首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1693篇
  免费   440篇
  国内免费   714篇
化学   1209篇
晶体学   53篇
力学   208篇
综合类   41篇
数学   378篇
物理学   958篇
  2024年   10篇
  2023年   60篇
  2022年   51篇
  2021年   50篇
  2020年   39篇
  2019年   54篇
  2018年   65篇
  2017年   52篇
  2016年   72篇
  2015年   65篇
  2014年   126篇
  2013年   93篇
  2012年   85篇
  2011年   95篇
  2010年   73篇
  2009年   128篇
  2008年   116篇
  2007年   107篇
  2006年   153篇
  2005年   106篇
  2004年   67篇
  2003年   83篇
  2002年   77篇
  2001年   67篇
  2000年   63篇
  1999年   90篇
  1998年   85篇
  1997年   77篇
  1996年   61篇
  1995年   63篇
  1994年   46篇
  1993年   44篇
  1992年   63篇
  1991年   44篇
  1990年   58篇
  1989年   46篇
  1988年   23篇
  1987年   34篇
  1986年   32篇
  1985年   31篇
  1984年   20篇
  1983年   12篇
  1982年   15篇
  1981年   9篇
  1980年   3篇
  1979年   6篇
  1978年   3篇
  1963年   4篇
  1958年   3篇
  1956年   3篇
排序方式: 共有2847条查询结果,搜索用时 15 毫秒
171.
坚增运  高阿红  常芳娥  唐博博  张龙  李娜 《物理学报》2013,62(5):56102-056102
本文用分子动力学模拟研究了Ni熔体以不同冷速凝固后微观结构的演变规律, 并通过理论计算确定出了Ni熔体凝固后获得理想非晶的临界条件. 模拟结果发现冷速小于1011 K/s时, Ni 熔体凝固后形成晶态组织; 冷速在1011 K/s到1014.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后形成由晶态结构与非晶态结构组成的混合组织. 冷速小于1010 K/s, Ni 熔体凝固后形成的晶态组织具有fcc结构; 冷速在1010 K/s到1014.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后组织中的晶态由fcc和hcp结构层状镶嵌排列构成. 通过分析模拟结果和计算结果, 确定出了Ni熔体凝固后形成理想非晶的临界冷速为1014.5 K/s. 并发现Ni熔体中临界晶核(冷速等于1014.5 K/s)和亚临界晶核(冷速大于1014.5 K/s) 均由fcc和hcp组成层状偏聚结构, 这表明Ni熔体中生长的晶体、临界晶核和晶胚的结构是相同的. 关键词: 分子动力学模拟 晶体团簇 临界冷速 结构  相似文献   
172.
Cl+F2→ClF+F和F+ClF′→ClF+F′反应机理的密度泛函理论研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
用密度泛函理论(DFT)B3LYP方法,在6-331G*基组下,计算研究了反应Cl+F2→ClF+F和对称反应F+ClF’→ClF+F’的机理。求得前者的过渡态为三角形,活化能为15.57kJ·mol^-1;后者的过渡态为线形和三角形,活化能分别为11.52和196.25kJ·mol^-1。结果均经过振动分析和IRC计算验证。  相似文献   
173.
简述三类光子晶体光纤(Photonic crystal fibers,PCF)的结构、导光机制及特性,介绍了PCF的研究现状和在光通信中的应用,并探讨了PCF的应用前景。  相似文献   
174.
韩亚伟*  强洪夫  赵玖玲  高巍然 《物理学报》2013,62(4):44702-044702
与传统网格法相比, 光滑粒子流体动力学方法不能直接施加壁面边界条件, 这就限制了该方法在工程中的应用.为此, 本文基于Galerkin加权余量法并结合传统排斥力方法, 推导出一种新的排斥力公式来施加壁面边界条件.该方法不含未知参数, 能在不减小边界粒子尺寸的情形下有效地防止流体粒子穿透壁面, 同时可避免邻近边界的流体粒子的速度及压力振荡. 分别通过静止液柱算例、液柱坍塌算例、容器中液体静止算例及溃坝算 例来验证本文方法的有效性, 并与传统边界处理方法进行对比, 结果表明: 本文方法克服了传统方法存在的缺陷, 是一种有效的固壁边界处理方法. 关键词: 光滑粒子流体动力学法 固壁边界 排斥力 加权余量法  相似文献   
175.
