首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1081篇
  免费   26篇
  国内免费   4篇
化学   619篇
晶体学   26篇
力学   25篇
数学   94篇
物理学   347篇
  2023年   10篇
  2022年   19篇
  2021年   23篇
  2020年   34篇
  2019年   39篇
  2018年   26篇
  2017年   36篇
  2016年   48篇
  2015年   23篇
  2014年   34篇
  2013年   65篇
  2012年   68篇
  2011年   87篇
  2010年   48篇
  2009年   42篇
  2008年   32篇
  2007年   41篇
  2006年   36篇
  2005年   48篇
  2004年   33篇
  2003年   20篇
  2002年   19篇
  2001年   14篇
  2000年   11篇
  1999年   7篇
  1997年   7篇
  1996年   22篇
  1995年   19篇
  1994年   16篇
  1993年   11篇
  1992年   13篇
  1991年   8篇
  1990年   5篇
  1989年   6篇
  1988年   7篇
  1987年   5篇
  1986年   12篇
  1984年   9篇
  1983年   5篇
  1982年   10篇
  1981年   5篇
  1980年   8篇
  1979年   7篇
  1978年   8篇
  1977年   5篇
  1976年   5篇
  1970年   5篇
  1969年   4篇
  1968年   4篇
  1967年   7篇
排序方式: 共有1111条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
We present a study of the decay B0(s) --> J/psiphi. We obtain the CP-odd fraction in the final state at time zero, Rperpendicular = 0.16 +/- 0.10(stat) +/- 0.02 (syst), the average lifetime of the (B0(s), B0(s)) system, tau(B0(s)) = 1.39(+0.13)(-0.16)(stat)(+0.01)(-0.02)(syst) ps, and the relative width difference between the heavy and light mass eigenstates, DeltaGamma/Gamma tripple bond (GammaL - GammaH)/Gamma = 0.24(+0.28)(-0.38)(stat)(+0.03)(-0.04)(syst). With the additional constraint from the world average of the lifetime measurements using semileptonic decays, we find tau(B0(s)) = 1.39 +/- 0.06 ps and DeltaGamma/Gamma = 0.25(+0.14)(-0.15). For the ratio of the B0(s) and B0 lifetimes we obtain tau(B0(s))/tau(B0) = 0.91 +/- 0.09(stat) +/- 0.003(syst).  相似文献   
102.
A search for associated production of charginos and neutralinos is performed using data recorded with the D0 detector at a pp center-of-mass energy of 1.96 TeV at the Fermilab Tevatron Collider. This analysis considers final states with missing transverse energy and three charged leptons, of which at least two are electrons or muons. No evidence for supersymmetry is found in a data set corresponding to an integrated luminosity of 320 pb-1. Limits on the product of the production cross section and leptonic branching fraction are set. For the minimal supergravity model, a chargino lower mass limit of 117 GeV at the 95% C.L. is derived in regions of parameter space with enhanced leptonic branching fractions.  相似文献   
103.
We present measurements of the Lambda(0)(b) lifetime in the exclusive decay channel Lambda(0)(b)--> J/psiLambda(0), with J/psi--> mu(+)mu(-) and Lambda(0)--> ppi(-), the B0 lifetime in the decay B0-->J/psiK(0)(S) with J/psi--> mu(+)mu(-) and K(0)(S)-->pi(+)pi(-), and the ratio of these lifetimes. The analysis is based on approximately 250 pb(-1) of data recorded with the D0 detector in pp collisions at sqrt[s] = 1.96 TeV. The Lambda(0)(b) lifetime is determined to be tau(Lambda(0)(b)) = 1.22(+0.22)(-0.18)(stat) +/- 0.04(syst) ps, the B0 lifetime tau(B0) = 1.40(+0.11)(-0.10)(stat) +/- 0.03(syst) ps, and the ratio tau(Lambda(0)(b))/tau(B0) = 0.87(+0.17)(-0.14)(stat) +/- 0.03(syst). In contrast with previous measurements using semileptonic decays, this is the first determination of the Lambda(0)(b) lifetime based on a fully reconstructed decay channel.  相似文献   
104.
We present a measurement of the W boson mass using data corresponding to 4.3 fb(-1) of integrated luminosity collected with the D0 detector during Run II at the Fermilab Tevatron pp collider. With a sample of 1,677,394 W → eν candidate events, we measure M(W) = 80.367 ± 0.026 GeV. This result is combined with an earlier D0 result determined using an independent Run II data sample, corresponding to 1 fb(-1) of integrated luminosity, to yield M(W) = 80.375 ± 0.023 GeV.  相似文献   
105.
InN layers were directly grown on Ge substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). The valence band offset (VBO) of wurtzite InN/Ge heterojunction is determined by X-ray photoemission spectroscopy (XPS). The valence band of Ge is found to be 0.18 ± 0.04 eV above that of InN and a type-II heterojunction with a conduction band offset (CBO) of ~ 0.16 eV is found. The accurate determination of the VBO and CBO is important for the design of InN/Ge based electronic devices.  相似文献   
106.
107.
108.
109.
110.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号