Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.     

仲膦与直链单烯烃加成反应的原位^31PNMR谱研究

仲膦与直链单烯烃加成反应的原位~（３１）ＰＮＭＲ谱研究夏春谷，宋焕玲，李达刚（中国科学院兰州化学物理研究所，羰基合成与选择氧化国家重点实验室，兰州７３００００）三价有机磷化合物（叔鳞ＰＲ３）具有较强的配位能力，可与过渡金属元素配位形成磷配位的配合物，...     

N-(取代)对三氟甲基苯基-1,3,5-三取代吡唑-4-酰胺衍生物的合成与生物活性

设计合成10个未见文献报道的N-对三氟甲基苯基-1,3,5-三取代吡唑-4-酰胺类化合物, 其结构经元素分析, ¹H NMR, IR 确证. 初步生物活性测试结果表明, 部分化合物对水稻纹枯病、小麦赤霉病、辣椒枯萎病和马铃薯晚疫病有一定的杀菌活性.     

海螵蛸入药部分和废弃部分8种无机元素分析

为合理开发利用海螵蛸 ,用原子吸收分光光度法测定了海螵蛸中入药部分和废弃部分中8种人体必需无机元素含量。结果表明 ,入药部分和废弃部分中钙含量丰富 ,分别达到 742 1 3× 1 0 - 3和 65 9 76× 1 0 - 3。入药部分铜、铁含量较废弃部分高 ,分别为 9 41× 1 0 - 6 、 91 86× 1 0 - 6 和2 3 5× 1 0 - 6 、 2 5 7× 1 0 - 6 。废弃部分含锌丰富 ,为 3 5 3 62× 1 0 - 6 ,数倍于入药部分 64 65× 1 0 - 6 。可见海螵蛸入药部分和废弃部分均具有良好的开发前景     

钴-5,10,15,20-四(3-甲氧基-4-羟基苯基)卟啉修饰玻碳电极的L-抗坏血酸化学传感器研究

将水合 5,10,15,20-四-(3-甲氧基-4-羟基苯基)钴卟啉(CoTMHPP)修饰在玻碳电极表面,制成CoTMHPP修饰电极.电极稳定性好且灵敏度高,对抗坏血酸有良好的电催化氧化作用,测定线性响应范围为1.0×10(-5)～1.0×10(-2)mol/L,响应时间小于12s.本文研究了电极的性质和应用,并用于药物中抗坏血酸的测定,其测定结果与碘量法一致.     

YAG∶Nd中Pr,Sm,Dy杂质对其光谱的影响

采用溶胶 -凝胶法合成了YAG∶Nd ,Re(Re =Pr,Sm ,Dy)系列化合物 ,研究了它们的光谱性质 .结果表明 :Pr3 + ,Sm3 + ,Dy3 + 对YAG基质中Nd3 + 的发光具有猝灭作用 ,属于有害杂质 ,在激光晶体原料中必须除去     

N-对三氟甲基苯基-α-氨基烷基膦酸酯的合成、晶体结构及生物活性

采用活性基团拼接法将氟原子引入α-氨基烷基膦酸酯中,合成了一系列含氟芳基α-氨基烷基膦酸酯类新化合物,结构经元素分析,IR,1H NMR及MS确认.对所合成的化合物进行了抑制烟草花叶病毒(TMV)田间生物测试,结果表明,该类化合物具有良好的抑制TMV活性,其中4d化合物在0.0005%浓度下对烟草花叶病毒(TMV)防效达到了67.03%.就此对4d化合物作了单晶培养,并就晶体结构进行了X衍射分析.结构表明4d化合物分子属单斜晶系,空间群P21/c.晶胞参数a=1.1957(5)nm,b=1.0664(5)nm,c=1.5943(7)nm,α=90°,β=97.623(8)°,γ=90°,V=2.0150(15)nm3,Z=4.Dc=1.336 Mg/m3,μ=0.189nm-1,F(000)=840.