首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1170篇
  免费   322篇
  国内免费   494篇
化学   921篇
晶体学   41篇
力学   87篇
综合类   74篇
数学   185篇
物理学   678篇
  2024年   4篇
  2023年   18篇
  2022年   51篇
  2021年   39篇
  2020年   41篇
  2019年   45篇
  2018年   30篇
  2017年   77篇
  2016年   48篇
  2015年   65篇
  2014年   72篇
  2013年   112篇
  2012年   85篇
  2011年   88篇
  2010年   103篇
  2009年   104篇
  2008年   124篇
  2007年   78篇
  2006年   122篇
  2005年   88篇
  2004年   72篇
  2003年   66篇
  2002年   51篇
  2001年   58篇
  2000年   71篇
  1999年   35篇
  1998年   20篇
  1997年   18篇
  1996年   19篇
  1995年   15篇
  1994年   22篇
  1993年   17篇
  1992年   21篇
  1991年   10篇
  1990年   15篇
  1989年   14篇
  1988年   9篇
  1987年   6篇
  1986年   5篇
  1985年   5篇
  1984年   3篇
  1983年   5篇
  1982年   4篇
  1981年   5篇
  1980年   6篇
  1979年   7篇
  1978年   3篇
  1971年   2篇
  1965年   3篇
  1936年   1篇
排序方式: 共有1986条查询结果,搜索用时 31 毫秒
111.
Zhi  Min  YAN  Jian  Qin  ZHUANG 《中国化学快报》2003,14(1):87-90
The elegant 2D multiquantum (MQ) MAS NMR has been applied to investigate the coordination of Al atoms in SAPO-34.The results show that the effects of the template and /or water on the coordination of Al atoms are significant,which lead to the formation of various Al species.Up to four kinds of Al species are distinctly resolved.  相似文献   
112.
苯丙苯基化β沸石催化剂上沉积物的组成和性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
 改性β沸石是高压液相苯-丙烯异丙基化合成异丙苯反应的优良催化剂,具有催化活性高和选择性高及稳定性好等优点,已成功进行了中试.用13CNMR,IR,GC-MS,TG等手段,并结合溶剂萃取法、TPO和结构分析等方法,确定了改性β沸石催化剂上沉积物的主要成分是多异丙基苯和四氢化萘,且主要分布在沸石孔道内;同时,快速升温后恒温烧炭的效果优于慢速升温后恒温烧炭的效果.  相似文献   
113.
应用AES,LEED,XPS和TDS研究了Rh(100)上Sm膜和Sm/Rh表面合金以及CO在这两类模型表面的吸附与反应.室温下Sm在Rh(100)上的生长遵从SK模式,Sm膜经900K高温退火后可形成有序表面合金.在室温制备的Sm膜/Rh(100)表面上,室温下CO在Sm上的吸附改变了表面结构,生成SmOx和表面碳.随着Sm覆盖度的增加,低温脱附峰(α-CO)面积迅速下降,且峰温向高温方向位移;表明Sm的空间位阻和电子效应同时起作用.在Sm/Rh合金表面上,CO在约590K出现新的脱附峰,可归属为受Sm电正性修饰的Rh原子上的CO脱附峰  相似文献   
114.
计算了几个常见一元弱酸HA和一元弱碱B-混合溶液的pH,并对其缓冲能力进行了分析。结果表明,HA-B-溶液在一定的浓度条件下,具有一定的缓冲能力。当酸电离常数之比KHA/KHB接近1时,HA-B-溶液中主要存在HA-A-和HB-B- 2个缓冲对。随着KHA/KHB逐渐增大,B-的浓度越来越小,当KHA/KHB大于1 000时,HA-B-溶液主要存在的是HA-A-缓冲对。  相似文献   
115.
建立了快速、准确同时测定蒙药巴特日中多种元素含量的方法。采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法同时测定了蒙药巴特中17种常量、微量及重金属元素的含量,进行了加标回收实验,结果表明,巴特日中Ca、P、K的含量较高,富含Fe和Mg等营养元素,Pb、Cd等重金属元素均低于国家标准。相对标准偏差(RSD)在0.36%~0.86%,加标回收率为95.8%~103%。测定的实验数据准确,可靠,可用于蒙药巴特日中多种元素的同时测定。  相似文献   
116.
