首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   121篇
  免费   0篇
化学   39篇
晶体学   1篇
数学   29篇
物理学   52篇
  2020年   4篇
  2019年   4篇
  2018年   3篇
  2017年   2篇
  2014年   2篇
  2013年   5篇
  2012年   2篇
  2010年   2篇
  2008年   2篇
  2007年   3篇
  2006年   7篇
  2005年   3篇
  2004年   2篇
  2003年   2篇
  2002年   3篇
  2001年   1篇
  2000年   3篇
  1999年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1996年   2篇
  1995年   2篇
  1993年   1篇
  1992年   2篇
  1991年   1篇
  1987年   1篇
  1986年   2篇
  1985年   2篇
  1984年   1篇
  1983年   3篇
  1982年   1篇
  1981年   4篇
  1980年   2篇
  1979年   3篇
  1978年   4篇
  1977年   2篇
  1976年   2篇
  1975年   3篇
  1974年   1篇
  1973年   2篇
  1972年   4篇
  1971年   6篇
  1970年   1篇
  1969年   5篇
  1967年   1篇
  1966年   2篇
  1961年   1篇
  1959年   1篇
  1958年   3篇
  1957年   1篇
排序方式: 共有121条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
Let n be an integer, n ≥ 2, and let a field P be a quadratic extension of an infinite field k. Regarding P as a k-vector space of dimension 2, we consider an n-dimensional P-vector space V as a 2n-dimensional k-vector space so the general linear group GL n (P) acting on V is embedded in the group GL 2n (k). Let a field K be an algebraic extension of k. In this article, we determine overgroups of the special linear group SL n (P) in the group GL 2n (K).  相似文献   
73.
74.
Thin SnS films are of interest for optoelectronics. The influence of the preparation modes on the microstructure and electrical properties of thin SnS films obtained by the hot-wall method on substrates made of pure glass and glass with a molybdenum sublayer has been investigated. It has been established that the formation of SnS films with two texture types (111) and (010) is possible on the substrates made of pure glass, depending on the mode. The resistivity and the temperature coefficient of thermoelectric power of the SnS films on glass vary in the range from 12 to 817 Ω cm and from 37 to 597 μV/K, respectively, depending on the preparation modes. The activation energy is 0.11–0.12 eV.  相似文献   
75.
Results of investigations of the structure and some electrical properties (the electrical conductivity and the thermoelectromotive force) of strontium-substituted neodymium ferrimanganites are presented. The study is based on the band model of charge-carrier transfer.  相似文献   
76.
Subgroups of the general linear group over the skew field of quaternions are described which include the symplectic group over some subfield of this skew field.  相似文献   
77.
The influence of thermal treatment on the microstructure and electrical and optical properties of SnS films obtained by the “hot-wall” method has been investigated. It has been established that the thermal treatment does not lead to the formation of foreign phases in the film composition. The average film roughness after the thermal treatment increases from 10 to 20 nm. Resistivity after the thermal treatment decreases from 230 to 100 Ωcm (T = 300 K), while the temperature coefficient of thermopower increases from 40 to 330 μV K?1. The band gap is 1.46 eV. The adsorption edge is not displaced after the thermal treatment.  相似文献   
78.
79.
In this paper we construct a correspondence between a class of irreducible linear groups of finite degree over an associative division ring D and special Jordan rings which are defined by D. Received: 14 September 2005  相似文献   
80.
Quantization of a Lagrangian field system essentially depends on its degeneracy and implies its BRST extension defined by sets of non-trivial Noether and higher-stage Noether identities. However, one meets a problem how to select trivial and non-trivial higher-stage Noether identities. We show that, under certain conditions, one can associate to a degenerate Lagrangian L the KT-BRST complex of fields, antifields and ghosts whose boundary and coboundary operators provide all non-trivial Noether identities and gauge symmetries of L. In this case, L can be extended to a proper solution of the master equation.   相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号