薄膜界面粗糙对双晶摇摆曲线的影响

用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In_0.53Ga_0.47As(85?)/Al_{0.4 关键词：}     

Dirichlet型空间上的乘子

本文主要根据τ与μ的不同取值分三种情况刻划了Cn中单位球上Dirichlet 型空间上的点乘子空间M(Dτ,Dμ),并通过两个函数的构造表明:当τ≤n时,包含 关系M(Dτ)(?)Dτ和当τ>μ,τ>n-1时,包含关系M(Dτ)(?) M(Dμ)是严格的.     

一类拟线性大系统的稳定性

本文应用大系统的分解方法和一个推广的不等式,研究了一类拟线性大系统的稳定性问题,所得结果简洁、易于验证,且推导过程不复杂,最后给出了应用实例。     

微纳米加工技术在纳米物理与器件研究中的应用

物质在纳米尺度下可能呈现出与体材料不同的物理特件，这正是纳米科技发展的基础之一。要想探索在纳米尺度下材料物埋性质的变化规律及可能的应用领域，离不开相应的技术手段，微纳米加工技术作为当今高技术发展的重要技术领域之一，是实现功能人工纳米结构与器件微纳米化的基础。本文根据几个不同的应用领域，介绍了微纳米加工技术在纳米物理与器件研究领域的应用。     

微纳米加工技术及其应用综述

材料与结构在微纳米尺度展现了许多不同于宏观尺度的新特征，纳米技术已经成为当前科学研究与工业开发的热门领域之一。微小型化依赖于微纳米尺度的功能结构与器件，实现功能结构微纳米化的基础是先进的微纳米加上技术，文章对微纳米加上技术做了一个综合的介绍，简要说明了微纳米加工技术与传统加工技术的区别，在微纳米加工技术的应用方面提出了一些合理选择加工技术的原则，并对当前微纳米加工技术面临的挑战和今后发展的趋势作了预测。     

Generalization of Einstein relation for doped organic semiconductors

Under the assumption of Gaussian energy distributions of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and the highest occupied molecular orbital (HOMO), analytical expressions of generalized Einstein relation for electron and hole transport in doped organic semiconductor thin films are developed. Numerical calculations show that, although traditional Einstein relation still holds for low carrier concentrations, that is, the diffusion-coefficient-to-mobility ratio in units of k_BT/q, with k_B the Boltzmann’s constant, T the temperature and q the elementary charge, equals 1. But when the electron (hole) concentration is high, the diffusion-coefficient-to-mobility ratio for electrons (holes) changes strongly with the electron (hole) concentration, the doping level, the mean energy of LUMOs (HOMOs) of the dopant E_Ld (E_Hd) and the host E_L (E_H), as well as their variances. Dopants with E_Ld<E_L (E_Hd>E_H) affect the diffusion-coefficient-to-mobility ratio mainly in the range of low and middle carrier concentrations, while those with E_Ld>E_L (E_Hd<E_H) have significant effect only in the range of high carrier concentrations. It was found that there can be a maximum in the dependence of the diffusion-coefficient-to-mobility ratio on the quasi-Fermi energy or carrier concentration exist, for appropriate values of the doping level, the mean energy and variance of LUMO or HOMO states of the dopant. PACS 71.20.Rv; 72.90.+y; 73.50.-h     

3004铝合金“反常”锯齿屈服现象的研究

在应变速率为5.56×10^-5s^-1—5.56×10^-3s^-1的范围内，在不同温度下(从223K至773K)，对3004铝合金进行系列拉伸试验，探索其锯齿屈服规律；通过激活能的计算、内耗研究、微观组织观察和能谱分析，探讨锯齿屈服的机理与物理本质.结果表明，3004铝合金在形变过程中会出现动态应变时效现象；发现了一种“反常”的锯齿屈服现象：在出现锯齿屈服的温区内，存在锯齿屈服临界应变量转变温度T_t， 关键词： 动态应变时效 锯齿屈服 铝合金 内耗     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.     

含有五边形—七边形缺陷的单壁纳米碳管的输运性质研究

运用第一性原理的密度泛函理论结合非平衡格林函数研究了含有五边形—七边形拓扑缺陷的纳米碳管异质结的输运性质.结果发现：拓扑缺陷对碳管的输运性质有很大影响；另外，不同类型的碳管形成的异质结的输运性质也有明显的差异. 关键词： 纳米碳管 输运性质 异质结 透射系数     

气体放电等离子体特性测量I-V曲线不对称性的研究

利用气体放电双探针法研究了等离子体的I-V曲线中的电流I相对于电压V轴交点的不对称性,并提出2种可能的解释:一认为是由于两探针表面积不同引起的;二认为是由于探针所在处等离子体电位不等引起的.本文利用仪器的工艺误差和调换放电管电压的方法,对提出的2种可能原因分别进行验证,并指出第二种解释的合理性,并对其进行了理论分析.