用开管和闭管法气相生长单磷化硼

从气相中热还原BBr_3和PCI_3,已经在硅衬底上外延生成1.0厘米~2×30微米大的单磷化硼的单晶层。 生长在{111}面上的层是闪锌矿结构的单磷化硼单晶,而在{100}面上的层是多晶。未掺杂的BP单晶层通常是n型的,其电阻率为5×10~(-3)欧姆·厘米。 用垂直闭管法也生成了BP小晶体,从实验中得到BP的迁移率是碘浓度的函数。     

新型非离子表面活性剂的合成与表征

环氧化合物;新型非离子表面活性剂的合成与表征;疏水间隔链;聚氧乙烯     

GaN深中心Zn的低温瞬态研究

本文研究了GaN:Zn的低温瞬态过程,同时测量了衰减中的时间分辨光谱,从两者测量的结果得出:2.89eV的光致发光寿命为300ns(2K).实验证实,Zn作为发光中心的同时也引起一些非辐射陷阱.2.89eV的瞬态曲线可分为两部分,在短时范围(1μs)内基本上是指数形式,可归结为导带中光激发的电子和束缚在ZnGa受主上空穴的复合.在长时范围(t>>1μs)内瞬态曲线则偏离了指数规律,相当好地符合Becqureal经验公式.     

民族乐器发声的物理解释

本以京胡、琵琶、唢呐为例,从物理学原理的角度对其发声机理进行了描述。     

SEOS/h-PEO共混物薄膜的微观分相结构

采用透射电子显微镜(TEM)观察由结晶性均聚物聚氧乙烯(h-PEO)与半结晶性嵌段共聚物聚苯乙烯-嵌-聚氧乙烯-嵌-聚苯乙烯(SEOS)组成的干、湿刷共混物薄膜结构.结果表明:4种共混系统的薄膜结构均由嵌段PEO和PEO均聚物组成球形PEO分散相;随着均聚物含量的增加,PEO分散相尺寸逐渐增大;当均聚物质量分数增大到33.3%时,在聚苯乙烯(PS)连续相中形成了类似胶束的"核-壳"结构.     

GaP∶NLED外延片微区光致发光和拉曼散射研究

在国内首次通过微区光致发光结合拉曼散射的方法研究了GaP∶N五层结构的绿色发光外延片 ,用非破坏性的光学方法得到了载流子浓度的纵向分布 ,确定了发光最强的部位在P-区而且不同的样品有不同的光致发光强度随厚度的衰减曲线 ,以此为表征 ,从国内外样品的比较中查找出提高国产样品的改进方向。     

用瞬态电容谱法研究GaAs1-xPxLED深能级及其对发光的影响

本文利用瞬态电容潜(DLTS)法测量了不同效率的GaAsxPxLED的深能级浓度、深度、俘获截面.发现效率高LED仅有一个明显的电子深能级△En=0.15eV和一个很弱的△En=0.33eV电子深能级,它们的俘获截面都小于1.5×10-14cm2,总的能级浓度小,约为1.4×1015cm-3.效率差的两只LED一般除有两个以上的电子能级还有两个空穴能级,它们的俘获截面甚至大到2.2×10-12和1.3×10-13cm2;从DLTS图还可以发现谱峰高而宽,说明杂质浓度大,总浓度分别为6.3×1015cm-3和3.4×1015cm-3.讨论了深能级对发光效率的影响.     

用MOCVD技术在Al2O3衬底上外延GaN的光致发光研究

本文通过变温和变激发强度的光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３上生长ＧａＮ单晶薄膜的带边发射，通过分峰拟合得到Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ四个谱峰，其中半峰宽分别为１３．８ｍｅＶ，１０．８ｍｅＶ，１５．６ｍｅＶ，和５０ｍｅＶ。Ａ对应自由激子谱，Ｂ，Ｃ为两种束缚激子的跃迁，Ｄ与氧杂质谱有关。     

掠入射X射线衍射方法对α相聚辛基芴（PFO）薄膜结晶性的分析

采用掠入射X射线衍射方法对α相均聚辛基芴(PFO)薄膜的结晶性进行了表征,并探讨了不同仪器构型对实验结果的影响.结果表明,与常规X射线衍射方法相比,掠入射X射线衍射可以消除或减小基底的干扰并增大薄膜的衍射信号,能明显地测量出α相PFO薄膜的各衍射峰.采用较大狭缝的测试系统得到的信号较大,但是仪器的宽化因子也随之增大,通过比较发现利用Scherrer公式计算微晶尺寸时求解真实宽化因子使用公式B2-b2较好.     

在Si衬底上异质外延GaAs薄膜变激发强度的近红外光致发光

通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个带谱的发光特性，表明这两个带均属于施主－受主对复合发光。由于发光带中存在着电子－声子耦合，所以应在施主－受主对复合发光能量表示式中计及Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，从而对复合发光能量表示式进行修正。通过对复合发光带能量随激发强度变化的实验曲线和理论表达式的拟合，确定了峰值为１．１３ｅＶ与１．０４ｅＶ这两个发光带深施主－受主对的束缚能之和分别为０．３００ｅＶ和０．４０１ｅＶ。