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

ZnS:Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布

采用高频溅射的方法制备了高亮度的ZnS:Tb薄膜电致发光器件.测量了发射强度比I(5D3-7F6)/I(5D4-7F4)随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率,计算了碰撞截面,分析ZnS:Tb的过热电子的分布,并与ZnS:Mn进行了比较.指出了ZnS:Tb效率与ZnS:Mn效率差异的可能原因.     

长寿命导H^＋全固态电致变色器件的研究

研究了导Ｈ＾＋离子全固态电致变色器件性能退化摧在机制，发现有两个因素导致器件性能退化，在器件褪色过程中，存在于ＷＯ３薄膜中的水份将导致ＯＨ＾－在ＷＯ３中积累而在其中产生碱性环境，ＷＯ３溶于碱性环境而生成钨酸盐，在较高电压作用下Ｈ２Ｏ电解释放出气体Ｈ２和Ｏ２而使膜层剥落，通过改进器件结构和改善制备工艺条件，获得了光学密度高达０．５，着色／漂白（Ｃｏｌｏｒ／Ｂｌｅａｃｈ）循环次数高达１０＾６以上的性能