GaAs单晶滑移位错X射线形貌术研究

应用X射线形貌技术研究了掺In和不掺In 砷化稼单晶的滑移位错. 观察到由于位错密度不同, 其滑移位错的组态不同。对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释. In 和不掺In 砷化稼单晶的滑移位错. 观察到由于位错 对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释. 关键词：     

X射线的发现及其对科学技术的影响——纪念伦琴发现X射线100周年

 一、X射线的发现 1895年11月8日是科学界值得纪念的重要日子。这一天德国维尔茨堡大学校长伦琴(W.K.Rntgen)教授发现了X射线,由于这一划时代的科学贡献,他于1901年荣获首届诺贝尔物理学奖。     

注入式半导体发光二极管的新进展

可见光发光二极管(LED)是目前用量很大的一类半导体器件.由于发光效率不高,一直只能用作弱光光源(如指示灯)和各种信息显示器件(如各种数码管和收录机上的电平指示器),而不能用作强光光源.1983年7月,日本斯坦利公司的寺岛透等人报道了一种超高亮度的GaAlAs红光发光二极管[1],这种器件刷新了1972年以来一宜保持的12.6%外量子效率的实验室纪录,达到16%的发光效率,在20毫安电流下,器件的发光强度达2烛光.该器件已被用作十字路口的交通信号灯,成功地迈入了强光光源的行列. 器件的发光波长为6600埃,光谱半宽度为250埃;响应速度30—40毫微秒,比…     

直拉硅单晶原生微缺陷的观察

对沿<100>方向生长的p型和沿<111>方向生长的n型宏观无位错直拉硅单晶,用铜缀饰X射线形貌术和腐蚀法观察到两种不同类型的微缺陷,对n型硅单晶还观察到一种特殊组态的微缺陷。对观察到的微缺陷的分布、组态进行了初步的分析。本文首次采用X射线透射投影和截面形貌术对硅单晶原生微缺陷进行直接观察,获得了相应的微缺陷图。所观察到的微缺陷的组态、尺度、分布等与铜缀饰X射线透射形貌图所示结果一致。 关键词：     

X射线小角散射研究温度对DNA/磷脂复合物结构的影响

报道由短链DNA和磷脂分子在水溶液中形成的复合物的小角散射研究结果. 水溶液中, DNA分子和阳性磷脂分子自发组装成有序的复合多层膜结构: 脂双层相互平行, DNA夹在脂双层之间, 在垂直于DNA方向呈现一维有序结构. 逐渐升高体系的温度, 磷脂双分子膜柔软增加, DNA向双分子层内塌陷, 使多层膜层间距逐渐减小. 而由于DNA分子是一种刚性分子, DNA之间的距离在所测温度 范围内没有变化.     

ACCURATE DETERMINATION OF FILM THICKNESS BY LOW-ANGLE X-RAY REFLECTION

A modified Bragg law for straightforward determining the film thickness by low-angle X-ray reflection was derived based on the geometrical optical theory. We showed that this modified Bragg law and its inference formulae could be used to accurately determine the thickness of the monolayer or multilayer film. Furthermore, the modified Bragg law for determining the superlattice period presented earlier by others can be derived from the above modified Bragg law. The similar inference formulae were also given. The precision in determining the film thickness and/or superlattice period by the above formulae was discussed.     

晶体表面偏角对摇摆曲线及其半峰宽的影响

本文应用X射线衍射动力学理论,计算了晶体表面偏角对X射线双晶衍射摇摆曲线及其半峰宽的影响,得出当晶体表面向某一方向存在一定的偏角时,X射线的入射方向不同,将造成摇摆曲线位置的改变和半峰宽的变化,且其变化趋势随着入射角的变小而增大,随着入射角的减小,反射峰的半峰宽增大,并向高角方向漂移,采用掠入射的不对称衍射方式时,偏角的影响更为明显。 关键词：     

用Pendellosung条纹研究硅单晶中微缺陷

以Ｘ射线衍射统计动力学为基础，讨论了一种用Ｘ射线截面形貌图测定静态ＤｅｂｙｅＷａｌｌｅｒ因子的方法。通过仔细分析截面形貌图中Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条纹振荡周期和强度的变化，得到了经热处理后的ＣＺ硅和ＭＣＡ硅单晶样品的Ｄｅｂｙｅ－Ｗａｌｌｅｒ因子，并求得样品中氧沉淀的浓度和平均尺寸。这种定量化的研究方法为揭示晶体中微缺陷的性质及形成机理提供了新途径。     

第三届全国X射线衍射学术会议简讯

第三届全国X射线衍射学术会议于1985年11月3-8日在四川省成都市举行.出席这次会议的代表来自除西藏和台湾省外的全国所有各省、市、自治区和各系统的科研单位、大专院校和工矿企业的科技人员和教师共329人,分属215个单位. 会议期间,中国科学院上海冶金研究所许顺生同志作了《同     

分散相颗粒几何因素对电流变液体反应时间的影响

瞬变的反应时间是电流变液体的一个重要参数．本文通过实验和理论分析，建立了考虑分散相颗粒几何因素的电流变反应时间模型根据此模型，长椭球状颗粒的电流变液体反应时间比等效球状颗粒的短，扁椭球状和片状颗粒的电流变液体反应时间比等效球状颗粒的长，而棒状颗粒的电流变液体反应时间则视ε_p/ε_f比值大小或快于或慢于等效球状颗粒的反应时间．且反应时间与分散相尺寸的关系是（１）随体积增大，各种形状颗粒的电流变液体反应时间均变短；（２）同体积下，随长径比增大，长椭球状颗粒的电流变液体反应时间变短，而扁椭球状颗粒和片状颗粒的电流变液体反应时间变长，棒状颗粒的电流变液体反应时间则视。ε_p/ε_f比值大小或增快或减慢．因此，要获得反应快的电流变液体，颗粒形状除选择球状外，还可在使雷诺数较小范围内，选择一定尺寸的长椭球状或棒状颗粒。 关键词：