全文获取类型
收费全文 | 5175篇 |
免费 | 971篇 |
国内免费 | 521篇 |
专业分类
化学 | 3516篇 |
晶体学 | 54篇 |
力学 | 218篇 |
综合类 | 70篇 |
数学 | 437篇 |
物理学 | 2372篇 |
出版年
2024年 | 19篇 |
2023年 | 109篇 |
2022年 | 168篇 |
2021年 | 185篇 |
2020年 | 176篇 |
2019年 | 182篇 |
2018年 | 181篇 |
2017年 | 138篇 |
2016年 | 249篇 |
2015年 | 255篇 |
2014年 | 257篇 |
2013年 | 343篇 |
2012年 | 488篇 |
2011年 | 554篇 |
2010年 | 326篇 |
2009年 | 327篇 |
2008年 | 350篇 |
2007年 | 292篇 |
2006年 | 262篇 |
2005年 | 210篇 |
2004年 | 184篇 |
2003年 | 125篇 |
2002年 | 147篇 |
2001年 | 111篇 |
2000年 | 121篇 |
1999年 | 111篇 |
1998年 | 98篇 |
1997年 | 108篇 |
1996年 | 88篇 |
1995年 | 84篇 |
1994年 | 63篇 |
1993年 | 73篇 |
1992年 | 44篇 |
1991年 | 63篇 |
1990年 | 44篇 |
1989年 | 35篇 |
1988年 | 15篇 |
1987年 | 14篇 |
1986年 | 18篇 |
1985年 | 15篇 |
1984年 | 11篇 |
1983年 | 11篇 |
1982年 | 8篇 |
1981年 | 2篇 |
1979年 | 2篇 |
1976年 | 1篇 |
排序方式: 共有6667条查询结果,搜索用时 31 毫秒
51.
52.
We present an efficient entanglement purification protocol (EPP) with controlled-not (CNOT) gates and linear optics. With the CNOT gates, our EPP can reach a higher fidelity than the conventional one. Moreover, it does not require the fidelity of the initial mixed state to satisfy F>1/2. If the initial state is not entangled, it still can be purified. With the linear optics, this protocol can get pure maximally entangled pairs with some probabilities. Meanwhile, it can be used to purify the entanglement between the atomic ensembles in distant locations. This protocol may be useful in long-distance quantum communication. 相似文献
53.
龚仁山 《南昌大学学报(理科版)》1987,11(3):1
本文构造了非紧致李群SU(1,1)的相干态,研究了相干态的一些特性,进而导出了SU(1,1)相干态之间的跃迁振幅(Feynman传播子)的路径积分表示。 相似文献
54.
采用溶胶-凝胶方法在Si(111)上制备了LSMO(x=0.17)薄膜.研究了块体材料和不同厚度薄膜R -T曲线、红外光谱和X射线衍射.结果表明,LSMO薄膜属于正交晶体结构,薄膜取向与膜厚度 有关,当膜厚度为450nm或680nm时,主要取向〈200〉,而膜厚度为900nm时取向为〈020〉 :根据离子对相互作用能和谐振子模型,得到了红外吸收与Mn—O—Mn键长和键角关系式,6 00cm-1附近红外吸收与晶格常数b的变化有关;块体与薄膜的金属—绝缘体转变 温度(TMI)存在较大差别,薄膜转变温度显著低于块体,并与厚度有一定关系. 认为是LSMO薄膜中的应力诱导了晶格常数变化,引起键角改变及JT效应是转变温度变化的主 要原因.
关键词:
单晶硅
晶格常数
金属—绝缘体转变温度
应力诱导 相似文献
55.
用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试GaAs外延层,其回摆曲线半峰宽是200孤秒,GaAs和AlGaAs外延层在77K温度下,PL谱半峰宽分别是17meV和24meV。 相似文献
56.
57.
58.
在求解扩散光学断层成像中的正向问题时, 目前普遍采用有限元法, 但是随着实际模型规模的增大, 有限元法的计算量问题日益显著, 而边界元法则由于可以降低计算维度使计算量减少而备受关注. 本文以均匀的高散射介质为模型, 研究了将快速多极边界元法用于扩散光学断层成像的正向问题. 快速多极边界元法利用核函数的多极展开, 将常规边界元法中系数矩阵和迭代矢量的乘积项等价为相应四叉树结构的一次递归, 再结合广义最小残量法进行迭代求解. 将计算结果和蒙特卡罗法的模拟结果进行了比较, 表明利用快速多极边界元法的模拟结果和蒙特卡罗法的结果有很好的一致性. 研究结果验证了快速多极边界元法可以用于扩散光学断层成像, 为其大规模和实时成像带来可观的前景.
关键词:
扩散光学断层成像
边界元法
快速多极边界元法 相似文献
59.
60.
对薄膜介质层绕式Blumlein线的特性参数进行了理论分析。采用Pspice软件对电路模型进行了计算,分析了开关电感、寄生电阻对负载输出波形的影响。结果表明:开关电感的存在使得负载波形前沿变缓,后延波形扭曲变差,寄生电阻会影响负载的电压输出效率。采用模拟软件对传输线中的电磁场分布进行了计算,结果表明薄电极边缘场畸变以及折叠弯曲部分的场变化是绝缘介质耐压必须考虑的因素。基于此理论分析,设计制作了一种新型薄膜介质Blumlein线,绝缘材料为聚酯薄膜,单层薄膜厚100μm,电极为厚50μm的铜皮,单元模块设计耐压50 kV。进行了三级模块串联叠加实验,充电25 kV,匹配负载输出60 kV,脉冲上升沿80 ns,脉冲宽度200 ns。 相似文献