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221.
Simulation of Phase-Change Random Access Memory with Ring-Type Contactor for Low Reset Current by Finite Element Modelling 下载免费PDF全文
A three-dimensional finite element models for phase change random access memory (PCRAM) is established to simulate thermal and electrical behaviours during RESET operation. The RESET behaviours of the conventional structure (CS) and the ring-type contact in bottom electrode (RIB) are compared with each other. The simulation results indicate that the RIB cell has advantages of high heat efficiency for melting phase change material in cell, reduction of contact area and lower RESET current with maintaining good resistance contrast. The RESET current decreases from 1.26mA to 1.2mA and the heat consumption in CST material during programming increases from 12% to 37% in RIB structure. Thus the RIB structure PCRAM cell is suitable for future device with high heat efficiency and smaller RESET current. 相似文献
222.
223.
X型簧片哨超声乳化强化器是根据对簧片哨工作特性的研究并结合工业应用的实际要求而定型设计的,它除具有结构简单、工作牢靠、成本低等簧片哨一般优点外,其最大特点在于采用适当低弯曲刚度的簧片,因而能在宽喷口厚度(可达2mm)、宽工作压力范围(4-8kg/cm~2)下稳定工作并获取高声强和强空化场, 相似文献
225.
介绍了作者运用多组态自洽场/组态相互作用及相对论组态相互作用的相对论从头计算方法研究重原子簇的化学,光谱性质组的结果, 相对论效应对重要子簇化学,光谱性质的重要影响。 相似文献
226.
采用有机/无机复合双层电子传输层(ETL)研制绿色QLEDs,其中有机ETL采用OLED中常见的ETL材料,无机ETL采用ZnO纳米颗粒,并通过调控有机ETL厚度改变电子注入,使电子/空穴达到平衡。制备的器件结构为:ITO/PEDOT:PSS/TFB/QDs/ZnO NPs/TPBI:Liq/Al,其中有机电子传输层TPBI:Liq采用真空蒸镀沉积。与仅采用ZnO电子传输层的器件相比,可以使器件性能得到大幅提升:器件的最大电流效率从11.53 cd/A提升到22.77 cd/A,同时器件的启亮电压、电致发光光谱无明显变化。判断有机ETL的主要作用是抑制了过量电子的注入和传输,在发光亮度变化不大的情况下,降低了器件的无效复合(例如俄歇复合)电流,从而使电流效率明显提升。 相似文献
227.
大功率行波管通常利用复合管壳提升高频系统的集成度和散热特性。宽带行波管采用复合管壳高频制造工艺时,由于加载翼片含有铁磁性材料(纯铁)使得聚焦系统的横向磁场分量变大,径向和角向磁场分量呈非均匀性,电子注聚焦困难。本文研究了周期永磁聚焦系统横向磁场产生的原因并建立理论模型,并对磁场分量和其对电子注形态的影响进行了仿真,仿真结果与理论计算结果一致。根据横向磁场分布模型对加载翼片的形状和数量进行优化仿真,结果表明9片齿形加载翼片方案可在保持慢波电路参数的同时,降低聚焦系统的横向磁场分量,改善电子注聚焦效果。 相似文献
228.
在室温下,乙二胺环境中合成了高度有序的介孔材料MCM-41,并将经热处理的发光客体Tb(aspi-rin)3phen组装进其孔道,通过激发发射光谱对其光致发光性能进行了研究。结果表明,Tb(aspirin)3phen240~375 nm区间的宽激发峰归属于配体aspirin羰基n→π*跃迁、苯环π→π*跃迁,和phen的杂菲基团吸收,Tb3 的特征发射是由于Antenna效应引起的。相对于纯Tb(aspirin)3phen,Tb(aspirin)3phen-MCM-41B和Tb(aspirin)3phen/MCM-41A的激发谱带出现了明显的分裂,而Tb(aspirin)3phen-MCM-41A只在353nm处剩下了相对较窄的单峰。Tb(aspirin)3phen-MCM-41B,Tb(aspirin)3phen/MCM-41A和Tb(aspirin)3phen-MCM-41A的短波段激发峰依次减弱消失,长波段激发峰逐渐增强,而405 nm发射峰强度IL和544 nm发射峰强度ILn的比值I(I=IL/ILn)依次减小。MCM-41骨架与Tb(aspirin)3phen成键后,不同程度降低了配体aspirin和phen单重态S1和三重态T1能级,且对phen的影响大于aspirin。不同的MCM-41表面晶格场对配体能级的影响顺序为:MCM-41B外表面>MCM-41A外表面>MCM-41A内表面。I值可定性表示MCM-41表面晶格场对配体能级影响程度和MCM-41表面Tb(aspirin)3phen的含量。 相似文献
229.
二极管泵浦固体激光器(DPL)具有寿命长、热负载小、结构紧凑等优点,在工业加工、军事、通讯等领域都得到了广泛的应用。在高光束质量、高平均功率DPL激光器的研究中,目前普遍采用MOPA结构的光路布局——由谐振腔产生出低功率的单横模激光输出,经多路放大后达到满足需求的功率水平。而激光放大模块作为放大光路中的核心部件,其增益分布特性将直接影响到光束放大过程中的波前变化,因此如何在提高激光放大模块储能的同时提高模块增益分布的均匀性,从而减少光路放大过程的波前畸变,对于进一步研制高平均功率、高光束质量的半导体泵浦固体激光器具有非常重要的意义。 相似文献
230.