分裂求和技巧与组合恒等式

对上式利用对角线相消法则得(2).证毕.注意到定义(1)可以视为普通升降乘和 q 升阶乘算子的概括和拓广.因此可以期望由部分和公式(2)得到部分关于二项式系数和 Gauss 二项式系数的卷积型组合恒等式.下面便进行这方面的讨论.     

用γ计数率的变化定位核元件的技术研究

用标准放射源进行模拟核材料库房监控实验,当放射源被转移出系统的时候,在不同位置探测了γ计数率变化,根据γ计数率变化的距离平方反比规律实现了被转移的放射源的定位,并估算了该放射源的源强.     

Theoretical Design of High-spin Organic Molecules with —^＊N—S— as a Spin-containing Fragment and Heterocycle as End Groups

IntroductionDesigns and syntheses of organic molecules withvery high-spin ground states have been a topic of greatinterest[1—8].One of the rational approaches to desig-ning high-spin molecules,which has been proposedand studied by several groups[9,10],in…     

The Synthesis of Glycoglycerolipids

A convenient synthetic route was developed for the synthesis of the novel glycolipids: 1,2-di-O-acyl-3-O-(2‘-acylamide-2‘-denxy-ct-D-glucopyranosyl)-sn-glycerols. 10 new compounds of glycolipids with different acyl groups were obtained.     

PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON Hg1-xCdxTe THIN FILM IMPLANTED WITH As ION

Photoluminescence spectra of a series of MBE-grown Hg_1-xCd_xTe samples with the same mole fraction of about x≈0.39 have been measured at different temperatures from 5 to 100 K. By aid of the temperature and exciting laser power dependence of photoluminescence peak energy and relative intensity, as well as of the comparison with other measurements, four main structures dominating in the photoluminescence spectra are attributed to band to band, D^oX, A^oX and D^oA^o transitions. A deep donor state level located at about 8.5meV below the bottom of the conduction band has been observed and is determined to be due to the arsenic-occupied mercury vacancies. Two acceptor levels located at about 14.5 meV and about 31.5 meV above the top of the valance band have also been found from the measuements, which are identified as the mercury vacancies and As in anion site, respectively.     

La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x/40/60)薄膜- x射线衍射分析表明制备的PLZT(x/40/60)薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜- 通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为2-5—12-6μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱，采用经典色 散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数，同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度- 随着La掺杂浓 度的增大，折射率逐渐减小- 而消光系数除PLZT(4/40/60)薄膜外，呈现逐渐增大的趋势- 分析表明这些差异主要与PLZ 关键词： PLZT薄膜 红外光学性质 红外椭圆偏振光谱     

关于广义分散控制系统无穷远固定模的进一步研究

目前,广义系统的研究已成为控制理论的一个相当活跃的分支.在一些实际系统中,系统不仅具有广义性的特点,而且具有分散性的特点.基于广义系统的这种特点,最近中国科学院的王朝珠、王恩平研究了广义分散控制系统,[1]提出并研究了广义分散控制系统的无穷远固定模,得出了许多出色的结论.本文继续[1]的工作.本文的结论揭示了广义系统无穷远固定模与正常系统分散固定模的内在联系,进而表明一切用来判别分散控制系统固定模的方法均可相应地适用于广义系统无穷远固定模.     

聚异丁烯高活性端基含量及相对分子质量测定方法的研究

综合使用核磁，VPO和近红外光谱分析技术对聚异丁烯活性端基含量以及相对分子质量的测定进行了详细研究，分别建立核测定聚异丁烯活性端基含量以及其他烯键含量和近红外光谱快速测量聚异聚丁烯活性端基含量。其他烯键含量和相对分子质量的分析方法。成对t检验结果表明，近红外光谱分析方法测定结果与核磁和VPO方法测定结果之间无显著性差异。     

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

一种基于闭环优化的新型鲁棒预测控制方法

针对带约束的凸多面体线性不确定模型，提出了一种新型鲁棒预测控制方法，它采用离散化的不确定模型构造最小－最大优化控制问题，并在其中直接引入状态反馈机制，与其他最小－最大预测控制方法相比，这种方法等效于增加了控制序列的长度，为优化问题增加了更多的自由度，从而扩大了可行域，作为最小化目标的是离散化不确定系统在整个预测时域上二次型成本函数的最大值，而不是各预测阶段应成本项的上界之和，从而减少了与最小－最大优化相关的方程个数，有利于降低计算复杂性，文中进一步证明了不确定系统的闭环稳定性取决于优化问题在初始时刻的可行性，并将优化问题转化为线性矩阵不等式形式。最后，以数值仿赵例子验证了方法的有效性。