带电导体表面任一面元处的场强

有一带电导体,设其面元处电荷面密度为σ,则它所在处的场强为 E1= 而不是 .有的人在计算导体表面面元受力的问题时,把答案写 错误就出在将 中的E1误认为等于 了.为什么 所在处的场强为 呢?关键是在求场强时应该将 本身除去,而计算其它电荷在该面无处所产生的场强.见图,用E S表示带电面元△S所产生的场强.在它的附近,可将它视为无限大带电面,其场强垂直表面,大小为 .在导体外,极靠近导体表面附近,有E=E1 (n为导体表面法线方向的单位矢).由此即可得出 ,方向垂直导体表面向外.在导体内部,E1与E△S的合场强为零,由此亦可得出E1 方向与 相…     

隔声室的低频特性及实例验证

在分析隔板的低频隔声特性的基础上，本文通过两实例的分析比较，指出低频隔声遵从劲度定律，以及提高隔板劲度的有效方法.同时，还对影响隔声室低频隔声里的其它因素作了一些讨论.     

多维系统的平均第一通过时间

本文通过累积方法,讨论了在O-U噪声驱动下的多维系统的平均第一通过时间(MFPT)问题;在小关联时间近似下,论证了MFPT方程的封闭性问题,并导出了近似的MFPT方程。应用到二维系统,得到MFPT的显式和一些有意义的结论。     

Time-Resolved Photoluminescence Studies of Indium-Rich InGaN Alloys

Time-resolved photoluminescence (PL) spectroscopy has be used to investigate indium-rich InGaN Mloys grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition. Photoluminescence measurement indicates two dominant emission lines originating from phase-separated high- and low-indium-content regions. Temperature and excitation intensity dependence of the two main emission lines in these InGaN alloys have been measured.Temperature and energy dependence of PL decay lifetime show clearly different decay behaviour for the two main lines. Our results show that photo-excited carriers are deeply localized in the high indium regions while photo-excited carriers can be transferred within the low-indium-content regions as well as to high-content regions.     

重离子的束内散射

本文在Bjorken和Mtingwa束内散射理论的基础上进一步推导出了束内散射率的普遍表达式,并将该表达式应用于HIRFL—CSR的磁铁结构(lattice),计算并得到了束流横向发射度和纵向动量散度随时间变化的规律,结果表明,束内散射不会成为CSRlattice设计的障碍.     

电子冷却装置阴极激活及阴极表面温度计算

 电子冷却在重离子加速器冷却储存环中用于束流冷却和累积。实验发现,电子冷却装置电子枪高压绝缘陶瓷的绝缘电阻值下降影响到电子冷却装置的正常运行。介绍了电子冷却装置的阴极更换、真空烘烤、阴极碱土金属碳酸盐的分解和阴极激活过程;在60 W的加热功率下,得到了10.6 μA／V_１.5的导流系数;用灰体辐射计算的典型工作状态下电子枪氧化物阴极发射面的温度为1108 K,与实际测量的1078 K相近;阴极首次激活不完全是电子枪使用中导流系数的增长原因。     

5-(4-叔丁氧基羰基哌嗪基)苯并呋喃-2-甲酸乙酯的合成

5-溴苯并呋喃-2-甲酸乙酯与4-叔丁氧基羰基哌嗪进行Buchwald-Hartwig偶联反应,若催化剂是Pd(OAc)2/BINAP,碱是Cs2CO3,则产物主要是5-(4-叔丁氧基羰基哌嗪基)苯并呋喃-2-甲酸乙酯,转化率达70%;若催化剂是Pd(dba)2/P(t-Bu)3,碱是叔丁醇钾,则产物中几乎没有5-(4-叔丁氧基羰基哌嗪基)苯并呋喃-2-甲酸乙酯.文中讨论了影响这个Buchwald-Hartwig偶联反应的因素.     

泰克频谱仪IQT文件的后台处理及在电子冷却实验中的应用

泰克实时频谱仪存储的IQT格式数据文件的特殊结构给后期实验数据处理带来不便。分析了IQT文件的存储结构,说明了泰克实时频谱仪的IQT格式数据文件的后台处理过程,通过数学方法提高了文件中频变弱信号的强度;通过对频谱仪实验数据进行数学处理,得到了兰州重离子加速器冷却储存环36Ar18+离子束的纵向电子冷却力大小随离子-电子相对速度的变化曲线。该处理方法弥补了频谱仪离线分析软件的局限性。     

H2D+与固体的相互作用及H2D+的结构测量

报道了分子离子H₂D⁺与超薄固体膜相互作用的实验研究.阐述了H₂D⁺对天体物理等领域的重要性,简述了近几年针对H₂D⁺的研究,分析了在实验室条件下H₂D⁺的形成机理,给出了其与固体膜相互作用产生库仑爆炸的能谱.进行了辅助实验,使D₂⁺与相同固体膜发生作用,并利用这个结果和其他分析与处理方法,将H₂D⁺的D⁺能谱中D₂⁺计数部分做了去除.实验再次证实了分子离子与固体相互作用时尾流效应的存在,采用三体尾流效应对比的方法最终确定了H₂D⁺结构形状和键长.对H₂D⁺库仑爆炸后的较重离子尾流谱形状的反常现象做了讨论和分析.     

HIRFL-CSR commissioning in 2006 and 2007

HIRFL-CSR, a new heavy ion cooler-storage-ring system at IMP, had been in commissioning since the beginning of 2006. In the two years of 2006 and 2007 the CSR commissioning was finished, including the stripping injection (STI), electron-cooling with hollow electron beam, C-beam stacking with the combination of STI and e-cooling, the wide energy-range synchrotron ramping from 7 MeV/u to 1000 MeV/u by changing the RF harmonic-number at mid-energy, the multiple multi-turn injection (MMI), the beam accumulation with MMI and e-cooling for heavy-ion beams of Ar, Kr and Xe, the fast extraction from CSRm and single-turn injection to CSRe, beam stacking in CSRe and the RIBs mass-spectrometer test with the isochronous mode in CSRe by using the time-of-flight method.