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采用化学氧化法制备聚苯胺与还原石墨烯复合材料。复合材料的结构、晶型和电磁参数分别通过X射线衍射仪及HP8722ES型矢量网络分析仪进行表征、测试与分析。结果表明,同聚苯胺相比,聚苯胺与还原石墨烯复合材料的介电损耗明显增加。而且在复合材料中,石墨烯的含量越大,材料的微波吸收性能越好,在频率波段(9.5~13.4GHz)反射损耗均小于-10 dB,并在频率为11.2 GHz时达到最大反射损耗-29.69 dB。聚苯胺与还原石墨烯的复合使得材料的载流子迁移率变大,吸波特性得到改善。 相似文献
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课本是试题的基本来源,是高考试题的主要依据,大多数试题的产生都是在课本基础上组合、加工和拓展的结果.高考命题的原则是坚持稳定,而又注重在稳定的基础上创新.稳定从课本中寻求支撑,课本规范了命题的创新性.所以回归教材,是高三数学复习的立足之本,是提升学生能力水平的手段. 相似文献
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以舰船船体结构、惯性导航系统、被试导航设备以及天文经纬仪为物理对象,提出了一套利用光学系统原理和计算机图像处理技术对联合基座进行水平变形测量的方法,解决了各设备因安装位置的不同所造成的安装基座间产生的水平变形量问题。 相似文献
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正1引言H-矩阵逆矩阵无穷范数的估计问题在数值代数、控制论、电力系统理论等众多领域具有广泛的应用.如控制论及神经网络系统的稳定性,线性时滞系统的稳定性,以及分裂矩阵迭代法的收敛性分析等[1-5].1975年J.M.Varah针对H-矩阵的一个重要子类一严格对角占优矩阵(SDD),给出如下估计式(Varah界)[6]: 相似文献
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Thin films of ternary compounds CuxInyN and CuxTiyN were grown by magnetron sputtering to improve the thermal stability of Cu3N,a material that decomposes below 300℃,and thus promises many interesting applications in directwriting.The effect of In or Ti incorporation in altering the structure and physical properties of copper nitride was evaluated by characterizing the film structure,surface morphology,and temperature dependence of electrical resistivity.More Ti than In can be accommodated by copper nitride without completely deteriorating the Cu3N lattice.A small amount of In or Ti can improve the crystallinity,and consequently the surface morphology.While the decomposition temperature is rarely influenced by In,the Ti-doped sample,Cu59.31Ti2.64N38.05,shows an X-ray diffraction pattern dominated by characteristic Cu3N peaks,even after annealing at 500℃.Both In and Ti reduce the bandgap of the original Cu3N phase,resulting in a smaller electrical resistivity at room temperature.The samples with more Ti content manifest metal-semiconductor transition when cooled from room temperature down to 50 K.These results can be useful in improving the applicability of copper-nitride-based thin films. 相似文献
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We report the fast lateral photovoltaic effect in pure congruent LiNbO3 crystal induced by pulsed laser and continuous wave laser with wavelengths of 355, 532, and 1064 nm. A typical ultrafast photovoltage can be observed on the surface perpendicular to the c axis, With the rise time of 1.5 ns and the full-width at half-maximum of 1-2 ns, when the laser pulse inhomogeneously irradiates on the crystal. The peak open-circuit photovoltages show a linear dependence on the incident laser intensities. The mechanism of the photovoltaic characteristics is proposed. 相似文献
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含吡啶环的芳香醚-噁二唑类化合物的合成及其光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
为开发新的高强度的有机电致发光材料, 用含烷氧基的取代苯甲酸(2)与2,6-吡啶二甲酰肼(3)在POCl3作用下, “一锅煮”法合成6个结构对称的含吡啶环的芳香醚-噁二唑4a~4f. 通过MS, IR, 1H NMR, 元素分析等手段对其结构进行了表征. 化合物的荧光性能测定结果显示此类化合物具有良好的荧光性, 其荧光发射波长均在347~507 nm范围内, 最大荧光发射波长在384 nm附近处, 且荧光强度较强. 在芳环上引入5-Br基团(4e, 4f), 化合物的荧光发射波长发生红移, 荧光强度有所减弱. 以硫酸奎宁作参比, 测定6个目标产物的荧光量子产率, 5-Br基团的引入对荧光量子产率没有明显影响. 同时讨论了代表性产物4a在不同溶剂中最大荧光激发波长处的荧光量子产率, 发现溶剂极性对该类化合物的荧光量子产率基本没有影响. 相似文献