杨振军  陆大全  胡巍  郑一周  高星辉 《中国物理 B》2010,19(12):124212-124212
The propagation of hollow Gaussian beams in strongly nonlocal nonlinear media is studied in detail.Two analytical expressions are derived.For hollow Gaussian beams,the intensity distribution always evolves periodically.However the second-order moment beam width can keep invariant during propagation if the input power is equal to the critical power.The interaction of two hollow Gaussian beams and the vortical hollow Gaussian beams are also discussed.The vortical hollow Gaussian beams with an appropriate topological charge can keep their shapes invariant during propagation.  相似文献   
176.
pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
舒斌  戴显英  张鹤鸣 《物理学报》2004,53(1):235-238
利用应变SiGe/Si异质pn结电容-电压(C-V)特性确定SiGe禁带宽度的技术.该技术根据SiGe/Si异质pn结C-V实验曲线,计算出 pn结接触电势差,并得到SiGe/Si的价带偏移量和导带偏移量,进而求得SiGe禁带宽度.该技术测试方法简便,其过程物理意义清晰,既适用于分立的SiGe/Si异质pn结,也可直接分析SiGe/Si异质结器件中的SiGe 禁带宽度.实验结果与理论计算及其他相关文献报道的结果符合较好. 关键词: SiGe/Si 异质pn结 C-V 禁带宽度  相似文献   
177.
徐小波  张鹤鸣  胡辉勇  马建立 《中国物理 B》2011,20(5):58502-058502
Silicon germanium(SiGe) heterojunction bipolar transistor(HBT) on thin silicon-on-insulator(SOI) has recently been demonstrated and integrated into the latest SOI BiCMOS technology.The Early effect of the SOI SiGe HBT is analysed considering vertical and horizontal collector depletion,which is different from that of a bulk counterpart.A new compact formula of the Early voltage is presented and validated by an ISE TCAD simulation.The Early voltage shows a kink with the increase of the reverse base-collector bias.Large differences are observed between SOI devices and their bulk counterparts.The presented Early effect model can be employed for a fast evaluation of the Early voltage and is useful to the design,the simulation and the fabrication of high performance SOI SiGe devices and circuits.  相似文献   
178.
8字形主被动锁模掺Er3+光纤激光器   总被引:6,自引:0,他引:6  
在理论上分析了利用非线性光学环形镜作为等效可饱和吸收体压缩脉冲进行锁模的物理机制。利用8字形主被动混合锁模的结构在调制频率2.498749GHz下,在1.543μm处获得了12ps的锁模脉冲输出,对应谱宽0.22nm,时间脉宽积0.33。在抽运功率50mW情况下,输出脉冲平均功率3.715mW。在调制频率2.499344GHz、2.499114GHz和2.498999GHz时分别并获得了2~4阶幅度较为均衡的有理数谐波锁模脉冲序列。  相似文献   
179.
用脉冲激光沉积法制备了非金属Te掺杂的钙钛矿锰氧化物La0.82Te0.18MnO3单晶薄膜.该薄膜从83 K升温至373 K过程中发生金属-绝缘体相变,转变点温度为283 K.其电阻率在T<TMI时符合电子-电子、电子-磁振子散射公式;在T>TMI时为小极化子输运.薄膜在低温段连续激光(波长为532 nm,40 mW)作用下电阻率显著增大,电阻变化率在253 K达到最大值51.1%,该变化率远大于相同条件下的空穴掺杂材料;在高温段产生了较小的光电导,电阻变化率小于10%.这些现象主要与激光激励下自旋系统和小极化子的变化有关.La0.82Te0.18MnO3薄膜在激光诱导下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.激光开始作用时薄膜电阻率随时间的变化符合指数关系. 关键词: 0.82Te0.18MnO3薄膜')" href="#">La0.82Te0.18MnO3薄膜 光诱导 输运特性 电子掺杂  相似文献   
180.
苯并氧化呋咱稳定性和异构化的DFT和ab initio研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
运用B3LYP/6-31G(d)密度泛函理论(DFT)方法对苯并氧化呋咱、邻二亚硝基苯及其间的异构化反应进行了计算研究。结果表明,苯并氧化呋咱的分子总能量比邻二亚硝基苯的低;由苯并氧化呋咱异构为邻二亚硝基苯的正向反应活化能(Ea+=51.0kJ/mol),与文献实测值(58.6kJ/mol)较接近,而其逆向反应活化能(Ea-=4.6kJ/mol)很小,从而揭示了苯并氧化呋咱比邻二亚硝基苯更稳定·此外,进行了HF/3-21G、HF/6-31G(d)和MP2/6-31G(d)//6-31G(d)水平下相应的计算,发现B3LYP-DFT的结果较abinitio为优。谐振动频率的B3LYP/6-31G(d)计算还支持了邻二亚硝基苯为苯并氧化呋咱“自-自”互变重排反应的中间体。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号