全文获取类型
收费全文 | 1672篇 |
免费 | 438篇 |
国内免费 | 709篇 |
专业分类
化学 | 1200篇 |
晶体学 | 53篇 |
力学 | 206篇 |
综合类 | 41篇 |
数学 | 377篇 |
物理学 | 942篇 |
出版年
2024年 | 10篇 |
2023年 | 58篇 |
2022年 | 51篇 |
2021年 | 44篇 |
2020年 | 32篇 |
2019年 | 54篇 |
2018年 | 64篇 |
2017年 | 51篇 |
2016年 | 72篇 |
2015年 | 65篇 |
2014年 | 126篇 |
2013年 | 93篇 |
2012年 | 84篇 |
2011年 | 94篇 |
2010年 | 72篇 |
2009年 | 128篇 |
2008年 | 115篇 |
2007年 | 107篇 |
2006年 | 152篇 |
2005年 | 106篇 |
2004年 | 67篇 |
2003年 | 83篇 |
2002年 | 76篇 |
2001年 | 67篇 |
2000年 | 61篇 |
1999年 | 90篇 |
1998年 | 85篇 |
1997年 | 77篇 |
1996年 | 59篇 |
1995年 | 63篇 |
1994年 | 46篇 |
1993年 | 44篇 |
1992年 | 63篇 |
1991年 | 44篇 |
1990年 | 58篇 |
1989年 | 46篇 |
1988年 | 23篇 |
1987年 | 34篇 |
1986年 | 32篇 |
1985年 | 31篇 |
1984年 | 20篇 |
1983年 | 12篇 |
1982年 | 14篇 |
1981年 | 9篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 6篇 |
1978年 | 3篇 |
1963年 | 4篇 |
1958年 | 3篇 |
1956年 | 3篇 |
排序方式: 共有2819条查询结果,搜索用时 562 毫秒
981.
拼接网格技术在复杂流场数值模拟中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用分区拼接网格技术,对 DLR-F6 机翼/机身胜架/短舱复杂组合体进行拼接网格分布.并采用 Menter SST 湍流模型,通过求解 Navier-Stokes 方程,对该组合体外流场以及发动机短舱内流场进行了一体化数值模拟,与相应风洞实验数据及分区搭接网格计算结果进行了比较与分析,验证了拼接网格技术的高效性与可靠性.同时通过分析对比不同插值方法的计算结果,研究了插值方法对拼接精度的影响;通过分析对比几组不同的拼接网格算例,总结出了 3 个拼接网格的基本实施准则.证明了拼接网格能够大幅度减小计算网格数目,可以更加灵活地分布网格节点,这样既可以缩短计算时间,又可以降低对内存的需求,提高了计算效率;同时无论整体的力系数,还是局部的压力分布流场细节都能够满足工程精度. 相似文献
982.
983.
提升小波变换和混沌加密的数字声频水印 总被引:1,自引:1,他引:0
提出了一种提升小波变换和混沌加密的数字声频水印算法.先对声频信号进行提升小波变换,通过修改提升小波变换系数的统计平均值来实现同步码和水印信息的嵌入,利用听觉掩蔽阈值来自适应确定最佳嵌入强度,以保证嵌入隐藏信息对人耳的不可感知性;为了改善水印的安全性,采用改进logistic混沌映射产生密钥序列对隐藏信息进行加密.实验结果表明:与传统的傅里叶变换、余弦变换、小波变换的声频水印方案相比,本文方法具有更好的不可感知性和安全性,且能够更加有效地抵抗各种常见信号处理攻击. 相似文献
984.
本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变Si nMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变Si nMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组分、多晶Si1-yGey栅Ge组分、栅氧化层厚度、应变Si层厚度、栅长以及掺杂浓度对阈值电压的影响.运用二维器件模拟器对器件表面势和I-V特性进行了仿真,所得结果与模型仿真结果一致,从而证明了模型的正确性.
关键词:
多晶SiGe栅
高斯定理
阈值电压
速度过冲 相似文献
985.
本文针对惯性约束聚变驱动器终端光学系统中连续相位板置于基频光路(前置)时,频率转换晶体内部光场分布进行了研究.经研究发现连续相位板前置对基频光的相位调制降低了频率转换效率,增大了频率转换晶体内部光场的不均匀性,它导致晶体激光诱导损伤风险的可能性加大.值得特别注意的是:在频率转换晶体入射和出射端面附近激光调制度和最大光强相对于其他区域高,发生激光诱导损伤的可能性相对更大.因此当不断增大频率转换系统输入的基频光光强时,为保证惯性约束聚变终端光学系统的正常运行需要把连续相位板前置对频率转换晶体内部光场分布的影响
关键词:
惯性约束聚变
连续相位板
频率转换晶体
激光诱导损伤 相似文献
986.
