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981.
本文描述用硬X射线针孔成象法测量简单磁镜装置中ECR等离子体辐射特性的方法及其结果。这种非破坏性的成象法,直接显示了热电子等离子体的空间分布,一次放电可成一帧清晰的象,且由此可得出二维的等发射强度线。大量结果表明电子环是非轴对称的,并非为一个整环,而是在微波注入口的对面有一个缺口。当微波功率改变时,环也在改变。 相似文献
982.
Least‐squares mixed finite element schemes are formulated to solve the evolutionary Navier‐Stokes equations and the convergence is analyzed. We recast the Navier‐Stokes equations as a first‐order system by introducing a vorticity flux variable, and show that a least‐squares principle based on L2 norms applied to this system yields optimal discretization error estimates. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. Numer Methods Partial Differential Eq 18: 441–453, 2002; Published online in Wiley InterScience (www.interscience.wiley.com). DOI 10.1002/num.10015 相似文献
983.
984.
We establish the Bäcklund transformation for the construction of time-like surfaces with positive Gaussian curvature and imaginary principal curvatures. The construction can be realized by algebraic algorithm via Darboux transformations. 相似文献
985.
采用强流金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注入机,先将Si大束流注入热氧化SiO2/单晶硅,直接形成镶嵌在SiO2中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达10^21cm^-3量级,大大地提高了作为孤立发光中心的Er^3 浓度。在77K和室温下,观察到了Er^3 的1.54цm特征发射。 相似文献
986.
987.
通过光学显微镜(OM)扫描电镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察了光记录有机薄膜的微区结构,从微区结构的形貌可以看出光记录后酞菁薄膜上产生了鼓泡,通过这些观察方法的比较发现扫描隧道显微镜可以提供更加详细,精确的三维参数,薄膜的微区结构研究对于分析光盘的性能,了解记录机理具有重要意义。 相似文献
988.
J.L. Liu Y. Lu Y. Shi S.L. Gu R.L. Jiang F. Wang Y.D. Zheng 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》1998,66(5):539-541
2 at 750 °C and 850 °C. The oxide and interface morphology are characterized by cross-sectional scanning electron microscope
images. It is found that the oxidized nanowire following oxidation at 750 °C still keeps its pentagon shape even if it has
been oxidized for 19 h. However, the oxidized samples at 850 °C become circular in shape. The oxidation-temperature dependence
of the sample shapes is discussed. Our results should be useful in generating silicon nanowires coated with SiO2 in microelectronic technology with careful selection of the SiO2 growth temperatures.
Received: 26 September 1997/Accepted: 8 December 1997 相似文献
989.
Yonggang Zhang Yi Gu Cheng Zhu Guoqiang Hao Aizhen Li Tiandong Liu 《Infrared Physics & Technology》2006,47(3):257-262
Using homo-junction structure and relative thin linear graded InxGa1−xAs as the buffer layer, extended wavelength InGaAs PIN photodetectors with cut-off wavelength of 2.2 and 2.5 μm at room temperature have been grown by using GSMBE, and their performance over a wide temperature range have been extensively investigated. For those 2.2 or 2.5 μm detectors with 100 μm diameter, the typical dark current (VR = 10 mV) and R0A are 57 nA/10.3 Ω cm2 or 67 nA/12.7 Ω cm2 at 290 K, and 84 pA/4.70 kΩ cm2 or 161 pA/3.12 kΩ cm2 at 210 K respectively. The thermal activation energies of the dark current are 0.447 eV or 0.404 eV for 2.2 or 2.5 μm detectors respectively. 相似文献
990.