首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   164101篇
  免费   17137篇
  国内免费   9570篇
化学   84800篇
晶体学   1656篇
力学   11978篇
综合类   532篇
数学   41306篇
物理学   50536篇
  2024年   237篇
  2023年   2018篇
  2022年   2807篇
  2021年   3238篇
  2020年   3966篇
  2019年   3550篇
  2018年   12825篇
  2017年   12338篇
  2016年   10140篇
  2015年   5039篇
  2014年   5510篇
  2013年   7006篇
  2012年   11790篇
  2011年   18510篇
  2010年   10991篇
  2009年   11190篇
  2008年   12165篇
  2007年   13567篇
  2006年   5104篇
  2005年   5189篇
  2004年   4501篇
  2003年   4299篇
  2002年   3167篇
  2001年   2105篇
  2000年   1947篇
  1999年   2047篇
  1998年   1818篇
  1997年   1753篇
  1996年   1799篇
  1995年   1472篇
  1994年   1258篇
  1993年   1104篇
  1992年   931篇
  1991年   866篇
  1990年   706篇
  1989年   569篇
  1988年   441篇
  1987年   378篇
  1986年   387篇
  1985年   319篇
  1984年   204篇
  1983年   161篇
  1982年   147篇
  1981年   108篇
  1980年   96篇
  1979年   60篇
  1914年   45篇
  1912年   40篇
  1909年   41篇
  1908年   40篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 687 毫秒
991.
中间层Re的加入对覆膜钡钨阴极性能的改善   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
李玉涛  张洪来  刘濮鲲  张明晨 《物理学报》2006,55(12):6677-6683
研究了一种新型的覆膜钡钨阴极——双层膜(Os-W/Re膜)钡钨阴极.对这种新型阴极的发射性能进行了测试,重点对其老炼前后表面薄膜的微观形貌进行了分析,表明中间层Re膜的加入使覆膜钡钨阴极的性能得到了改善.通过对Os-W双元合金膜钡钨阴极和Os-W/Re双层膜钡钨阴极发射特性的比较,发现Os-W/Re双层膜阴极的直流发射性能好于Os-W合金膜阴极.对两种阴极激活后发射表面的X射线光电子能谱分析表明,Os-W/Re双层膜阴极激活后表面形成的三元合金膜是其发射特性优于Os-W合金膜阴极的主要原因.应用扫描电子显微镜分析比较两种阴极激活老炼后的表面状态,结果表明:Os-W合金膜阴极在老炼一段时间后,其表面薄膜出现开裂,这会导致阴极发射均匀性下降;而Os-W/Re双层膜阴极在同样老炼条件下,发射表面薄膜均匀并保持完整,从而确保覆膜钡钨阴极发射均匀性和工作可靠性. 关键词: 双层膜钡钨阴极 Os-W/Re膜 Os-W膜 薄膜开裂  相似文献   
992.
本文介绍非线性方程转化直线性方程和多元线性回归法来分析近代物理实验中塞曼效应分裂干涉圆环多处选点测量的处理过程。  相似文献   
993.
不同方法制备的CO2-3替换磷灰石固溶体晶体化学的FTIR研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用不同方法制备了CO2-3替换的磷灰石固溶体,利用FTIR结合XRD对其进行了晶体化学研究,结果表明均相沉淀法制备的碳羟磷灰石(CHAP)属B型替换且替换方式是[CO3·OH]四面体替换[PO4]四面体;固相离子交换法制备的CHAP属A型替换且替换方式是[CO3]三角形配位体替换通道位置的OH-;固相反应法制备的碳氟磷灰石(CFAP)属B型替换,其替换方式是[CO3·F]四面体替换[PO4]四面体;sol-gel法制备的CHAP属AB混合型替换,其Ψ3分裂为Ψ3-1,Ψ3F,Ψ3-4.高斯函数法拟合表明Ψ3F峰是A型替换的Ψ3-2与B型替换的Ψ3-3的叠合.当WCO2-3<3.34%时,随CO2-3含量增加,A型替换量增大,且当WCO2-3=3.34%时达最大值,当3.34%<WCO2-3<7.52%时,随CO2-3含量增加,B型替换量增大,且当WCO2-3= 7.52%时亦到饱和.  相似文献   
994.
在Li2O-Al2O3-SiO2系统玻璃中掺入少量晶核剂TiO2,ZrO2,P2O5,再掺入稀土离子和过渡金属离子作为着色剂,在高温下溶制得到彩色透明玻璃,对上述玻璃进行微晶化处理,用差热分析(DTA)确定其晶化温度,测定与讨论了所获彩色透明微晶玻璃在紫外波段至近红外波段的吸收光谱特性,研究结果表明,玻璃微晶化后,由于基质玻璃对光的微弱散射,引起吸收的增强,但不改变稀土离子和过渡金属离子的本征吸收峰位。  相似文献   
995.
本文基文献 [1]的思路 ,详细论述了利用遗传算法解决有风险控制的最优资产组合问题的具体实现过程 .并论证了用浮点数的方法表示的最优保存遗传算法的全局收敛性  相似文献   
996.
 We study a full hydrodynamic semiconductor model in multi-space dimension. The global existence of smooth solutions is established and the exponential stability of the solutions as is investigated. Received November 14, 2000; in revised form March 25, 2002 Published online August 5, 2002  相似文献   
997.
本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。  相似文献   
998.
该文基于热声环境,采用厘米级扁管和deltaE数值计算对微型热声换热器进行了优化设计。  相似文献   
999.
1000.
A complex solar radio moving type IV burst was observed on 23 September 1998 with the broadband (1.0–2.0 GHz and 2.6–3.8 GHz) spectrometers with high temporal and spectral resolutions at National Astronomical Observatories of China (NAOC). Comparing to the high spatial resolution data of Siberian Solar Radio Telescope (SSRT), we find that this burst is a rare type of moving type IV burst which is caused by the expanding arches, and the spatial structure oscillations of the radio sources are related with the time structure pulsations of the radio emission. Furthermore, the burst is associated with the multiple quasi-periodic long-term pulsations, and this suggests the existence of multi-scale magnetic structures in a large expanding coronal arch. We think the moving type IV burst is due to the synchrotron emission of the energetic electrons trapped in the expanding arch, and the multiple quasi-periodic pulsations are due to the second harmonic plasma emission.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号