全文获取类型
收费全文 | 2566篇 |
免费 | 674篇 |
国内免费 | 906篇 |
专业分类
化学 | 1522篇 |
晶体学 | 68篇 |
力学 | 271篇 |
综合类 | 128篇 |
数学 | 431篇 |
物理学 | 1726篇 |
出版年
2024年 | 25篇 |
2023年 | 64篇 |
2022年 | 66篇 |
2021年 | 76篇 |
2020年 | 68篇 |
2019年 | 102篇 |
2018年 | 126篇 |
2017年 | 103篇 |
2016年 | 95篇 |
2015年 | 107篇 |
2014年 | 174篇 |
2013年 | 114篇 |
2012年 | 121篇 |
2011年 | 152篇 |
2010年 | 166篇 |
2009年 | 162篇 |
2008年 | 160篇 |
2007年 | 160篇 |
2006年 | 199篇 |
2005年 | 191篇 |
2004年 | 192篇 |
2003年 | 141篇 |
2002年 | 146篇 |
2001年 | 102篇 |
2000年 | 105篇 |
1999年 | 104篇 |
1998年 | 92篇 |
1997年 | 101篇 |
1996年 | 82篇 |
1995年 | 81篇 |
1994年 | 71篇 |
1993年 | 67篇 |
1992年 | 56篇 |
1991年 | 40篇 |
1990年 | 45篇 |
1989年 | 46篇 |
1988年 | 28篇 |
1987年 | 36篇 |
1986年 | 28篇 |
1985年 | 27篇 |
1984年 | 22篇 |
1983年 | 21篇 |
1982年 | 21篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 12篇 |
1979年 | 8篇 |
1975年 | 3篇 |
1964年 | 5篇 |
1959年 | 4篇 |
1958年 | 3篇 |
排序方式: 共有4146条查询结果,搜索用时 15 毫秒
141.
142.
143.
144.
145.
Electronic properties of both Pb and S vacancy defects in PbS(1^-00) have been studied using the first-principles density functional theory (DFT) calculations with the plane-wave pseudopotentials. It is found that the density of states (DOS) near the top of the valence band and the bottom of the conduction band is significantly modified by these defects. Our calculation indicates that in the case of S vacancy defects the Fermi energy shifts to the conduction band making it as an n-type PbS (donor). However, in the case of Pb vacancy, because of the appreciable change of the DOS, the system acts as a p-type PbS (accepter). In addition, the structural relaxation shows that the defect leads to outward relaxation of the nearest-neighbouring atoms and inward relaxation of the next-nearest neighbouring atoms. 相似文献
146.
提出应用级联倍频方法提高倍频系统输出稳定性,并就该方法的有效性进行了理论分析和模拟计算.分析和计算结果不但证明级联倍频方法能实现倍频系统稳定输出,而且还表明可以通过仔细调节第一块倍频晶体中波矢方向 k 与光轴间夹角、两块倍频晶体间的间隔,能调节改变实现倍频系统最稳输出时所需第二块晶体的理论计算长度,使之与第二块倍频晶体的实际加工长度一致,最终实现系统稳定倍频输出.级联倍频方法在实现高输出稳定性的同时能实现高的倍频转换效率,对应用于光参量啁啾脉冲放大系统的高稳定抽运源系统的设计建造具有重要参考意义.
关键词:
级联倍频
稳定倍频输出
光参量啁啾脉冲放大 相似文献
147.
用一束波长为360.55nm的激光,通过N2O分子的(3+1)共振多光子电离(REMPI)过程制备纯净且布居完全处于X2Π(000)态的母体离子N2O+,然后用另一束波长在275—328nm范围内的可调谐激光将制备的N2O+离子激发至预解离电子态A2Σ+.实验发现,由于解离碎片NO+所具有的一定的反冲速度,其TOF质谱峰明显比N2O+母体宽.通过分析NO+碎片TOF质谱峰形状,得到了解离产物的总平均平动能〈ET〉;通过考察〈ET〉随光解能量的变化,发现光解能量在32000cm-1附近约250cm-1的变化
关键词:
N2O+离子A2Σ+态
TOF质谱峰
预解离机理 相似文献
148.
利用高真空条件,分舟蒸发制备ZnS:Ho3+和ZnS:HoF3绿色交流电致发光薄膜屏。讨论了ZnS:Ho3+及ZnS:HoF3薄膜的发光特性和光谱差异。确定其激发机理为热电子直接碰撞激发,以及660nm的发射在低浓度下来自于5F3→5I7的跃迁。并认为在两种材料中,由于热电子在外电场中的加速过程中受到不同散射中心的散射,改变了热电子的统计分布,从而直接引起两种材料发射光谱的明显差异。 相似文献
149.
150.
The fusion-evaporation reaction ^116Sn (^19F, p3n)^131 Ce at projectile energy of 95 MeV is used to populate high spin states in ^131Ce. The de-exciting γ-rays are detected in γ-γ coincidence measurement with Compton-suppressed BGO-HPGe detectors. Level lifetimes of ^131 Ce were determined by using the Doppler shift attenuation method.The experimental results indicate that collectivity of ^131 Ce is reduced relative to that of ^130Ce and it follows that deformation decreases with increase of the neutron number on the basis of systematic comparison of transition quadrupole moments for the light cerium isotopes. 相似文献