首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1160篇
  免费   238篇
  国内免费   565篇
化学   901篇
晶体学   58篇
力学   78篇
综合类   20篇
数学   157篇
物理学   749篇
  2024年   7篇
  2023年   19篇
  2022年   46篇
  2021年   47篇
  2020年   45篇
  2019年   37篇
  2018年   34篇
  2017年   62篇
  2016年   42篇
  2015年   86篇
  2014年   98篇
  2013年   112篇
  2012年   91篇
  2011年   102篇
  2010年   98篇
  2009年   121篇
  2008年   134篇
  2007年   114篇
  2006年   94篇
  2005年   114篇
  2004年   81篇
  2003年   57篇
  2002年   37篇
  2001年   45篇
  2000年   40篇
  1999年   31篇
  1998年   17篇
  1997年   14篇
  1996年   9篇
  1995年   7篇
  1994年   19篇
  1993年   18篇
  1992年   19篇
  1991年   14篇
  1990年   8篇
  1989年   5篇
  1988年   3篇
  1987年   5篇
  1986年   4篇
  1985年   2篇
  1983年   5篇
  1982年   4篇
  1981年   4篇
  1979年   4篇
  1978年   3篇
  1977年   1篇
  1976年   1篇
  1964年   2篇
  1962年   1篇
排序方式: 共有1963条查询结果,搜索用时 0 毫秒
91.
顶空-气相色谱法进展   总被引:17,自引:0,他引:17  
回顾了顶空采样气相色谱分析法在复杂基质中挥发性成分中的应用.总结并详述了顶空分析的三种重要模式-介绍了顶空分析的相关原理和整个顶空分析系统的参数优化过程.综述了顶空.气相色谱分析在生物样本中挥发性有机物的测定、药品中有机残留溶剂的检测、聚合材料中挥发性有机物的分析、环境中有害的有机挥发性物质分析、挥发油分析和烟草分析等方面的进展.  相似文献   
92.
王昊阳  郭寅龙  张亮  安登魁 《有机化学》2002,22(12):974-980
总结了近年来应用质谱方法研究气相SN2离子-分子反应的进展,主要包括气 相SN2离子-分子反应的机理,动力学和热力学的各种因素。与凝固相中反应对比 ,阐明了影响反应机理、方向与程度的决定性因素,及溶剂化效应对凝聚相中反应 的影响方式。还介绍了一些气相中特有的SN2离子-分子反应和研究气相反应特殊 的质谱学研究方法与技术。  相似文献   
93.
采用折射率法在较宽温度范围内研究了溴化钠、3-甲基吡啶和水的临界质量分数分别为0.240、0.192和0.568体系的临界性质, 发现在近临界点临界指数为0.365, 与Fishe重整化值一致. 有效临界指数随着温度逐渐远离临界点, 从0.365下降到0.20左右, 但当排除了“正规项”的影响后, 展现出向平均场理论值0.5单调跨接的行为.  相似文献   
94.
均匀沉淀和碳吸附耦合法制备CeO2纳米粒子及表征   总被引:2,自引:0,他引:2  
均匀沉淀和碳吸附耦合法制备CeO2纳米粒子及表征;均匀沉淀;碳吸附;纳米;CeO2  相似文献   
95.
基于联萘衍生物手性构型高度稳定以及联萘结构中2个萘平面的两面角可以在一定范围内张合的特点, 分别以光学活性的(R)和(S)-2,2'-二乙炔基-1,1'-联萘为模板, 设计了一种含有8个“铰链”结构单元的新的环芳分子¾—(R,R,R,R,R,R,R,R)-3和(S,S,S,S,S,S,S,S)-3. 其合成路线涉及间苯基连接桥的链接, 保护基的脱去和控制导入以及分子间偶合等步骤. 用MS, IR, UV-Vis, 1H和13C NMR以及元素分析等技术对中间体和目标化合物进行了结构表征. 测定并比较了2个目标化合物的比旋光度[α]D和圆二色(CD)性质. 在CH2Cl2溶液中, 两个异构体(R,R,R,R,R,R,R,R)-3和(S,S,S,S,S,S,S,S)-3的[α]D25值分别为-911.8和+908.6, 并且它们的CD谱表现出对称的镜像特征.这些实验结果清楚地反映了它们之间的对映异构关系.  相似文献   
96.
茵陈、白术挥发油-β-环糊精包合物的制备工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以挥发油的包合率和包合物收率为指标,考察制备茵陈、白术挥发油-β-环糊精(β-cyclodextrin,简称β-CD)包合物的饱和溶液法、研磨法、超声法,并采用正交设计优化研磨包合工艺,筛选出其最佳条件为:挥发油与β-CDA的投料比为1∶4,β-CD与加水量的比为1∶15倍,研磨时间40 min.该条件下的包合率为85.4%,包合物收得率为93.5%.结果表明,研磨法包合茵陈、白术挥发油的包合率和收得率较高,包合物性质稳定,而且包合前后挥发油成分一致.  相似文献   
97.
