低温生长Cu(InGa)Se2薄膜吸收层的掺钠工艺研究

在柔性聚酰亚胺衬底上低温制备Cu(In,Ga)Se₂薄膜太阳能电池, Na的掺入会改善电池特性, 但不同的掺Na工艺对Cu(In,Ga)Se₂薄膜和器件特性的改善机理不同. 本实验通过对比前掺NaF和后掺NaF工艺发现, 在前掺Na工艺下, 由于Na始终存在于Cu(In,Ga)Se₂薄膜生长过程中, Na存在于多晶 Cu(In,Ga)Se₂ 薄膜晶界处, 起到了扩散势垒的作用, 导致晶粒细碎、加剧两相分离, 同时减小了施主缺陷的形成概率; 而在后掺Na工艺下, 掺入的Na对薄膜的结构及生长不产生影响, 仅仅起到了钝化施主缺陷、改善薄膜缺陷态的作用. 同时, 研究表明, 后掺Na工艺中, NaF必须依靠外界能量辅助才能扩散进Cu(In,Ga)Se₂内部, 实验结果证实, 只有衬底温度达到350 ℃以上时, 掺入的NaF才能较好地改善薄膜特性. 最终经掺Na工艺的优化, 得到低温工艺制备的柔性聚酰亚胺衬底器件效率达10.4%.     

A RECURSION THEORY STUDY OF THE ELECTRONIC STRUCTURE OF METALLIC SUPERLATTICES

We illustrate that the recursion method is useful in the study of the electronic structure of metallic superlattices.It reduces considerably the amount of computational works,and gives,nevertheless,fairly satisfactory densities of states.     

制备XS(X=Ca,Sr)的一种优化工艺

本文利用一种新的制备工艺进行了XS(X=Ca,Sr)基质发光材料的合成;利用X-射线衍射等手段进行了反应效率、产物纯度、化学稳定性和材料的结晶学参数等研究实验结果表明,该方法比目前广泛采用的工艺具备更多优点。     

磁镜装置中ECR等离子体硬X射线强度观测

本文描述用硬X射线针孔成象法测量简单磁镜装置中ECR等离子体辐射特性的方法及其结果。这种非破坏性的成象法,直接显示了热电子等离子体的空间分布,一次放电可成一帧清晰的象,且由此可得出二维的等发射强度线。大量结果表明电子环是非轴对称的,并非为一个整环,而是在微波注入口的对面有一个缺口。当微波功率改变时,环也在改变。     

腔靶等离子体辐射温度空间分布测量

本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。     

重组家蚕核多角体病毒（rBmNPV）的复制及所载HuIFN－α基因的表达

报道了重组家蚕核多角体病毒（ＢｏｍｂｙｘｍｏｒｉｎｕｃｌｅａｒＰｏｌｙｈｅｄｒｏｓｉｓＶｉｒｕｓＢｍＮＰＶ）在家蚕细胞ＢｍＮ中复制的细胞病理学变化，除了不形成多角体以外，与野生型病毒相同．研究了病毒感染复数、细胞接种密度和细胞生长阶段对重组病毒复制和α－干扰素（ＩＦＮ－α）表达量的影响．在一定低感染复数时，α－干扰素的产量较高．对于重组病毒的复制，最适的细胞接种密度为３．６～７．０×１０５细胞／瓶．在细胞指数生长前期（４８～６０ｈ）接种重组病毒，对于获得较高的重组病毒复制效价和α－干扰素的产量都是有利的．