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本文结合N-free GaP材料外延生长和器件研制,用时间分辨光谱和发射光谱对温度的依赖关系,研究了构成绿色辐射的不同跃迁过程,测量了它们的光生载流子寿命.通过阴极射线轰击芯片前后深能级瞬态谱(DLTS)的分析,并根据退化过程中近红外光谱的变化,探讨了影响纯绿LED效率的主要因素. 相似文献
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一种MIS结构,其中半导体为适当掺杂的ZnSe,呈现出开关和存储特性。在正向和反向偏压两种情况下,这一结构也发射光,其波长具有所掺杂质的特征。虽然对器件的工作原理尚未完全了解,开关作用仍能归结于电荷从半导体中深杂质能级到绝缘层中的转移。 相似文献
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本文用DLTS法测量了发光效率不同的三只Ga1-xAlxAs LED的深能级浓度.深度和俘获截面,并计算出电子和空穴的寿命,同时测量了它们的发光光谱和光通.从发光效率正比于载流子寿命的观点出发,分析了实验结果.表明1*与3*LED发光效率比R1大致等于它们的寿命比Rτ,但2*与3*却差别很大,文中从光谱角度作了一些分析,差值有所改进.从载流子寿命分析,找出了△Em=0.28、0.33与0.32eV三个能级是分别影响三个LED效率的主要能级。指出了8800Å的红外峰是使发光效率降低的另一个原因,它可能起因于外延层与村底界面处GaAs的带间复合和通过杂质的复合,要得到高效的LED必须制备出好的Ga1-xAlxAs与GaAs界面,应尽可能使红外峰减少.实验表明,效率高的LED仅有一个深能级(0.28eV),在室温下视察不到明显的红外峰。 相似文献
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线性低密度聚乙烯和聚苯乙烯共混物的原位增容及其形态、结构和性能 总被引:3,自引:0,他引:3
反应挤出;线性低密度聚乙烯和聚苯乙烯共混物的原位增容及其形态、结构和性能 相似文献
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