全文获取类型
收费全文 | 12601篇 |
免费 | 1034篇 |
国内免费 | 702篇 |
专业分类
化学 | 8444篇 |
晶体学 | 121篇 |
力学 | 499篇 |
综合类 | 51篇 |
数学 | 1484篇 |
物理学 | 3738篇 |
出版年
2023年 | 159篇 |
2022年 | 293篇 |
2021年 | 292篇 |
2020年 | 308篇 |
2019年 | 326篇 |
2018年 | 253篇 |
2017年 | 264篇 |
2016年 | 404篇 |
2015年 | 415篇 |
2014年 | 485篇 |
2013年 | 722篇 |
2012年 | 899篇 |
2011年 | 1025篇 |
2010年 | 651篇 |
2009年 | 676篇 |
2008年 | 769篇 |
2007年 | 734篇 |
2006年 | 647篇 |
2005年 | 561篇 |
2004年 | 532篇 |
2003年 | 455篇 |
2002年 | 404篇 |
2001年 | 330篇 |
2000年 | 270篇 |
1999年 | 206篇 |
1998年 | 162篇 |
1997年 | 139篇 |
1996年 | 175篇 |
1995年 | 131篇 |
1994年 | 150篇 |
1993年 | 124篇 |
1992年 | 117篇 |
1991年 | 96篇 |
1990年 | 106篇 |
1989年 | 82篇 |
1988年 | 90篇 |
1987年 | 61篇 |
1986年 | 69篇 |
1985年 | 95篇 |
1984年 | 69篇 |
1983年 | 68篇 |
1982年 | 49篇 |
1981年 | 46篇 |
1980年 | 47篇 |
1979年 | 34篇 |
1977年 | 37篇 |
1976年 | 37篇 |
1975年 | 34篇 |
1974年 | 48篇 |
1973年 | 44篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
211.
对s脉冲电压作用下铜丝水中电爆炸的能量沉积过程进行了实验研究,利用自积分Rogowski线圈和电阻分压器分别测量铜丝电爆炸时的电流和电压。利用测量电压波形确定了熔融起始、熔融结束、汽化起始和击穿时刻点,将铜丝电爆炸划分成熔融、液态和汽化3个阶段。通过数学方法计算了3个阶段和击穿前的沉积总能量。通过实验和计算,分析了电路参数,包括放电电压和回路电感,以及铜丝特性,包括铜丝长度和直径,对铜丝电爆炸过程中3个阶段和击穿前沉积总能量的影响。结果表明:在s脉冲电压作用下,放电电压、回路电感、铜丝长度和直径对熔融阶段能量沉积影响较小,但对液态和汽化阶段能量沉积影响较大,通过调节电路参数提高电流上升速率,可以显著提高汽化和击穿前的沉积能量。 相似文献
212.
Improvement of dielectric tunability and loss tangent of (Ba,Sr)TiO3 thin films with K doping 下载免费PDF全文
Zhang Wei-Jie Dai Jian-Ming Zhu Xue-Bin Chang Qing Liu Qiang-Chun Sun Yu-Ping 《中国物理 B》2012,21(9):97702-097702
Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films doped with K were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by chemical solution deposition method. The structure, surface morphology, and dielectric and tunable properties of Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films have been studied in detail. The K content in Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films has a strong influence on the material's properties including surface morphology, dielectric and tunable properties. It is found that the Curie temperature of K-doped Ba0.6Sr0.4TiO3 films shifts to higher values compared with that of undoped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films, which leads to a dielectric enhancement of K-doped Ba0.6Sr0.4TiO3 films at room temperature. At the optimized content of 0.02 mol, the dielectric loss tangent is reduced significantly from 0.057 to 0.020. Meanwhile, the tunability is enhanced obviously from 26% to 48% at the measured frequency of 1 MHz and the maximum value of the figure of merit is 23.8. This suggests that such films have potential applications for tunable devices. 相似文献
213.
214.
介绍L波段长脉冲相对论速调管放大器研究中,长脉冲强流相对论电子束(IREB)经过输入腔和中间腔间隙后的脉冲缩短问题.分析了造成束流脉冲缩短的主要机理之一是高频系统的角向非均匀模式与电子束相互作用而使得束流扩散形成的,并经过实验参数的调节,减轻了长脉冲IREB的脉冲缩短问题,得到了较强的基波调制电流.从长脉冲加速器引出500 kV,3.5 kA,1.3 μs的电子束,经过输入腔和两个群聚腔的调制后,得到了2.0 kA的基波调制电流,束流脉冲宽度由0.3 μs增加到1 μs,束流脉冲缩短问题得到明显减轻.
关键词:
相对论速调管放大器
脉冲缩短
高功率微波
长脉冲强流相对论电子束 相似文献
215.
推导出代数多重网格法的一个新的插值公式。理论分析和数值计算表明这个公式很有效,且适用性强。推广了原代数多重网格法的应用范围,能够求解一些很病态的代数方程组。 相似文献
216.
217.
218.
219.
220.