Quantum Key Distribution Using Four-Qubit W State

A new theoretical quantum key distribution scheme based on entanglement swapping is proposed, where four-qubit symmetric W state functions as quantum channel. It is shown that two legitimate users can secretly share a series of key bits by using Bell-state measurements and classical communication.     

四方相氧化锆纳米粉的低温合成与表征

氧化锆材料是近年来备受关注的陶瓷材料之一.它在许多不同的领域,诸如陶瓷颜料、工程陶瓷、宝石业、压电元件、离子交换器以及固体电解质方面等有着广泛的用途[1].其最常用的性质是其晶相转变时会有效改善陶瓷的脆性,因此在室温下保持其四方相是其中的关键.为此许多研究都侧重在其中加入各种添加剂,利用水热法、包裹法、形成共溶体等方法来阻止其晶格的转化[2-4].但研究也发现:在固定组成陶瓷基体中,ZrO2的相变温度随粉体颗粒直径的减小而降低,当颗粒足够小时能够提高材料强度的四方ZrO2可以保存到室温甚至室温以下.因此,减小ZrO2粉体粒度对于提高材料强度是非常有利的.本实验采用一种新的低温固相反应的方法制备氧化锆超细粉,从而使这种重要的陶瓷原料的制备有了新的思路.     

G-网络排队系统的研究新进展

在研究排队网络的文献中,G-网络(即推广的排队网络)最近受到了国际学者广泛的关注,它的研究在一定程度上丰富了排队网络的内容.正因为有很多学者投入到此项研究中,新的结果是层出不穷的.本文简短地介绍G-网络近年来的发展.     

Crystal-Orientation Dependent Evolution of Edge Dislocations from a Void in Single Crystal Cu

The micro-void growth by dislocation emission under tensile loading is explored with focus on the influence of crystal orientations. Based on the elastic theory, a dislocation emission criterion is formulated. It is predicted that the preferential location of dislocation nucleation and its threshold stress are dependent on the crystal orientation. Large-scale molecular dynamics （MD） simulations are also performed for single crystal copper to illustrate the dislocation evolution pattern associated with a nano-void growth. The results are in line with those given by the theoretical prediction. As revealed by MD simulations, the characteristics of void growth at micro-scale depend greatly on the crystal-orientation.     

随机截断下NA样本半参数回归模型中的相合估计

本文研究固定设计下的半参数回归模型在相应变量Yi因受到某种随机干扰而被右截断且截断分布已知时,利用所获的截断观察定义了参数β和回归函数g(·)的估计,并证明了它们均具有强相合性.     

拟单调问题的讨论

This paper gives the necessary condition and one sufficient condition of the quasi-monotonic function, and proves that the linear fractional function is quasi-monotone.     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟     

SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.     

Li2、LiH的激发态和Li2H的基态结构与势能函数

使用“对称性匹配簇-组态相互作用”方法,对Li2分子三重态的第一激发态、LiH分子的基态、单重态的第一和第二激发态的几何构型与谐振频率进行了优化计算.利用“群操作求和”方法分别对这4个态进行单点能扫描计算,并拟合出了相应各态的Murrell-Sorbie势能函数.使用多种方法对Li2H分子的基态结构进行优化,并用优选出的密度泛函(B3P86)方法对该分子进行了进一步的频率计算.结果发现Li2H分子的基态稳态结构为C2v构型,在此基础上用多体项展式理论导出了它的解析势能函数,其等值势能图准确再现了Li2H分子的结构特征和离解能.首次报导了该分子对称伸缩振动等值势能图中存在的两个对称鞍点,对应于反应LiH Li→Li2H,活化能大约为18.7×4.184 KJ/mol.     

哈密顿算符的对角化与能量本征值问题的代数解法

提出了将哈密顿算符对角化的一种方法.围绕一维谐振子讨论了如何将哈密顿算符对角化、引进的是玻色算符还是费米算符的问题,并分析了能量量子化的原因及能量子与声子的区别.