氢吸附导致的SiC表面金属化

文章报道了最近对氢吸附导致β-SiC（001）-32表面金属化的研究结果.提出了β-SiC（001）-32表面金属化的一种新机制：通过形成氢桥键（Si-H-Si 复合结构）形成表面n型掺杂.该复合结构通过氢桥键增强了沟槽底部的弱结合的Si-Si二聚体,并向体系的导带提供电子.     

TDI CCD立体相机内方位元素测试技术研究

依据星载单镜头TDICCD立体相机立体成像及测绘要求,结合普通测绘相机内方位元素,提出了星载单镜头立体相机内方位元素由焦距、主点位置、立体成像角(前后视交角)、图像畸变等元素组成。给出了立体相机内方位元素测试的方法,针对立体相机成像特点给出了计算内方位元素的算法,对其进行了实际测量和验证,其测量结果符合设计要求。     

不同温度下空气比热容比测量装置的研究

针对大学物理实验现有测量空气比热容比装置存在的不足,研制了可测量不同温度下空气的比热容比的装置,包括贮气瓶、压力传感器、温度传感器及水浴系统.该装置可使贮气瓶内空气保持在30～90℃之间的任一温度.每隔10℃测量空气的比热容比值,实验结果表明空气比热容比随温度上升而下降.     

对欧姆表测量误差的进一步讨论

从分析姆表测量的全过程出发,导出了电阻测量不确定度的估计公式。     

传输线中脉冲信号反射波的测量和应用

将高频单脉冲信号输入同轴电缆，借助数字存储示波器记录输入、输出端的波形和相对延时，可以测量传输线的电缆长度和衰减系数，同时观察脉冲波形因色散引起的畸变．     

衍/折射光学元件消二级光谱的设计

 采用衍/折射光学元件结合的方法，使用两种玻璃设计了星载用长焦距望远物镜，对其二级光谱进行了校正。具体介绍了衍/折透镜望远透镜消二级光谱方法、步骤。计算机模拟结果表明：校正后的望远物镜轴上位置色差小于0.08mm，满足使用要求，并且设计方法步骤简单。     

2(1/2)维等离子体粒子模拟分布式并行程序设计

设计了两种粒子模拟的并行算法,并对其进行了比较,基于消息传递环境开发2(1/2)维粒子模拟并行程序,测试并分析了并行性能.粒子模拟算法中,给出了一个初始化粒子三维Maxwell速度分布的算法,并对常用的电磁场的Lindman吸收边界作了推广.最后对激光钻孔问题作了粒子模拟计算,验证了该并行程序.     

不同周期数的GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池

为了研究不同量子阱周期数下GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池性能的变化规律,利用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)制备了不同周期数的双结多量子阱太阳能电池样品以及无量子阱双结结构的参考样品,利用高分辨率X射线衍射仪(HXRD)和高分辨率透射电镜(TEM)测试了样品的晶体质量,同时在AM0(1×)光谱条件下测试了样品的I-V特性曲线和相应子电池的外量子效率。最终得到了高晶体质量、吸收截止波长在954 nm的Ga_(0.89)In_(0.11)As/GaAs_(0.92)P_(0.08)多量子阱结构,扩展波段的外量子效率最高达到75.18%,电池光电转换效率相对于无量子阱结构提升2.77%。通过对比测试结果发现,随着量子阱结构周期数的增加,太阳能电池在扩展波段(890~954 nm)的外量子效率不断提高,常规波段的短波响应(300~700 nm)会出现下降,长波响应(700~890 nm)会出现上升,短路电流和转换效率相应提升并趋于饱和。     

开关图的几个代数性质

首先对开关图的自同构群进行了研究,随即讨论了它的点传递性,并得到Calyley图的开关图依然是Cayley图.     

ON THE FALSE DEGENERACY OF THE HELMHOLTZ BOUNDARY INTEGRAL EQUATIONS

In this paper, the false degeneracy of the Helmholtz boundary integral equations is examined. A new theory to explain the false degeneracy of the Helmholtz boundary integral equations is given. In this proposed theory, a false degeneracy of the boundary integral equation is explained as finding a non-trivial source distribution such that it results in trivial field quantities inside the domain interested and non-trivial field quantities for its counter part, i.e., outside the domain interested. It is clearly explained that such a false degeneracy is independent of prescribed boundary conditions but dependent on the integral equation one selects. Moreover, the false degeneracy of the integral equation for the interested domain relates to the eigenproblem for its counter part. Under such a unified theory, the fictitious eigenvalue, spurious eigenvalue and pseudo-fictitious eigenvalue can be explained in a simple mathematical frame. It is concluded from our theoretical analysis that a multiply connected domain results in the pseudo-fictitious eigenvalue even the complex-valued formulations are used. In order to eliminate various kinds of false degeneracy, two methods are employed according to the previous research. A unified view of these two methods is provided such that they can be thought to be equivalent from mathematical point of view. Several numerical examples are given to show the validity of current approach.