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181.
本文提出了阿莫西林[(2S,5R,6R)-3,3-二甲基-6-[(R)-(-)-2-氨基-2-(4-羟基苯基)乙酰氨基]-7-氧化-4-硫杂-1-氮杂双环[3,2,0]庚烷-2-甲酸三水化合物]荧光分析的方法。并对影响阿莫西林荧光性质(光谱和光谱强度)的各种因素,包括pH值、表面活性剂的增效作用、无机离子的配合作用以及其他介质条件等进行了较为详细的研究。实验结果表明,阿莫西林具有良好的荧光性质,在微碱性条件下荧光发射最强,CTAB对其有增效作用,与无机离子(Mg 相似文献
182.
传统阴极射线管(CRT)色度预测模型大都建立在三刺激值的可加性原理之上。但是在」实际应用中由于红绿蓝(RGB)三个通道之间存在相互干扰,使得红绿蓝的颜色合成结果在一定程度上偏离了叠加原理,因此传统阴极射线管色度预测模型必然产生相干误差,通过实验表明,红昨三个通道之间的干扰主要表现为一种相互抑制作用,因此造成的传统阴极射线管色度预测模型的预测色差随显示亮度的增加而加大。 相似文献
183.
电感耦合等离子体原子发射光谱法测定硅铝铁合金中多种元素的优化研究 总被引:6,自引:0,他引:6
应用电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICP AES)法 ,对硅铝铁合金中的Al,Fe ,Ca,Cr,Mn ,Ni,Si和Ti元素进行了测定。研究了ICP AES的操作条件和溶样方法 ,确定了适宜的实验条件 ,如对仪器参数和共存元素对信号的影响进行了研究。将实验条件优化后 ,使用该方法测定硅铝铁合金中多种元素 ,标准钢样测定结果与推荐值相符。对各种元素的检出限分别为Al(0 0 2 9μg·mL- 1 ) ,Fe(0 0 0 4 μg·mL- 1 ) ,Ca(0 0 0 75 μg·mL- 1 ) ,Cr(0 0 0 15 μg·mL- 1 ) ,Mn(0 0 0 0 9μg·mL- 1 ) ,Ni(0 0 0 2 7μg·mL- 1 ) ,Si(0 0 4 5 μg·mL- 1 )和Ti(0 0 0 3μg·mL- 1 )。对所测元素 ,测定结果的相对标准偏差 (n =6 )在 0 3%~ 1 8%之间 ,加入标准溶液的回收率在96 7%~ 10 2 9%范围。测定合金样品中高含量硅的结果与标准化学 (重量 )法的结果也相符。该方法的特点是数据可靠 ,简便可行和易于推广。 相似文献
184.
185.
186.
楼建玲 李智焕 叶沿林 江栋兴 华辉 李湘庆 张双全 郑涛 葛愉成 孔赞 吕林辉 李琛 卢飞 范凤英 李忠宇 曹中鑫 马立英 Faisal 徐瑚珊 胡正国 王猛 雷相国 段利敏 肖志刚 黄天衡 付芬 章学恒 郑川 余玉洪 涂小林 张亚鹏 杨彦云 张宏斌 唐彬 田育林 欧阳珍 黄美容 徐治国 岳珂 高启 《中国物理 C》2008,32(Z2):41-43
The β-delayed neutron and γ spectra of neutron-rich nucleus 21N using β-γ and β-n coincidence measurements were presented in this paper. Thirteen new neutron groups ranging from 0.28 MeV to 4.98 MeV and with a total branching ratio 88.7±4.2% were observed. One γ transition among the excited states of 21O, and four γ transitions among the excited states of 20O were identified in the β decay chain of 21N. The ungated half-life of 83.8±2.1 ms was also determined for 21N. 相似文献
187.
2MeV直线感应加速器注入器系统由电子束产生器和脉冲功率系统组成。电子束产生器包括由感应腔组成的阴极电压叠加器、阳极电压叠加器和真空二极管及束输运系统。脉冲功率系统则包含初级功率源Marx、次级功率源Blumlein线和触发系统,其作用是为感应腔提供一个具有数十纳秒平顶宽度的高压脉冲,激发感应腔在感应腔间隙上获得一个加速电场。在2MeV注入器功率系统中,4个Blumlein线的充气开关是由发散装置的输出触发信号进行导通控制的。通过控制发散输出触发信号到达Blumlein线开关的时间,即可以实现Blumlein线开关在不同时间内触发导通,使Blumlein线依据所设定的时间顺序输出激励脉冲,从而在真空二极管上获得高压脉冲串。由于功率系统采用的是182C结构,即一根Blumlein线驱动两个感应腔,因此最多可以实现四脉冲串列。 相似文献
188.
Indium nanorods are grown on silicon substrates by using magnetron-sputtering technique. Film morphologies and nanorod microstructure are investigated by using scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), and x-ray diffraction. It is found that the mean diameter of the nanorods ranges from 30nm to 100nm and the height ranges from 30nm to 200nm. The HRTEM investigations show that the indium nanorods are single crystals and grow along the [100] axis. The nanorods grow from the facets near the surface undulation that is caused by compressive stress in the indium grains generated during grain coalescence process. For low melting point and high diffusivity metal, such as bismuth and indium, this spontaneous nanorod growth mechanism can be used to fabricate nanostructures. 相似文献
189.
聚(2-甲氧基-5-辛氧基)对苯乙炔/TiO2纳米复合材料的光物理性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过原位强碱诱导下的脱氯化氢缩合聚合法制备了一系列不同纳米TiO2含量的聚(2-甲氧基-5-辛氧基)对苯乙炔/纳米二氧化钛(PMOCOPV/TiO2)光电复合材料。红外光谱和拉曼光谱证实了在纳米TiO2表面的包覆层为PMOCOPV。紫外-可见吸收光谱表明随着TiO2含量的增加PMOCOPV/TiO2纳米复合材料的吸收强度提高。高分辨透射电镜观察发现PMOCOPV/TiO2是具有核-壳结构的纳米复合粒子,直径约30 nm,其中PMOCOPV包覆层的厚度约为8~10 nm。荧光光谱研究表明,PMOCOPV/TiO2纳米复合材料的最大发射波长随着TiO2含量的增加发生红移,荧光寿命约为1 ns,且随着TiO2含量的增加荧光强度和荧光寿命得到显著提高,并通过PMOCOPV/TiO2纳米复合材料中的激子离化和电荷传输过程以及复合材料中的电势能级探讨了PMOCOPV/TiO2的荧光量子效率和荧光强度增加的机理。 相似文献
190.
We investigate the third-order optical nonlinearities in four novel porphyrin dimers (dimers A to D) and a monomeric porphyrin H2 CPTPP measured by using the single-beam z-scan technique with a pulsed Q-switched Nd:YAG nanosecond laser at 532nm. All the samples show strong excited state absorption (ESA) and high value of Х^(3) in the ns domain at this wavelength. We perform a comparison between dimer A and its monomer H2 CPTPP in their third-order optical nonlinearity, and discuss the relationships between the values of Х^(3) and the different bridging groups for all the dimers. 相似文献