疏水化水溶性两性纤维素接枝共聚物与粘土的相互作用

运用紫外光谱法研究了疏水化水溶性两性纤维素接枝共聚物(羧甲基纤维素接枝丙烯酰胺及N,N 二甲基辛基(2 甲基丙烯酰氧乙基)溴化铵的共聚物, CGAO)在粘土上的吸附,考察了聚合物浓度、无机盐浓度、温度、 pH、 表面活性剂和粘土浓度等因素对CGAO在粘土上吸附量的影响,以及通过X射线衍射分析了CGAO在粘土上的吸附位置.结果表明， CGAO在粘土上的吸附规律与一般聚合物有很大差别,而且CGAO未深入到粘土晶层间,只在其表面吸附. 粘土与CGAO作用前后的粒度分析表明CGAO对粘土粒子有很好的桥接聚集作用. 扫描电镜分析显示粘土与CGAO作用后,其颗粒形态发生了显著变化.     

5‘—硝基水杨基荧光酮双波长标准加入分光光度法同时测定？…

在０．３－０．９ｍｏｌ／Ｌ硫酸介质中，在溴化十六烷基三甲铵存在下，５’－硝基水杨基荧光酮与锗和钼形成最大吸收波长分别为５１３和５３３ｎｍ的红色配合物，其吸收光谱严重重叠。基于此，本文采用双波长标准加入法对该混合物的显色体系进行了研究，建立了同时分光光度测定锗和钼的新方法，并与等吸收双波长法作了比较。     

我国第一台太赫兹光源出光

经过长达8年坚持不懈的努力，中国工程物理研究院基于射频直线加速器技术的远红外自由电子激光（FIR-FEL）实验取得突破性进展，于2005年3月24日晚8时30分首次出光，并多次重复．中心波长115μm，谱宽1％．这标志着我国第一个可调谐相干太赫兹（THz）光源建成出光，填补了国内空白，是我国新型激光技术领域一个具有里程碑意义的重要成果．     

自由电子激光对微波源稳定性的要求

 由自由电子激光物理出发，讨论自由电子激光对射频直线加速器微波功率源稳定性的要求，并据此得出国内目前已在运行的两台自由电子激光装置实现稳定运行微波功率源稳定性需达到的指标。     

光阴极注入器超导加速腔集成实验研究

 光阴极超导加速器实验系统由四倍频Nd：YAG锁模激光器、Cs₂Te光阴极、2+1/2微波电子枪、L波段3.5MW脉冲微波源,1.3GHz单腔超导铌腔,500W连续微波源,超导腔束管耦合器,4.2K低温恒温容器,液氦制冷系统,同步控制系统,束流参数诊断,真空系统等构成。2001年6月在中物院进行了光阴极超导加速器原理性实验,测得超导加速段能量增益0.58MeV,微脉冲束流强度0.1A,取得了预期的实验结果。     

Fabricating GeO2passivation layer by N2O plasma oxidation for Ge NMOSFETs application

In this paper, oxidation of Ge surface by N2O plasma is presented and experimentally demonstrated. Results show that1.0-nm GeO2is achieved after 120-s N2O plasma oxidation at 300?C. The GeO2/Ge interface is atomically smooth. The interface state density of Ge surface after N2O plasma passivation is about ～ 3 × 1011cm-2·eV-1. With GeO2passivation,the hysteresis of metal–oxide–semiconductor(MOS) capacitor with Al2O3serving as gate dielectric is reduced to ～ 50 mV,compared with ～ 130 mV of the untreated one. The Fermi-level at GeO2/Ge interface is unpinned, and the surface potential is effectively modulated by the gate voltage.     

Low-leakage-current AIGaN/GaN HEMTs on Si substrates with partially Mg-doped GaN buffer layer by metal organic chemical vapor deposition

High-performance low-leakage-current A1GaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） on silicon （111） sub- strates grown by metal organic chemical vapor deposition （MOCVD） with a novel partially Magnesium （Mg）-doped GaN buffer scheme have been fabricated successfully. The growth and DC results were compared between Mg-doped GaN buffer layer and a unintentionally onμe. A 1μ m gate-length transistor with Mg-doped buffer layer exhibited an OFF-state drain leakage current of 8.3 × 10-8 A/mm, to our best knowledge, which is the lowest value reported for MOCVD-grown A1GaN/GaN HEMTs on Si featuring the same dimension and structure. The RF characteristics of 0.25-μ m gate length T-shaped gate HEMTs were also investigated.     

基于LXI的机载制导弹药并行测试方法研究

针对目前弹药测试保障系统测试资源利用率低,测试保障效率无法满足现代化战争需求的的问题,提出一种基于LXI总线的弹药并行测试系统设计思路。该系统应用LXI总线测试系统的分布式测试,集中调度管理的特点;将测试任务分散化,测试能力本地化处理实现了弹药并行测试,有效解决了测试资源闲置以及测试系统保障效率低下的问题。通过并行测试系统设计思路、方案以及关键技术分析为弹药并行测试系统设计提供一种参考思路。     

通用测试设备验证评估系统设计

部队现有通用测试设备均按照相关标准研制设计,贯标的程度对检测结果产生很大影响,为验证通用测试设备执行标准的规范程度,设计了一套验证评估系统,该评估系统具备体积小、资源广、易操作等特点,可以从仪器级、系统级、软件级三个层次对通用测试设备进行评估验证。应用结果表明,该评估系统很好的对测试设备的贯标程度进行了量化评价,在部队测试设备的标准化程度检验上具有一定的实用性和推广性。     

用于频域方法测量超短电子束纵向分布的Kramers-Kronig变换研究

Kramers-Kronig（K-K）变换方法被广泛地应用于频域测量中还原超短电子束团分布,成为分析电子束团形状、长度等参量的有效工具.研究发现,利用该方法分析电子束参量时,自相干曲线基底的选择、低频损耗与高频截止及插值外推位置的选择,对束团参量有重要的影响.以清华大学加速器实验平台采用相干渡越辐射测试束团长度为例,分析了上述参量的选取对测量结果的影响,讨论了选择K-K变换的关键物理参量的方法.