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71.
??In this paper, by applying the moment inequality for asymptotically almost negatively associated (AANA, in short) random sequence and truncated method, the equivalent conditions of complete moment convergence of the maximum partial for weighted sums of AANA random variables are obtained without assumptions of identical distribution, which generalize and improve the corresponding ones of{15},{16} and {17}, respectively. 相似文献
72.
73.
Y.-Q. Peng J.-H. Yang F.-P. Lu 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2006,83(2):305-311
Under the assumption of Gaussian energy distributions of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and the highest occupied
molecular orbital (HOMO), analytical expressions of generalized Einstein relation for electron and hole transport in doped
organic semiconductor thin films are developed. Numerical calculations show that, although traditional Einstein relation still
holds for low carrier concentrations, that is, the diffusion-coefficient-to-mobility ratio in units of kBT/q, with kB the Boltzmann’s constant, T the temperature and q the elementary charge, equals 1. But when the electron (hole) concentration
is high, the diffusion-coefficient-to-mobility ratio for electrons (holes) changes strongly with the electron (hole) concentration,
the doping level, the mean energy of LUMOs (HOMOs) of the dopant ELd (EHd) and the host EL (EH), as well as their variances. Dopants with ELd<EL (EHd>EH) affect the diffusion-coefficient-to-mobility ratio mainly in the range of low and middle carrier concentrations, while those
with ELd>EL (EHd<EH) have significant effect only in the range of high carrier concentrations. It was found that there can be a maximum in the
dependence of the diffusion-coefficient-to-mobility ratio on the quasi-Fermi energy or carrier concentration exist, for appropriate
values of the doping level, the mean energy and variance of LUMO or HOMO states of the dopant.
PACS 71.20.Rv; 72.90.+y; 73.50.-h 相似文献
74.
在应变速率为5.56×10-5s-1—5.56×10-3s-1的范围内,在不同温度下(从223K至773K),对3004铝合金进行系列拉伸试验,探索其锯齿屈服规律;通过激活能的计算、内耗研究、微观组织观察和能谱分析,探讨锯齿屈服的机理与物理本质.结果表明,3004铝合金在形变过程中会出现动态应变时效现象;发现了一种“反常”的锯齿屈服现象:在出现锯齿屈服的温区内,存在锯齿屈服临界应变量转变温度Tt,
关键词:
动态应变时效
锯齿屈服
铝合金
内耗 相似文献
75.
76.
In this paper, the transformations of generating systems of Euclidean space are examined in connection with the Drazin inverse of their Gram matrices and the notion of biorthogonal systems is generalized. The results obtained in this paper can be considered as the extension of some recent results concerning Moore-Penrose biorthogonal systems and reflexiveg-inverse systems in Euclidean spaces. 相似文献
77.
利用离子速度影象技术研究了正一溴丁烷(n-C4H9Br)在231~267 nm波段的光解,得出了如下结论:正一溴丁烷(n-C4H9Br)在231~267 nm波段的吸收源于基态到三个最低激发态的跃迁,这三个激发态标识为1A″、2A′和3A′;发生在这三个排斥态的势能面(PES)上的光解最终导致C4H9 Br(2P3/2)或C4H9 Br*(2P1/2)的产生;2A′和3A′态之间存在避免交叉(Avoided crossing)会影响最终的光解产物;从基态1A′到激发态1A″的跃迁矩垂直于对称面,也就垂直于C-Br键;从基态1A′到激发态3A′的跃迁矩平行于对称面,同时平行于C-Br键;从基态1A′到激发态2A′的跃迁矩在对称面内,且与C-Br键成53.1°夹角.我们也讨论了正一溴丁烷(n-C4H9Br)在234 nm和267 nm附近光解时的避免交叉几率(Avoided crossingprobability),以及它对单通道相对产额(Relative fraction of the individual pathways)的影响. 相似文献
78.
本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。 相似文献
79.
荧光光谱法研究蛋白质构象的电磁-温度协同效应 总被引:1,自引:1,他引:0
长期以来电磁生物效应受到人们普遍关注,近年来从各个角度进行了相关研究。电磁-温度协同效应是当前的热点。本研究通过电磁场及温度协同对蛋白质影响的研究,发现蛋白质在电磁场作用下的不可逆变性,而且这种变性也遵循Arrhenius规律,并进一步得出电磁-温度协同作用的蛋白质变性模型。本文从分子反应动力学的角度解释了电磁-温度协同效应,并对非热效应作了一定的探讨。 相似文献
80.
ρ-混合序列加权和的完全收敛性及其应用 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了ρ-混合序列加权和的一些强极限定理,利用最大值矩不等式,获得了ρ-混合序列加权和的完全收敛性.并将此结果应用于线性回归模型参数的最小二乘估计及非参数回归模型的权函数估计. 相似文献