Buckling of Elastic Thin Films on Compliant Substrates for Determination of Surface Parameters

The buckling of an elastic thin film on a compliant substrate under small perturbation in normal deflection and tangential displacement is studied with the effect of surface energy and interracial slip. It is revealed that Poisson＇s ratio of the soft substrate and the interracial slip can be neglected for film＇s thickness smaller than tens of nanometers. The effect of surface energy nevertheless renders the critical strain for the onset of wrinkling and the wave length dependent on the thickness highly nonlinearly. The potential of using buckling of thin films on compliant substrates for determination of surface parameters has been discussed.     

厄尔尼诺会加剧和转移季节性风暴

<正>在北美洲地区,冬季和春季的风暴次数与强度都在日益增加。气候的变化可能是导致风暴次数与强度增加的罪魁祸首,但年际的气候变化(即厄尔尼诺现象)也是导致风暴上升的因素。为此,美国阿拉斯加大学的Xiangdong Zhang和他的同事们进行了一系列的模拟研究工作,他们在工作中使用了美国国家大气研究中心的局域大气模型。由于地球上的气候变化,对初始条件     

X射线在金-硅界面剂量增强系数与金和硅厚度关系的模拟研究

用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法计算不同能量的X射线在金-硅(Au-Si)界面处中产生的剂量增强系数（DEF）与金(Au)和硅(Si)厚度的关系.结果表明：界面一侧Si中的DEF与Au和Si的厚度有关。当Au厚度分别取1μm、2μm、4μm、8μm时,界面处最大剂量增强系数分别为：19.78、24.78、24.78、32.3,界面处的DEF随Au厚度的增加而增大;当Si厚度分别取1μm、2μm、4μm、8μm时,界面处最大剂量增强系数分别为：24.5、25.91、27.84、30.09,界面处的DEF随Si厚度的增加而增大.并且研究了Au为2μm、4μm时界面下不同位置处的DEF随能量的变化关系,界面处的DEF最大,离界面越远剂量增强效应越小.     

斯特林发动机热交换器的换热性能研究

本文通过商业软件FLUENT的动网格功能实现了自由活塞斯特林发动机内热交换器的周期性工作过程,并比较了在不同的结构形式下加热器和冷却器的换热能力和流阻的变化。结果表明,在应用多孔介质时加热器的PEC值最大,换热能力最强,其相应的流阻损失也最大;在应用热管时冷却器的PEC值最大,换热能力最强。     

微波加热法快速制备纳米金及其SERS活性表征

本文采用微波快速加热法,利用柠檬酸钠还原氯金酸的原理,成功还原出粒径从10nm到60nm的酒红色金溶胶。我们用此加热法对比不同加热时间以及不同还原剂的用量条件下制备出的多种粒径金溶胶,并用吸收光谱、透射电镜和拉曼光谱对其SERS活性进行表征,选择R6G、4-MBA和结晶紫作为探针分子对其进行SERS活性研究。结果表明,随着加热时间或还原剂量的增加,金纳米粒子的粒径会逐渐减小,在适宜加热时间与还原剂用量的条件下所制备的纳米金溶胶稳定性较好,将其浓缩后是一种非常有效的SERS活性基底。微波加热方法简单、价格低廉,此种胶体可作为理想的SERS活性基底进行批量制备与应用。     

GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究

针对GaN基LED空穴注入效率低的问题,在量子阱与电子阻挡层之间插入低温空穴注入层（LT-HIL）,实验研究了MOCVD生长LT-HIL时二茂镁（Cp₂Mg）流量和生长温度的影响。结果表明：随着Cp₂Mg流量的增加,外延薄膜晶体质量下降,外延片表面平整度和均匀性降低;而受Mg掺杂时补偿效应的影响,主波长先红移后蓝移,芯片的输出光功率先升高后降低,正向电压先降低后升高。相比于无LT-HIL的样品,在20 mA工作电流下,Cp₂Mg流量为1.94 μmol/min时制备的芯片的输出光功率提升20.3%,而正向电压降低0.1 V。在Cp₂Mg流量较大时,LT-HIL的渐变式生长温度对外延质量有所改善,但不是主要影响因素。     

平面上具有有界Fréchet导数的调和映照单叶半径的精确估计

给定单位圆盘D={z||z|1}上调和映照f(z)=h(z)+g(z),其中h(z)和g(z)为D上的解析函数,满足f(0)=0,λf(0)=1,ΛfΛ.通过引入复参数λ,|λ|=1,本文研究调和映照Fλ(z)=h(z)+λg(z)和解析函数Gλ(z)=h(z)+λg(z)的性质,得到Fλ(z)和Gλ(z)单叶半径的精确估计.作为应用,本文得到单位圆盘D上某些K-拟正则调和映照Bloch常数的更好估计,改进和推广由Chen等人所得的相应结果.     

平面拟共形映照的偏差函数估计

研究平面拟共形映照的偏差函数μ(r),λ(K)和ηK(t).利用环形区域模函数的共形不变性,证明μ(r)满足一个新的不等式.作为应用,不必利用椭圆函数的性质,得到了估计Gr(o|¨)tzsch,Teichm(u|¨)ller和Mori这3种典型极值环形区域模函数的更精确的不等式,并得到了λ(K)和ηK(t)的更精确的上下界估计不等式.改进了由Anderson,Vamanamurthy,Qiu和Vuorinen所得的相应结果.     

单位圆到水平条形无界区域的调和拟共形映照

研究单位圆盘到水平条形无界区域在原点满足一定规范条件的单叶保向调和映照的解析特征.推导出该类单叶调和映照的解析表示法.得到单位圆盘到水平条形无界区域在原点满足一定规范条件的单叶保向调和映照f(z)成为调和拟共形映照的充分必要条件,对该类调和拟共形映照的系数作出精确估计.作为应用,证明了该类调和拟共形映照的像在欧氏度量下的长度和面积与原像在非欧度量下的偏差定理.本文的结果改进和推广了由Hengartner和Schober所得的相应结论.     

纳米Ag,CeO2和Ag-CeO2的合成及在CO催化氧化中的应用

系统合成了不同粒径的CeO2和Ag纳米粒子及Ag-CeO2纳米复合粒子,并对其进行了结构表征和CO催化氧化性能测试.结果表明,Ag纳米粒子的催化活性较低,以其为催化剂时CO的最大催化转化率仅为40%,且粒径越小越容易失活;在CeO2纳米粒子催化下,CO的催化转化率可达到100%,但催化反应的温度较高(约350℃);与CeO2和Ag相比,Ag-CeO2的催化性能明显增强,CO在较低的温度(150℃)下可实现完全转化.程序升温还原(Temperature-programmed reduction,TPR)分析结果表明,纳米复合材料中Ag和CeO2之间的相互作用是产生优异催化性能的关键原因.