超大硅胺基取代的低价锗化合物可以构建新颖的化学结构,提供有学术价值的新发现。二配位的超大硅胺基氯锗宾Ge(N(SiiPr3)2)Cl (1)具有空的4p轨道和孤电子对。针对这2个特点,研究了化合物1的热构型转换和菲醌氧化加成反应。1的温热分解生成了立方四锗卡宾 Ge4(NSiiPr3)4 (2),与菲醌(L)定量氧化加成生成了胺基一氯菲二酚合锗(Ⅳ):[Ge(N(SiiPr3)2)(L)Cl] (3)。表征了2个产物的单晶结构与组成。四锗卡宾2本质上是锗异腈的四聚体,分子呈现出畸变的立方体构型,4个Ge原子和4个N原子构成了中心立方体的 8个顶点。其中 Ge—N键长为 0.203 6(3) nm,N—Ge—N与 Ge—N—Ge的键角分别为 85.51(18)°和94.32(16)°,立方体的侧面接近平行四边形。理论计算首次揭示了四锗卡宾2的成键面貌。自然键轨道(NBO)给出Ge4N4骨架上的20个分子轨道。轨道定域化的计算结果完好地呈现出4对Ge孤对电子、12个Ge—N键和4个Si—N键的定域轨道,能量分别为-12.22、-15.12 和-20.12 eV。Ge 孤对电子主要保留了 4s 电子的特性,而 Ge—N 键主要由 N 的 2s 轨道(18.4%)和 2p 轨道(71.3%)、Ge的4s轨道(0.75%)和4p轨道(9.43%)综合贡献形成。在化合物3的分子中,Ge采取sp3杂化,由于空间位阻与非对称配位,与另外4个配位原子形成非对称四面体构型。  相似文献   
98.
高效液相色谱-串联质谱联用测定脂肪中乙酰孕激素残留   总被引:6,自引:0,他引:6  
建立了脂肪中5种乙酰孕激素,包括醋酸甲羟孕酮(MPA)、醋酸氯地孕酮(CMA)、醋酸甲地孕酮(MEGA)、甲烯雌醇醋酸酯(MLA)及17α-羟基孕酮醋酸酯(HPA)的液相色谱-串联质谱(LC-MS/MS)检测方法。考察了脂肪样品溶剂提取、固相萃取净化对样品分析的影响,确定样品各前处理过程的条件。采用电喷雾(ESI)阳离子,在选择反应监测模式(SRM)下,本方法对5种乙酰孕激素的检出限为0.2~0.3μg/kg,定量限为0.5μg/kg。在空白猪脂肪样品中以0.5、1.0和5.0μg/kg3个水平添加时,5种乙酰孕激素的回收率范围在60.5%~84.1%,RSD为8.9%~16.8%。  相似文献   
99.
离子液体中钴的电沉积行为   总被引:3,自引:0,他引:3  
在含有氯化钴的室温离子液体氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC)和乙二醇(EG)体系中研究了金属钴的电沉积. 循环伏安法测试表明, 在EMIC-CoCl2熔盐中, 乙二醇的加入促进了EMIC的解离, 从而使氧化还原电流增大, 在EMIC-CoCl2-EG体系中钴的电沉积是受扩散控制的非可逆电极过程, 在该电解液体系中, Co(II)在Pt电极上的传递系数α为0.30, 扩散系数D0为4.16×10-6 cm·s-1; 计时电流法研究表明, 钴在铂电极上的电结晶过程符合三维连续成核的生长机理; 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)观察镀层的微观形貌显示, 金属钴的结晶细小. XRD分析证实, 镀层为纯钴, 沉积的钴是晶态和微晶态的混合物, 并且晶粒尺寸为纳米级.  相似文献   
100.
采用连续共沉淀与喷雾干燥成型技术相结合的方法制备了系列微球状Fe/Mn/K催化剂,结合H2 DTG、CO TPR、Mossbauer谱等表征手段,研究了Mn助剂的加入方式对铁基催化剂物相结构、还原和碳化行为以及F-T合成性能的影响。催化剂在浆态床反应器中以接近F-T合成实际工况条件 (250℃、1.5MPa、H2/CO=0.67和2.0L /(gcat·h)) 进行评价。结果表明,以共沉淀方式加入Mn助剂具有较强的Fe Mn相互作用,从而抑制了催化剂的还原和碳化,降低了催化剂的活性,提高了催化剂的稳定性。而以部分共沉淀和黏结剂方式加入Mn助剂促进了催化剂的还原和碳化,提高了反应活性加速了催化剂的失活。与共沉淀Mn相比,部分共沉淀和黏结剂Mn提高了重质烃和烯烃的选择性,同时抑制了有机含氧化合物的生成。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号