用微波消解和灰化法对蒙成药壮西六味散进行预处理,并用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法同时测定了15种常量、微量及重金属元素的含量,进行了加标回收实验。结果显示,壮西六味散中Ca、P和K的含量较高,富含Mg、Na等营养元素,Pb、Cd等重金属含量均低于国家标准;灰化法和微波消解法两种预处理方法对测定结果基本一致。相对标准偏差(RSD)在1.6%-3.5%,加标回收率为95.5%-103%。方法简便准确、选择范围广、可高效快速准确测定壮西六味散中各元素含量。  相似文献   
117.
利用类石墨氮化碳(g-C_3N_4)和亚稳相钙钛氧化物(CaTi_2O_5)固相法制备C_3N_4/CaTi_2O_5复合材料。利用X射线衍射(XRD)、金相显微镜、扫描电子显微镜(SEM)及附带能谱分析仪(EDS)和N2吸附-脱附对样品的显微结构和比表面积进行检测分析,并用紫外-可见吸收光度计(UV-Vis)测试了样品的光吸收性能,研究C_3N_4与CaTi_2O_5物质的量之比(nC_3N_4/nCaTi_2O_5)对C_3N_4/CaTi_2O_5复合样品的物相结构和微观形貌的影响,同时考察C_3N_4/CaTi_2O_5复合样品在可见光照射下光催化降解罗丹明染料效果。实验结果表明:相比纯C_3N_4和CaTi_2O_5样品,C_3N_4/CaTi_2O_5复合样品在可见光下具有较高的光催化性能,随着nC_3N_4/nCaTi_2O_5增加,样品的光催化降解率随之增加而后降低,当nC_3N_4/nCaTi_2O_5=1∶1时,样品的光催化降解率达到最大值99.5%,并且循环重复利用5次后,样品的光催化剂降解率仍几乎保持不变。复合样品光催化性能提高主要归因于复合能级结构有效地抑制了电子和空穴复合所致。  相似文献   
118.
针对基于电磁微阀原理的非接触点样方式存在操作过程复杂、点样量偏大,以及压电喷墨原理的非接触点样方式存在点样针不易清洗、造价昂贵等不足,研制了一种基于压电振荡原理的新型非接触点样装置,实现了微量液体点样.在本装置中,毛细管点样针与压电驱动装置为两个独立单元,可以单独对毛细管点样针进行更换和清洗.采用激光拉制法制备的玻璃毛细管点样针具有内径可调、成本低等优点.此点样方式通过改变压电陶瓷的振幅和频率,可在10Symbolm@@_10~10Symbolm@@_9 L之间调控点样体积.以此为基础,结合三维精密位移控制技术,研制了一种基于压电振荡原理的微阵列生物芯片点样系统.对点样系统的点样体积、点样密度、点样精度等参数进行了测试,结果表明,此点样系统的最小点样体积可达320 pL,点样密度可达4000 点/cm2,并能够实现界面图案化制备.  相似文献   
119.
ZSM-5分子筛被广泛地应用于催化、吸附分离、离子交换和绿色化工等领域,但目前其合成主要是以无机化学品为硅铝源,从源头来看是非绿色化的过程.我们以热活化的硅藻土和亚熔盐活化的累托土为全部硅铝源,通过调变两种矿物的加入比例调变合成体系的硅铝比,在水热合成体系中制备ZSM-5分子筛.系统地考察模板剂用量、碱度、投料硅铝比、晶化时间等合成条件对产物结构和性质的影响,并对在最优条件下合成的ZSM-5分子筛的物化性质进行了详细地表征,结果表明:以天然矿物为全部硅铝源可以合成出具有较高结晶度、晶粒尺寸约为4 μm的六面体挛晶形貌的ZSM-5分子筛,该分子筛比商业ZSM-5分子筛具有更高的水热稳定性和更优的加氢异构性能.  相似文献   
120.
赵军  张行 《力学季刊》2001,22(3):352-358
对有限变形下线弹性Ⅰ型裂纹场建立了无需分区的统一控制方程并进行了渐近分析, 利用“打靶法”得到位移场在物质描述与空间描述下的渐近阶次分别为3/4和1,Green应变、第二类P-K应力及Cauchy应力在物质描述与空间描述下的渐近阶次分数为-1/2和-2/3;对不同泊松比,裂尖有限变形线弹性场的位移均以UⅡ或u2为主导,裂纹张开角为π,现时构形中的大变形区为一垂直初始构形中裂纹表面的狭长带状区,应力则处于由σ22主导的单向拉伸状态,角分布函数U^-Ⅱ(0)及σ22^-(0)具有奇异性,但UL^-‘(Θ)/UⅡ^-‘(0)及σij^-(θ)/σ22^-(0)均趋于有限值。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号