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维生素B12缺乏致神经损害临床分析 总被引:2,自引:0,他引:2
维生素B12缺乏多继发于胃肠道外科手术后、贫血及其它内科疾病,其引起的神经系统损害临床表现多样,主要为周围神经损害及亚急性联合变性。测定维生素B1:值、查肌电图等可明确诊断。补充维生素B12治疗有效。 相似文献
5.
An organic-inorganic compound [Cu(2,2'-bpy)2][{Cu(2,2'-bpy)2}2W12O4o(H2)]·4H2O (Mr = 4048.00) was prepared from the hydrothermal reaction of Na2WO4·2H2O, CuCl2·2H2O,2,2'-bipyridine (2,2'-bpy) and H2O at 160 ℃ for 4 days. The compound crystallizes in the monoclinic system, space group P21/n with a = 18.9196(8), b = 20.4212(8), c = 21.8129(9)(A), β=96.992(3)°, V= 8365.0(6) (A)3, Dc= 3.214 g/cm3, Z = 4,μ(MoKα) = 17.269 mm-1 and F(000) = 7324.Of the 119837 total reflections, 17315 were unique (Rint = 0.0489). The final R = 0.0385 and wR =0.0770 for 11142 observed reflections with I > 2σ(I). Single-crystal X-ray diffraction reveals that the structure is composed of [{Cu(2,2'-bpy)2}2W12O40(H2)]2- anions, discrete [Cu(2,2'-bpy)2]2 cations and lattice water molecules, and the anion is made up of a {W12O40(H2)}6- α-Keggin core decorated with two {Cu(2,2'-bpy)2}2 groups through bridging oxygen atoms. 相似文献
6.
本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰。 相似文献
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Based on the effective-field theory with self-spin correlations and the differential operator technique,physical properties of the spin-2 system with biaxial crystal field on the simple cubic, body-centered cubic, as well as faced-centered lattice have been studied. The influences of the external longitudinal magnetic field on the magnetization,internal energy, specific heat, and susceptibility have been discussed in detail. The phenomenon that the magnetization in the ground state shows quantum effects produced by the biaxial transverse crystal field has been found. 相似文献
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175Lu(n;2n)174m,gLu(n;2n)173Lu反应在高能中子通量监测中具有重要作用,其产物的放射性活度通常用HPGe探测器测量,这就需要174m,gLu和173Lu的半衰期和γ射线发射率等衰变数据必须准确无误。在主要的评价核数据库中,只有ENDF/B 7.1和JEFF 3.1.1数据库给出了173Lu和174Lu的半衰期和γ射线的发射几率等衰变数据,其中173Lu的射线发射几率ENDF/B 7.1库比JEFF 3.1.1库总体偏高,其他评价数据两个数据库非常一致。在中国原子能研究院的串列加速器上用20 MeV质子辐照金属Yb靶生产了含有173Lu,174m,gLu的放射性溶液,用激光共振电离质谱(LRIMS)和热表面电离质谱(TIMS)两种同位素稀释法测定了该溶液中173Lu和174m,gLu核素浓度,然后制备测量源在HPGe探测器上进行了近7年的跟踪测量,发现173Lu的半衰期为1.45 a,比目前评价的数据1.37 a高6.1%,636.1 keV射线发射几率的偏差最大,比ENDF/B 7.1的评价数据偏高7%。174gLu半衰期的测量结果3.37 a175Lu(n;2n)174m,gLu(n;2n)173Lu反应在高能中子通量监测中具有重要作用,其产物的放射性活度通常用HPGe探测器测量,这就需要174m,gLu和173Lu的半衰期和γ射线发射率等衰变数据必须准确无误。在主要的评价核数据库中,只有ENDF/B 7.1和JEFF 3.1.1数据库给出了173Lu和174Lu的半衰期和射线的发射几率等衰变数据,其中173Lu的射线发射几率ENDF/B 7.1库比JEFF 3.1.1库总体偏高,其他评价数据两个数据库非常一致。在中国原子能研究院的串列加速器上用20 MeV质子辐照金属Yb靶生产了含有173Lu,174m,gLu的放射性溶液,用激光共振电离质谱(LRIMS)和热表面电离质谱(TIMS)两种同位素稀释法测定了该溶液中173Lu和174m,gLu核素浓度,然后制备测量源在HPGe探测器上进行了近7年的跟踪测量,发现173Lu的半衰期为1.45 a,比目前评价的数据1.37 a高6.1%,636.1 keV γ射线发射几率的偏差最大,比ENDF/B 7.1的评价数据偏高7%。174gLu半衰期的测量结果3.37 a,比评价数据3.31 a高约1.8%,174gLu 76.5 keV和1 241.8 keV γ射线的发射几率比ENDF/B 7.1的评价数据分别低1.87%和12.8%。175Lu(n,2n)174m,gLu(n,2n)173Lu are important neutron reactions to monitor the high energy neutron fluxes and the residual nuclei, 174m,gLu and 173Lu, are usually measured by a HPGe spectrometer conveniently so that the decay data such as half lives and gamma-ray emission probabilities of 174m,gLu and 173Lu must be accurate. There are evaluated decay data only in ENDF/B 7.1 and JEFF 3.1.1 among the major evaluated nuclear data libraries, where the most data are almost same besides the gamma-ray emission probabilities of 173Lu are higher in ENDF/B 7.1 than that in JEFF 3.1.1. Yb metal as a target was irradiated by 20 MeV proton beams on a tandem accelerator in CIAE to produce 174m,gLu and 173Lu, and 176Lu isotopic dilution methods based upon a laser resonance ionization mass spectrometer (LRIMS) and a thermal surface ionization mass spectrometer (TIMS) were employed to determine the numbers of nuclides of 174Lu and 173Lu in a solution containing the irradiated target. Several radioactive sources made from the solution had been measured by a HPGe detector during the past 7 years and the peak intensities of the characteristic gamma-rays from 174gLu and 173Lu were analyzed to determine the half lives and gamma-ray emission probabilities. According to the measurements, the half life of 173Lu is 1.45 a, which is about 6.1% longer than the evaluated 1.37 a, and the gamma-ray emission probabilities of 173Lu is also different from the evaluated data, especially the emission probability of 636.1 keV gamma-ray of 173Lu is 7% higher than the value in ENDF/B 7.1. The half life of 174gLu is 3.37 a, about 1.8% longer than the evaluated 3.31 a, and the emission probabilities of 76.5 keV and 1 241.8 keV gamma-rays of 174Lu are 1.87% and 12.8% lower than the evaluated data in ENDF/B 7.1, respectively. 相似文献