X射线形貌法观察空间电荷缀饰的α—LiIO3单晶的缺陷

实验观察到:α-LiIO₃单晶在c向静电场作用下,与c轴平行的观察面上X射线衍射形貌图有明显的变化。去掉电场,形貌图又复原。此种变化和复原都有个弛豫过程。形貌图形的变化与外电压的极性和大小有关,而基本上与辐射波长无关。静电场下,形貌图上显现的是空间电荷缀饰的晶体的宏观缺陷。即加静电场后,空间电荷在缺陷周围富集,增大了缺陷处的晶格畸变,使原来观察不到的缺陷显示了出来。 关键词：     

a-Si:H和a-SiNx:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合

应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载流子的非辐射复合。 关键词：     

单晶硅中杂质氢导致的局域模的红外吸收

本文提出在氢气氛中生长的单晶硅中,氢原子能够以四种组态存在:它们分别为一,二,三,四个氢原子取代一个硅原子,每个氢原子偏离阵点位置与最近邻的一个硅原子成键,应用准分子模型和群论分析方法对上述四种组态计算了其红外活性局域模频率,与红外吸收实验相符,确定了各红外吸收线所对应局域模的振动模式。     

超手征模型中无穷多守恒流的Noether分析与Kac-Moody代数结构

从超手征模型的超场形式出发,讨论了其拉氏形式的H^-变换性质。阐明了该变换与Bcklund变换、无穷多守恒流以及Kac-Moody代数结构的密切联系。     

SU(2)规范理论与N个磁单极运动体系的电动力学

本文扼要地阐明了关于规范势B_μ可分解和具有内部结构的基本观点,指出B_μ可分解为b_μ和Γ_μ两部分,b_μ满足伴随交换,它对应于某种具有质量的矢量粒子,Γ_μ满足规范势的变换,它可由更基本的场组成,在SU(2)规范理论中,这种基本场是Higgs场φ(x),由此导出了N个磁单极运动体系存在时的电动力学的基本方程,由于这一理论自身包含了磁单极的拓朴守恒流,由此给出磁荷量子化条件,并证明了φ(x)的零点的世界线对应磁单极的运动轨迹,磁单极的电动力学由φ(x)零点的电动力学描述,文中还得到了对应于N个磁单极运动体系的SU(2)规范场方程的无源解,并将吴-杨势推广到N个磁单极的运动体系。     

Neumann-Bessel级数的线性求和及其收敛性

研究了Neumann-Bessel级数部分和的收敛性及其逼近性质.为进一步改进其收敛性和逼近性质,首先从Neumann-Bessel级数部分和出发,构造了一类新的积分算子Hn(f,z)=1/8πi∮Γ(f(ζih)+2f(ζ)+f(ζe-ih))kn(z,ζ)dζ,其中h=π/(n+1),并证明了:若f(z)在Γ上连续,则Hn(f,z)-f(z)=o(ω(f,1/n)),z∈Γ,其中"0"与n无关,ω(f,δ)为f(z)在Γ上的连续模.进而得出Hn(f;z)在单位圆周Γ(|z|=1)上一致地收敛到每个连续的f(z)且其逼近性质优于Fejer和σn(f,z).     

楔形薄膜逾渗系统的临界特性

报道一种楔形金属薄膜逾渗系统的制备方法和测量结果,这种新型逾渗系统具有独特的非线性I-V特性和临界规律,从实验中发现:在这一各向异性系统中,普适标度关系仍然成立,分析表明:这些特性是由于该系统中随空间坐标而变化的跳跃电导效应而引起的. 关键词：     

快速无参数背景建模的红外目标检测方法研究

针对复杂背景红外图像序列目标检测的难题,给出了一种用于红外监控系统中入侵目标检测的背景建模方法。应用特征样本集为每一个像素建立统计无参数样本集模型,根据核函数估计计算每一个像素值对模型的符合概率。使用双阈值进行目标检测和模型更新,将图像分为三类:可靠背景、感兴趣区域和不可靠背景。通过不可靠背景类提供的信息进一步将感兴趣区域细分为入侵目标和错误检测。对几种红外图像序列仿真实验表明,该算法不仅可以比较精确的检测显著入侵目标,对于容易淹没在噪声中的弱小入侵目标也可以实现准确地检测。     

〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究

根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用电光取样原理,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能,通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.     

分子印迹材料选择性截留卷烟烟气中芳胺的研究

采用分子印迹技术合成了一种对1-萘胺有高度选择性的分子印迹聚合物材料。应用固相萃取吸附试验研究了该聚合物对1-萘胺及其结构类似物的选择特性,表明印迹聚合物材料对4种芳胺类物质表现出良好的选择性结合能力。将所制备的印迹聚合物按不同剂量添加到卷烟嘴棒中,考察其对卷烟烟气中芳胺的截留效果。结果显示,该分子印迹材料能选择性截留卷烟烟气中的1-萘胺、2-萘胺、3-氨基联苯和4-氨基联苯等烟气有害成分;当印迹聚合物添加量为50mg时,卷烟烟气中芳胺的降低率达到30%。