分裂求和技巧与组合恒等式

对上式利用对角线相消法则得(2).证毕.注意到定义(1)可以视为普通升降乘和 q 升阶乘算子的概括和拓广.因此可以期望由部分和公式(2)得到部分关于二项式系数和 Gauss 二项式系数的卷积型组合恒等式.下面便进行这方面的讨论.     

用γ计数率的变化定位核元件的技术研究

用标准放射源进行模拟核材料库房监控实验,当放射源被转移出系统的时候,在不同位置探测了γ计数率变化,根据γ计数率变化的距离平方反比规律实现了被转移的放射源的定位,并估算了该放射源的源强.     

Theoretical Design of High-spin Organic Molecules with —^＊N—S— as a Spin-containing Fragment and Heterocycle as End Groups

IntroductionDesigns and syntheses of organic molecules withvery high-spin ground states have been a topic of greatinterest[1—8].One of the rational approaches to desig-ning high-spin molecules,which has been proposedand studied by several groups[9,10],in…     

The Synthesis of Glycoglycerolipids

A convenient synthetic route was developed for the synthesis of the novel glycolipids: 1,2-di-O-acyl-3-O-(2‘-acylamide-2‘-denxy-ct-D-glucopyranosyl)-sn-glycerols. 10 new compounds of glycolipids with different acyl groups were obtained.     

La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x/40/60)薄膜- x射线衍射分析表明制备的PLZT(x/40/60)薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜- 通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为2-5—12-6μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱，采用经典色 散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数，同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度- 随着La掺杂浓 度的增大，折射率逐渐减小- 而消光系数除PLZT(4/40/60)薄膜外，呈现逐渐增大的趋势- 分析表明这些差异主要与PLZ 关键词： PLZT薄膜 红外光学性质 红外椭圆偏振光谱     

关于广义分散控制系统无穷远固定模的进一步研究

目前,广义系统的研究已成为控制理论的一个相当活跃的分支.在一些实际系统中,系统不仅具有广义性的特点,而且具有分散性的特点.基于广义系统的这种特点,最近中国科学院的王朝珠、王恩平研究了广义分散控制系统,[1]提出并研究了广义分散控制系统的无穷远固定模,得出了许多出色的结论.本文继续[1]的工作.本文的结论揭示了广义系统无穷远固定模与正常系统分散固定模的内在联系,进而表明一切用来判别分散控制系统固定模的方法均可相应地适用于广义系统无穷远固定模.     

IPv4/IPv6翻译网关的研究

In this paper, a model of translation gateway is proposed. The communications between IPv4 network and IPv6 network are realized by using the Microsoft intermediate driver technology in environment of Windows 2000.     

助剂改性活性炭担载Pt催化剂催化硝基苯加氢制对氨基苯酚

以改性活性炭担载的Pt为催化剂催化硝基苯经加氢重排一步合成对氨基苯酚，收率54．70％，选择性可达91.40%。     

聚丙烯腈热处理的反应机理

本文作者将聚丙烧腈样品分别在200°,250℃……的真空和空气中,以及在180°, 200℃……的氨气中,以逐步升温的方式进行热处理。在每一阶段处理的前后,对样品和产物的红外光谱、重量、它们在浓硫酸和冰醋酸中的溶解度、在浓硫酸中的紫外光谱、以及它们在冰醋酸回流抽提后所余残渣的红外光谱都进行了测量。提出了足以解释所有主要现象的反应机理,其中包括三个重要步骤的反应:(1)特征基团的产生,(2)分子内部的环化,(3)较高温度下的脱氨反应。从每个步骤反应的分析可以看出,热处理所得产物只能是含多核呲啶骈环不长、结构杂乱的高聚物。由于过去学者提出的反应机理只是根据部分实验结果考虑了分子内部环化的发生,而不可能发现到环化的必然中断,因此有些作者根据这机理所作关于产物的半导体电磁性能的解释是值得进一步研究的。     

亚稳态SO(c1∑-,v''=0)的猝灭动力学

在流动余辉装置上,研究了SO(c1∑-)的猝灭动力学过程.获得了SO2,O2,CO2,N2,He,CS2,CH3OH,C2H5OH,C3H7OH,C4H9OH,CH3COCH3,C6H6 CH2Cl2,CH2Br,CHCl3,CCl4等16种分子与SO(c1∑-)发生猝灭反应的速率常数.初步分析表明:醇类分子CnH2n+1OH(n=1,2,3,4)中的C-H键的数目与其对SO(c1∑-)的猝灭速率成正比;CO2,N2等非极性无机小分子对SO(c1∑-)的猝灭作用不明显,强极性分子SO2对SO(c1∑-)的猝灭作用较强.卤代烷烃中的卤素原子的大小对SO(c1∑-)的猝灭过程发挥着较重要的作用;而氯代烷烃中氯原子的个数与猝灭速率之间的关系不明显.