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71.
激光背向散射成像是激光与生物组织相互作用产生散射光的成像,在农产品的品质分类中有着广泛的应用。利用激光背向散射成像技术与深度学习,实现马铃薯在不同存储情况下的品质分类。对激光背向散射进行理论分析,搭建激光背向散射成像的数据采集系统,对马铃薯样品进行激光背向散射图像采集,得到新鲜马铃薯、冰箱存储与室温存储马铃薯的激光背向散射成像数据集。对数据集利用改进后的VGG16网络进行训练,并与DenseNet121网络、原始VGG16网络的训练结果进行对比。结果显示,改进后的VGG16网络对数据集的分类准确率为95.33%。由此表明,激光背向散射成像结合深度学习可以实现马铃薯品质的智能分级。 相似文献
72.
为了提高基于近红外光谱的土地覆盖分类模型的准确率,以欧盟统计局发布的土壤近红外光谱数据为研究对象,研究基于短时傅里叶变换(STFT)预处理方法和不同卷积尺度融合的土地覆盖分类模型,实现耕地、林地和草地的快速区分。为适应二维卷积要求,将一维光谱的400~2 500 nm波段的4 200个波长进行短时傅里叶变换,转换成二维图像同时提取光谱数据的频谱信息。将样本按6∶2∶2的比例随机划分为训练集、验证集和测试集。建立单一尺寸卷积核卷积神经网络(CNN)以及多尺寸卷积核融合的卷积神经网络土地覆盖分类模型,为了防止模型出现梯度消失现象,网络采用ReLU激活函数以及批标准化(BN)、 Dropout等方法。并采用早停法(early stopping)训练网络,防止模型出现过拟合风险。首先,探讨了不同STFT窗口长度(64, 100和128)、不同卷积核尺寸(3×3, 5×5和7×7)等对模型分类效果的影响规律。实验结果显示:当STFT窗口长度为100、窗口重叠长度为50%时,模型总体分类准确率均最高;模型的分类准确率随卷积核尺寸的增大而降低,较小尺寸卷积核模型准确率更高,卷积核尺寸为3×3的CNN... 相似文献
73.
求异思维是一种创造性思维,它是对同一对象,从不同的角度,不同的结构形式,不同的藕联关系去探索结论的思维方法,是一种不落俗套,不拘泥于传统的创新性质的思维方法。求异思维具有新奇、独特,流畅、变通等特征。表现在思路开阔,追求多问求解,勇于对问题提出假设,善于联想,富于想象,长于变化,敢于标新立异,思维活跃等方面。本文根据自己长期教学实践的体会,谈谈培养学生求异思维的几点做法,供参考。 1 充分利用“变式”教学,使学生克服静止孤立思考问题的习惯,克服思维定势的影响。“变式”教学就是在教学中变化引用材料的内容 相似文献
74.
为了提高难溶性药物的溶出速率,采用水热合成法制备了MCM-41和SBA-15两种介孔二氧化硅载体材料,利用浸渍法将模型药茴拉西坦负载于两种载体上.利用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、小角X射线衍射(XRD)、N2吸附-脱附、红外光谱(IR)、差热-热重(DTA-TG)对载药前后载体材料的表面形貌、粒径、孔径、孔容、比表面积、晶胞参数、骨架结构等进行测试,结果表明MCM-41和SBA-15具有相同的二维六方孔道结构,孔径及孔容分别为3.49 nm和6.67 nm,载药后的载药量分别为17;和22;,药物以非晶态装载于介孔孔道中没有影响介孔二氧化硅的骨架结构,但使介孔孔容及比表面积都有所降低.通过在不同pH溶出介质中负载于载体上的茴拉西坦与原料药晶体的溶出比较发现,两种载体均能够显著提高茴拉西坦的溶出速率.结合材料表征、载药量及溶出度综合比较,SBA-15载体的载药及释药性能均优于MCM-41载体. 相似文献
75.
以质点动量定理为例,探究了思政元素与物理知识的融合过程,通过“鸟撞飞机”事件、“最美快递员”和“手机砸脸视频”等实例融入物理教学,体现“课程承载思政”“思政寓于课程”的理念,将知识传授、学科素养、价值引领有机结合. 相似文献
76.
77.
78.
在室温下,乙二胺环境中合成了高度有序的介孔材料MCM-41,并将经热处理的发光客体Tb(aspi-rin)3phen组装进其孔道,通过激发发射光谱对其光致发光性能进行了研究。结果表明,Tb(aspirin)3phen240~375 nm区间的宽激发峰归属于配体aspirin羰基n→π*跃迁、苯环π→π*跃迁,和phen的杂菲基团吸收,Tb3 的特征发射是由于Antenna效应引起的。相对于纯Tb(aspirin)3phen,Tb(aspirin)3phen-MCM-41B和Tb(aspirin)3phen/MCM-41A的激发谱带出现了明显的分裂,而Tb(aspirin)3phen-MCM-41A只在353nm处剩下了相对较窄的单峰。Tb(aspirin)3phen-MCM-41B,Tb(aspirin)3phen/MCM-41A和Tb(aspirin)3phen-MCM-41A的短波段激发峰依次减弱消失,长波段激发峰逐渐增强,而405 nm发射峰强度IL和544 nm发射峰强度ILn的比值I(I=IL/ILn)依次减小。MCM-41骨架与Tb(aspirin)3phen成键后,不同程度降低了配体aspirin和phen单重态S1和三重态T1能级,且对phen的影响大于aspirin。不同的MCM-41表面晶格场对配体能级的影响顺序为:MCM-41B外表面>MCM-41A外表面>MCM-41A内表面。I值可定性表示MCM-41表面晶格场对配体能级影响程度和MCM-41表面Tb(aspirin)3phen的含量。 相似文献
79.
80.
Electrical properties of an AlInN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT) on a sapphire substrate are investi-gated in a cryogenic temperature range from 295 K down to 50 K. It is shown that drain saturation current and conductance increase as transistor operation temperature decreases. A self-heating effect is observed over the entire range of temperature under high power consumption. The dependence of channel electron mobility on electron density is investigated in detail. It is found that aside from Coulomb scattering, electrons that have been pushed away from the AlInN/GaN interface into the bulk GaN substrate at a large reverse gate voltage are also responsible for the electron mobility drop with the decrease of electron density. 相似文献