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实现多通道滤波功能的一维光子晶体三量子阱结构 总被引:1,自引:0,他引:1
利用传输矩阵法研究了一维光子晶体(AB)m(CD)n(AB)m(CD)n的透射谱.结果发现:在归一化频率0.30ωa/2πc、0.55ωa/2πc和0.42ωa/2πc处,光子晶体(CD)n的两个能带分别处于光子晶体(AB)m(AB)m的两个禁带中,光子晶体(AB)m的能带处于光子晶体(CD)n(CD)n的禁带中,构成连续频率分布的一维光子晶体三量子阱结构.量子阱透射谱亦出现连续频率分布的3组共振透射峰,产生明显的量子化效应,透射峰的总数目为2n+m或2m+n,数目和位置均可调.透射峰频率位置出现很强的局域场,并且随着垒层光子晶体厚度的增加而增强.该光量子阱结构透射谱特性可实现连续频率分布的可调性多通道滤波功能. 相似文献
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电表改装是电学实验中的一个基本实验,其主要内容为把一个小量程的微安表改装为毫安表、电压表和欧姆表三部分.该实验不但能使学生了解磁电式电流表和电压表的结构和测量原理,而且使学生学会电表扩程的改装和校准方法.因此该实验有着重要的教学训练意义和实用价值,也是许多高校大学物理实验开设的必做实验.而改装后电表的不确定度分析对于评价一个电表的精度是必不可少的.关于毫安表和电压表改装的不确定度分析比较方面,许多教师也进行了大量的考虑和分析.本文主要讨论微安表改装欧姆表的不确定度分析. 相似文献
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针对光子晶体(AB)m(CD)n(BA)m模型,选择适当的结构参数,通过传输矩阵法对其透射谱进行计算模拟发现,在归一化中心频率0.5(ωa/2πc)处,当光子晶体(CD)n的导带处于光子晶体(AB)m(BA)m的禁带中,且两者均以中心频率处为对称中心时,构成镜像对称的光子晶体量子阱结构。在光量子阱透射谱的中心频率处及对称的两侧,分布着具有规律的奇数局域共振峰,出现明显的量子化效应,透射峰数目和位置都可以通过光子晶体(CD)n的重复周期数n来调节,这一现象可用于设计可调性奇数通道滤波器。 相似文献
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通过构造含石墨烯缺陷光子晶体结构模型(ACGK1CB)NCGKC(BCGK2CA)M,利用传输矩阵法理论和计算机模拟仿真的方式,研究了石墨烯缺陷对光子晶体光吸收特性的调制作用。当光子晶体中引入石墨烯缺陷后,光子晶体的光吸收率增强,并出现明显的窄带吸收峰。随着周期数M或K2增大,光子晶体的光吸收率增强,当M=6时吸收率达到96.55%,当K2=4时吸收率达到43.30%,而且吸收峰随M增大向短波方向移动,但随K2增大向长波方向移动。随着周期数K增大,光子晶体的光吸收率先增大到极大值后再减弱,且吸收峰向短波方向移动。随着A介质层(硅单质)厚度dA的增大,光子晶体的光吸收率增强,当dA=178.25 nm时吸收率达到48.54%,且吸收峰向长波方向移动;随着B、C介质层(分别为四氯化碳和砷化镓)厚度dB、dC增大,光子晶体的光吸收率... 相似文献
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设计由向列相液晶材料/左手材料/右手材料(LC—LHM—R)构成的三层结构界面系统,使用衰减全反射(ATR)技术,研究液晶层的温度以及厚度对三层介质表面电磁波的影响,有助于理解表面等离子激元(SPPs)激发的物理机制。基于电磁场的波动理论,以P偏振为例数值分析表面电磁波的存在区域和表面等离子激元的激发位置,并通过数值模拟的方法研究液晶温度的变化对ATR光谱吸收峰的影响规律。液晶材料组成的参量对该界面表面电磁波的影响非常显著,随着液晶温度的升高SPPs色散偏振曲线向高频方向移动,界面处ATR光谱的反射极小值随着液晶层温度的增大而变小,但其对应的频率位置无明显变化;随着液晶层厚度的减小,界面处ATR光谱中的反射极小值也下降。在不改变模型结构的前提下,可以通过液晶层温度和厚度来调控三层界面表面SPPs,利用这些特性,可为表面电磁波传感器件的设计提供一定的指导意义。 相似文献
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含复介电常量一维光子晶体量子阱结构研究 总被引:3,自引:1,他引:3
利用传输矩阵法研究了实介电常量和含复介电常量时一维光子晶体的透射谱.结果表明:两种情况下均构成光量子阱结构,并且光量子阱结构的透射能带谱位置和结构相同,但在含复介电常量负虚部情况下共振透射峰出现很强的增益现象,而在含复介电常量正虚部情况下共振透射峰则呈现明显的衰减现象. 相似文献
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