高温超导体环流演示仪

利用永磁铁对超导样品进行激励,产生的超导环流不衰减,由此原理制做了高温超导环流演示仪,该仪器可演示零电阻现象、环流磁场及超导体电阻与温度的关系.     

PUMP-TUNING KTP OPTICAL PARAMETRIC OSCILLATOR WITH CONTINUOUS OUTPUT WAVELENGTH PUMPED BY A PULSED TUNABLE Ti:SAPPHIRE LASER

We report on the implementation of a KTP optical parametric oscillator pumped by a pulsed tunable Ti:sapphire laser. Two major improvements were achieved, including the connection of the signal and idler tuning ranges and the high-output conversion efficiency through the signal and idler tuning ranges. Both in the signal and idler, the continuous output wavelength from 1.261 to 2.532μm was obtained by varying the pump wavelength from 0.7 to 0.98μm. The maximum output pulse energy was 27.2mJ and the maximum conversion efficiency was 35.7% at 1.311μm (signal).     

Measurement of B(0)(d)-B_(0)(d) mixing rate from the time evolution of dilepton events at the upsilon(4S)

We report a determination of the B(0)(d)-&B_(0)(d) mixing parameter Deltam(d) based on the time evolution of dilepton yields in Upsilon(4S) decays. The measurement is based on a 5.9 fb(-1) data sample collected by the Belle detector at KEKB. The proper-time difference distributions for same-sign and opposite-sign dilepton events are simultaneously fitted to an expression containing Deltam(d) as a free parameter. Using both muons and electrons, we obtain Deltam(d) = 0.463+/-0.008 (stat)+/-0.016 (syst) ps(-1). This is the first determination of Deltam(d) from time evolution measurements at the Upsilon(4S). We also place limits on possible CPT violations.     

ICP-AES内标法测定硅铝钡合金中铝和钡

研究了以电感耦合等离子体发射光谱仪测定硅铝钡合金中铝和钡的方法。考查了方法的线性范围,检测限和RSD等指标,实验表明,方法简便,结果准确。     

碳纳米管及其H_2吸附体系的Raman光谱

利用紫外Raman光谱技术 ,对分别以CO和CH4为碳源、由化学催化法制备的两种多壁碳纳米管以及它们的H2 吸附体系进行Raman光谱表征 ,观测到可分别归属于类石墨结构的基频模G (1 5 80cm- 1 )和D (1 41 6cm- 1 ,缺陷诱导 ) ,以及它们的二阶和三阶组合频 2D(2 83 2cm- 1 ) ,D +G (2 996cm- 1 ) ,2G (3 1 6 0cm- 1 )和 2D +G (441 2cm- 1 )的Raman峰 ;H2在这些多壁碳纳米管上吸附有两种形式 :非解离吸附分子氢H2 (a)和解离吸附生成含氢表面物种CHX(x =3 ,2 ,1 ) ,所观测在 2 85 0 ,2 96 7和 3 95 0cm- 1 处的Raman谱峰可分别归属于表面CH2 基的对称C -H伸缩模 ,CH3基的不对称C -H伸缩模 ,以及吸附态分子氢H2 (a)的H -H伸缩模     

涡流数值模拟中的计算格式粘性分辨率探讨

采用理论分析和三角翼数值模拟实验相结合的方法,研究了目前常用的CFD计算格式——Jameson中心格式、RoeFDS格式、VanLeerFVS格式、迎风TVD格式等的粘性分辨率,论述了Jameson中心格式和RoeFDS格式在粘性分辨率上具有的优势,以及VanLeerFVS格式和迎风TVD格式在此方面的不足     

紫外激光晶体Ce~(3+)∶LiSrAlF_6发光温度依赖中的陷阱效应

在 10 5～ 30 0K温区内 ,测量了X射线激发下Ce3+ ∶LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖 (I T) ,在 2 37～30 0K温区内发光强度有特殊的增强结构 ,结合 10 5～ 30 0K温区内热释光的测量 ,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致。通过对热释光曲线的进一步分析 ,得到深度分别为 0 5 1eV和 0 5 5eV的陷阱能级 ,这些陷阱主要源于Ce3 + 取代Sr2 + 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F-空位以及Li+ 空位所形成的本征缺陷。     

Tm∶YVO4晶体中Tm3+的发光研究

测量了Tm∶YVO4 晶体的吸收光谱 ,以 34 6nm、36 3nm(1D2 )、475nm(1G4 )、6 98nm (3 F2 ,3 F3 )和 80 1nm(3 H4 )光激发时的发射光谱 ,以及位于 45 4nm (1D2 → 3 F4 )、475nm (1G4 → 3 H6)、6 46nm (1G4 → 3 F4 )、80 6nm(3 H4 →3 H6)的荧光谱线的激发光谱 ,对测量的结果进行了详细分析 ,解释了离子能级间的跃迁过程。提出了Tm∶YVO4 晶体基质与Tm3 + 之间的能量交换的概念和新的跃迁通道 ,证实了存在1D2 +3 H6→1G4 +3 F4 以及1G4 +3 H6→3 H4 +3 H5的能量传递过程 ,还可能存在交叉弛豫过程 1G4 +3 H6→3 F2 +3 F4 。这些过程使得Tm∶YVO4 晶体难以实现1D2 能级上转换发光 (4 5 4nm左右 ) ,但 475nm的上转换发光 (1G4 →3 H6)较强 ,3 F4 能级是潜在红外激光发射能级。     

基于ZEMAX高功率半导体激光器光纤耦合设计

随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将12只波长为808 nm、输出功率为10 W的单管半导体激光器通过合束方法高效率耦合进光纤。耦合光纤芯径为150μm、数值孔径为0.22,光纤输出功率为116.2 W,耦合效率为96.8%。     

空间调制傅里叶变换红外光谱仪干涉系统透射效率研究

光学系统表面的反射与材料的吸收会降低空间调制傅里叶变换红外光谱仪中光的透过率。通过对干涉系统透过率函数的计算和对采样干涉图与复原光谱的仿真,结果显示透过率函数作用下的干涉图像对比度下降,复原光谱中的谱线强度发生衰减。分析表明,干涉图像对比度的下降主要是由分束器对入射光的有效反射引起的,而谱线强度的衰减则是由与增透膜的光强反射率R₁、分束膜的光强反射率R₂和材料的吸收系数α有关的透射效率函数所决定。通过分析论证,对于本文所研究的光谱波段,可以不考虑材料的吸收,所以透射效率主要由R₁和R₂决定。由此,将透射效率作为设计指标,根据系统的设计需求,就可以得到增透膜与分束膜光强反射率的容限值。