采用固相反应法将市购的AgI和KI按4.1 ∶1的摩尔组分配比,在避光干燥的条件下混合加热,制备出了KAg4I5 (10%AgI )复合体系.用X射线衍射谱、扫描电子显微镜、复阻抗谱、差示扫描量热等分析手段,对复合体系的结构、形貌、离子导电特性及相变温度进行了研究.结果发现,两相均为快离子导体的材料复合后,其复合体系的离子电导率比各自为纯相时都高,并且升降温-电导率曲线为迟滞回线,AgI的升降温相变温度分别滞后5和10 ℃.用界面间相互作用、空间电荷模型及Gou
关键词:
离子电导率
电化学势
空间电荷区
相变温度 相似文献
987.
SOI上的薄膜异质SiGe晶体管通过采用"折叠"集电极,已成功实现SOI上CMOS与HBT的兼容.本文结合SOI薄膜上的纵向SiGe HBT结构模型,提出了包含纵向、横向欧姆电阻和耗尽电容的"部分耗尽 (partially depleted) 晶体管"集电区简化电路模型.基于器件物理及实际考虑,系统建立了外延集电层电场、电势、耗尽宽度模型,并根据该模型对不同器件结构参数进行分析.结果表明,空间电荷区表现为本征集电结耗尽与MOS电容耗尽,空间电荷区宽度随集电结掺杂浓度减小而增大,随集电结反偏电压提高而增大,
关键词:
SOI
SiGe HBT
集电区
空间电荷区模型 相似文献
988.
989.
基于酸性介质中Ce( SO4)2对酶蛋白分子肽链上荧光发色团色氨酸和酪氨酸残基的氧化,通过强化共轭体系效应增敏酶蛋白的分子荧光而建立了一种微量氯过氧化物酶的分析方法;在8.53×10-7~4.90×10-6 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限可达6.83×10-7 mol/L.样品分析结果与基于Soret吸收的紫... 相似文献
990.
高光谱成像的甜瓜嫁接愈合状态早期分类检测 总被引:1,自引:0,他引:1
嫁接的目的是为了提高植物抗土传病害和非生物逆境的能力。甜瓜嫁接愈合状态的早检测是当前育苗厂工业化发展的重要需求。在标准正态变量变换-Savitzky-Golay平滑-二阶导数(SNV-SG-SD)预处理基础上提出了融合嫁接差异信息的竞争性自适应重加权算法-连续投影法(DIS-CARS-SPA)特征提取算法,并建立了基于网格寻优径向基核函数支持向量机(GS-RBF-SVM)分类模型,实现了基于高光谱成像的甜瓜嫁接愈合状态早期分类检测。首先采集以南瓜为砧木,甜瓜为接穗的嫁接成活苗和非成活苗愈合期1~7 d内的高光谱图像,分别采用9种光谱预处理方法,2种特征提取算法和5种优化算法4种核函数支持向量机(SVM)分类模型进行分析。结果显示,SNV-SG-SD光谱预处理、DIS-CARS-SPA特征提取和GS-RBF-SVM分类模型效果最好。利用该模型进一步分析,在同一天不同类型二分类中,愈合期1~7 d内任何一天的分类准确率均能达到99%以上;在不同天嫁接成活苗二分类中可达 90.17%以上;在不同天嫁接非成活苗二分类中可达97.03%以上;在不同天不同类型十四分类中可达到96.85%,比未融合嫁接差异信息的CARS-SPA特征提取方法准确率提高了0.59%,比只预处理未特征提取方法提高了3.37%。结果表明,所提出的方法不仅能实现同一天不同类型二分类,还能实现不同天同一类型的二分类,不同天不同类型的多分类。在实际应用中,可将分类时间点提前到嫁接后第1天(肉眼观察第3~4天,机器视觉技术第1~2天),同时第3天均是嫁接成活苗和非成活苗的差异突变天数,嫁接成活苗状态可分为弱—中—强三个阶段,非成活苗状态可分为弱—更弱两个阶段,该结论能为甜瓜嫁接苗生产提供有效指导,具有一定的理论和实践价值。 相似文献