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111.
对闭口碳纳米管(CNT)顶端分层掺氮及吸附不同数目水分子体系,运用第一性原理研究了有电场存在时的电子场发射性能.结果表明:掺氮并吸附水分子的CNT结构稳定;外电场愈强、水分子数愈多,体系态密度(DOS)向低能端移动幅度愈大且最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子空轨道(LUMO)能隙愈小.吸附能,DOS/LDOS,HOMO/LUMO及其能隙分析一致表明,第三层氮掺杂CNT吸附不同数目水分子体系的场发射性能最佳.
关键词:
氮掺杂
水吸附
密度泛函理论
电子场发射 相似文献
112.
113.
运用第一性原理研究了不同锥角和结构的碳纳米锥 (CNC) 电子场发射性能.结果表明:随外电场 (Eadd) 增强,CNC电子结构变化显著,费米能级 (Ef) 处态密度 (DOS) 明显增大;赝能隙减小;体系电荷移向尖端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析表明:CNC的电子场发射性能除依赖于尖端结构外,很大程度上还取决于锥角大小,特别顶层6个原子的CNC3和CNC4场发射性能
关键词:
碳纳米锥
电子场发射
第一性原理 相似文献
114.
115.
116.
以甲醇和去离子水组成的体系(体积比90∶10)为流动相,建立了以香烟过滤嘴作吸附剂,固相萃取(SPE)与高效液相色谱(HPLC)联用测定水中双酚A(Bisphenol A,BPA)的新方法。研究了水溶液中碳纳米管(CNTs)吸附双酚A的热力学特性,测定了不同温度下的吸附等温线,并探讨了其可能的吸附机理。结果表明,CNTs对BPA 的吸附主要以快速吸附为主,常温下,碳纳米管对于70 mg·L-1的双酚A水溶液的吸附量可达到 24.65 mg g-1,吸附量随初始浓度的增加而增加,随温度的降低而增大,采用Freundlich和Langmuir方程拟合,相关系数均大于0.99,热力学函数ΔG、ΔH及ΔS分别为-39.48 ~ -43.51 KJ·mol-1、-18.06 KJ·mol-1、71.73 J·mol-1·K-1,吸附为放热、熵增的自发过程,降低温度有利于吸附,并且具有物理吸附特征。 相似文献
117.
新型咔唑衍生物的合成及其晶体结构 总被引:1,自引:0,他引:1
通过9-乙基咔唑-3-甲醛与4-氨基-3,5-二甲基-1,2,4-三氮唑反应,合成了一种新型咔唑衍生物-- 9-乙基咔唑-3-甲醛缩4-氨基-3,5-二乙基-1,2,4-三氮唑(1),其结构经1H NMR, IR和X-射线单晶衍射表征.1属单斜晶系,P2(1)/n空间群,晶胞参数为:a=8.829(8)(A), b=9.863(10)(A), c=19.530(15)(A), β=101.65(5)°, V=1 666(3)(A)3, Dc=1.266 g·cm-3, Z=4, F(000)=672, μ=0.079 mm-1.最终偏离因子R1=0.075 6. 相似文献
118.
时差法超声流量计由于受到功耗的限制, 在时间差的测量中不能采用很高的采样频率. 但在实际流量测量中存在着流体流速会突变的现象, 这样在低流速分辨率情况下就会引起流速测量不能实时跟踪而造成较大计量误差, 也就影响了其相应的计量精度和系统稳定性. 因此对时差法超声流量计瞬时流速动态的跟踪问题进行探讨, 设计出瞬时流速动态跟踪算法. 经过实验验证, 所设计的动态跟踪算法可以使超声流量计的计量精度提高0.4%左右, 重复性提高0.05%左右, 而系统功耗几乎没有大的变化. 相似文献
119.
从毛姜花(Hedychium villosum Wall.)中分离得到1个新二萜(1)和1个已知二萜(3). 新二萜命名为Villosumcoronarin, 该化合物在氯仿或甲醇溶液中发生异构化, 部分转化为其差向异构体1'; 其平面结构经质谱、红外光谱、氢谱、碳谱及无畸变极化转移增强技术(DEPT)、氢氢相关谱(1H-1H COSY)和异核多键相关谱(HMBC)等方法确证; 其相对构型由氢谱、ROESY及量化计算确证. 化合物3用琼斯试剂氧化后得到化合物4. 生物活性筛选结果表明, 化合物1对人白血病细胞株(HL-60)和肝癌细胞株(SMMC-7721)具有强的细胞毒活性, 其活性超过阳性对照顺铂(DDP). 化合物4对HL-60和SMMC-7721细胞具有显著的细胞毒活性. 相似文献
120.
为了满足闪光二号加速器材料热力学效应研究的新需求,设计了一套电容器储能型脉冲强磁场装置。装置主要由储能电容器、半导体放电开关、磁场线圈及高压恒流充电源组成。磁场线圈中心处最大磁感应强度可达5 T,并且可以通过调整磁场线圈与二极管的相对位置实现磁透镜比的调节。通过理论计算和数值模拟相结合的方法对脉冲强磁场的关键参数进行了分析,然后进行了脉冲强磁场的工程设计,最后使用该强磁场装置进行了实验研究。强磁场实验中,当储能电容器充电21 kV时,在磁场线圈中心处获得了5.3 T脉冲强磁场。 相似文献