Quantum Thermalization and Vanishing Thermal Entanglement in the Open Jaynes–Cummings Model

The quantum thermalization of the Jaynes–Cummings (JC) model in both equilibrium and non-equilibrium open-system cases is studied, in which the two subsystems, a two-level system and a single-mode bosonic field, are in contact with either two individual heat baths or a common heat bath. It is found that in the individual heat-bath case, the JC model can only be thermalized when either the two heat baths have the same temperature or the coupling of the JC system to one of the two baths is turned off. In the common heat-bath case, the JC system can be thermalized irrespective of the bath temperature and the system–bath coupling strengths. The thermal entanglement in this system is also studied. A counterintuitive phenomenon of vanishing thermal entanglement in the JC system is found and proved.     

曲面相机阵列多分辨成像方法

针对现有成像系统因数据冗余而无法兼顾大视场、高分辨、高效性的问题,结合人眼视网膜变分辨成像和并列式复眼成像原理,设计一种多分辨率成像的复合仿生成像系统.该成像系统按照球面和平面兼顾的曲面布局方式,利用11个相机镜头构建相机阵列,组成了四个等级分辨率的子眼拍摄模块.通过物距100 m的远景实验和物距10 m的近景实验发现,该系统在实现高分辨成像的同时,获得总视场达150.8°×37.8°.多分辨率成像实验结果表明,该系统获取的图像的分辨率从中心视场到边缘视场逐渐降低,并且相较于中心清晰全视场成像,四级分辨率成像的拼接图像数据量减少了17.2倍的数据冗余.     

烧结温度对红色长余辉发光材料Ca0.8Zno.2TiO3∶ Pr3+,Na+性能的影响

采用溶胶凝胶燃烧法合成了Ca0.8Zn0.2TiO3∶Pr3+,Na+纳米红色长余辉发光材料,利用XRD、SEM、荧光分光光度计、热释光谱仪和照度计研究了烧结温度对样品物相、形貌以及发光性能的影响.结果表明:煅烧温度为600℃时生成了CaTiO3相,当烧结温度大于700℃时,出现了Zn2TiO4相;随煅烧温度的升高,样品的晶粒逐渐变大,平均晶粒尺寸均小于100nm;不同温度下样品的激发峰位于328nm,发射峰位于613 nm,归属于P,+的1D2-3 H4跃迁;当烧结温度为800℃时,样品的初始亮度和余辉时间最佳,其分别为2000 mcd/m2和10 min(≥1mcd/m2).     

高温退火工艺对直流反应磁控溅射制备蓝宝石基氮化铝模板的影响

采用直流反应磁控溅射与高温退火工艺大批量制备了膜厚为200 nm、400 nm及800 nm的2英寸蓝宝石基氮化铝模板,并对高温退火前后不同膜厚模板使用各种表征手段进行对比分析.结果 表明:采用磁控溅射制备膜厚为200 nm的模板经高温退火后晶体质量得到显著提升,退火前后整片(0002)面和(10-12)面高分辨率X射线衍射摇摆曲线半高宽分别从632 ～ 658 arcsec和2 580 ～2 734 arcsec下降至70.9 ～ 84.5 arcsec和273.6 ～ 341.6 arcsec;模板5 μm×5μm区域内均方根粗糙度小于1 nm;紫外波段260 ～280 nm吸收系数为14 ～20 cm-1;高温退火前后拉曼图谱E2(high)声子模特征峰半高宽从13.5 cm-1降至5.2 cm-1,峰位从656.6 cm-1移动至657.6 cm-1,表明氮化铝模板内的拉应力经高温退火后得到释放,接近无应力状态.     

纳米结构泡沫金冲击响应的分子动力学模拟

采用分子动力学计算程序对纳米结构泡沫金(Au)的冲击响应进行了模拟,得到了不同疏松度条件下泡沫Au的冲击压缩特性。通过获取不同势函数条件下实密Au的冲击Hugoniot关系以及泡沫结构稳定性测试选取适合描述Au泡沫冲击过程中原子的相互作用势。采用密堆积球壳的方式建立泡沫Au的初始构型。通过改变空心球壳的尺寸得到不同疏松度的稳定的泡沫Au结构。对泡沫Au的冲击过程进行分子动力学模拟,获得了不同疏松度泡沫Au在不同冲击压缩强度下的热力学状态参数。将模拟结果与已有的状态方程数据库以及疏松物质冲击压缩模型进行比较,结果表明,计算和理论模型给出的结果仍然存在明显的差异性,亟需通过进一步实验研究来验证模拟计算和理论模型结果的可靠性。     

电子垂直入射电离氦原子碰撞机理的理论研究

用3C模型和修正后的3C模型在低能、两个出射电子等能分享几何条件下,对电子垂直入射碰撞电离氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行了比较,系统研究了(e,2e)反应中各种屏蔽效应对氦原子三重微分散射截面的影响,同时对截面中形成各峰的碰撞机理做了详细的探讨.研究结果表明:在入射能较低时,各种屏蔽效应对氦原子的三重微分散射截面幅度以及角分布均存在一定影响,并且形成各峰的碰撞机理直接影响截面的变化规律.     

垂直入射几何条件下氦原子(e,2e)反应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型在电子垂直入射几何条件下对氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行比较,对截面的结构进行了分析,并对交换效应进行了系统的研究. 关键词： DS3C模型 中间峰 屏蔽效应 交换效应     

Characterization of Zn<Subscript>2</Subscript>SnO<Subscript>4</Subscript> Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

Zn₂SnO₄ (ZTO) is a stable semiconductor in ZnO–SnO₂ system and important transparent conducting oxide (TCO) predominantly used in optoelectronic devices. ZTO thin films were prepared by RF magnetron sputtering using Zn₂SnO₄ ceramic target in this paper. The effects of annealing temperatures and oxygen contents on characterization of ZTO thin films were studied. The results show that ZTO thin films prepared by RF magnetron sputtering are amorphous with an optical band gap of 3.22 eV. After annealing at 650°C in Ar atmosphere for 40 min, ZTO films possess a spinel structure with an optical band gap of 3.62 eV. The atomic force microscope (AFM) data of morphology reveals that the surface roughness of films is about 2 nm. The results of energy dispersive spectrometer (EDS) show that the concentration ratio of Zn to Sn is in the range from 1.44 to 1.57. The results of Hall-effect-measurement system reveal that the resistivity of films varies from 102 to 10–1 Ωcm, carrier concentration is about 10¹⁷ cm^–3, and mobility ranges from 10⁰ to 10¹ cm² v^–1 s^–1.     

1KeV电子入射单电离氦原子三重微分散射截面的理论研究

用3C模型、DS3C模型对1KeV电子入射氦原子(e,2e)反应中的三重微分散射截面进行了计算,并将理论计算结果与实验数据进行了比较,研究了各种屏蔽效应对散射平面内以及垂直平面内三重微分散射截面的影响,并对三重微分散射截面变化规律进行了探讨.结果表明:各种屏蔽效应对散射平面内三重微分散射截面的贡献可以忽略;而在垂直平面内,这些效应对三重微分散射截面结构存在较强影响;另外,末态出射电子与靶核的相互作用直接影响散射平面内和垂直平面内截面的结构及其变化规律.