首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   327篇
  免费   93篇
  国内免费   88篇
化学   153篇
晶体学   8篇
力学   32篇
综合类   17篇
数学   50篇
物理学   248篇
  2024年   3篇
  2023年   6篇
  2022年   11篇
  2021年   11篇
  2020年   11篇
  2019年   15篇
  2018年   11篇
  2017年   10篇
  2016年   13篇
  2015年   13篇
  2014年   24篇
  2013年   7篇
  2012年   17篇
  2011年   20篇
  2010年   32篇
  2009年   24篇
  2008年   27篇
  2007年   30篇
  2006年   29篇
  2005年   26篇
  2004年   29篇
  2003年   20篇
  2002年   12篇
  2001年   8篇
  2000年   18篇
  1999年   4篇
  1998年   14篇
  1997年   13篇
  1996年   12篇
  1995年   4篇
  1994年   5篇
  1993年   7篇
  1992年   5篇
  1991年   5篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
  1988年   2篇
  1987年   4篇
  1986年   2篇
  1985年   1篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有508条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
本文通过对新疆农业生产函数的分析。讨论了生产要素转移情况。得出:1 新疆的土地资源已经过度使用;2 劳动力资源潜力很大,其转移方向正从流向第三产业转向第二产业;3 新疆农业资金缺乏,部分农业资金被非农业侵占。  相似文献   
52.
采用基于密度泛函理论的B3LYP方法和从头算的MP2方法,结合自洽反应场理论的SMD模型,研究了布洛芬(Ibu)分子2种稳定构象的旋光异构反应。研究发现:Ibu的旋光异构有氢氧根拔α-氢和氢氧根水分子簇联合拔α-氢两种机理。势能面计算表明:对于构象1,氢氧根拔α-氢时旋光异构的决速步骤能垒为42.69kJ·mol~(-1),氢氧根水分子簇联合拔α-氢时旋光异构的决速步骤能垒为48.83kJ·mol~(-1);对于构象2,氢氧根拔α-氢时旋光异构的决速步骤能垒为38.73kJ·mol~(-1),氢氧根水分子簇联合拔α-氢时旋光异构的决速步骤能垒为50.72kJ·mol~(-1)。质子的存在会使Ibu旋光异构反应的后半程变成无势垒放热反应。结果表明,水液相碱性环境下布洛芬分子可以较快地旋光异构,质子与氢氧根离子共存会使Ibu旋光异构的反应速度更快。  相似文献   
53.
报道了一种单颗粒微电极制备新方法, 并研究了LaNi4.7Al0.3球形单颗粒微电极的电化学行为.  相似文献   
54.
多壁MoS2纳米管的低温催化制备   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
在H2 + CH4 + C4H4S催化还原气氛中, 于300℃加热分解高能球磨后的前驱体(NH4)2MoS4. 用XRD, SEM, TEM, HRTEM, EDX和BET对反应产物进行了分析表征. 实验结果表明反应产物是多壁的MoS2纳米管, 它们的长度可达3~5 mm, 内径约为15 nm, 外径约为30 nm, 层间距为0.62 nm. 实验测定了MoS2纳米管N2吸/脱附等温曲线及孔径大小分布. 这种低温催化热反应对该类纳米管的规模制备有着十分重要的意义.  相似文献   
55.
ZnO压敏电阻陶瓷是一种典型的“晶界特性”功能陶瓷材料,材料的宏观电学特性与陶瓷的显微组织结构有密切联系。由于ZnSb尖晶石相在使ZnO基压敏电阻陶瓷显微形貌细化和均匀化方面有明显促进作用,自ZnO基压敏电阻发明以来.ZnSb尖晶石在其中的形成机理就成为该陶瓷研究领域的热点。  相似文献   
56.
本提出了以任务工期最短作为主要目标的分配问题,并给出了其最优解的求法。在此基础上,给出了任务工期最短条件下总效益值最大的分配问题的解法,最后又对该解法作一定的推广。  相似文献   
57.
58.
采用流延热压工艺制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)/聚偏氟乙烯(PVDF)?聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜,研究了PMMA含量对复合材料微观组织结构和介电性能的影响规律。结果表明,BST相能够均匀分散在聚合物基体中,归因于PMMA与PVDF良好的相容性,2种聚合物之间的界面不分明;随着PMMA含量的增加,复合材料的介电常数先降低后升高,耐击穿强度和介电可调性先增加后减少。PMMA含量(体积分数)为15%的BST/PVDF?PMMA15复合材料的综合性能最佳:介电常数为23.2,介电损耗为0.07,耐击穿强度为1412 kV·cm-1,在550 kV·cm-1偏压场下,介电可调性为26.2%。  相似文献   
59.
描述了B-dot探头测量脉冲电子束流强度和束质心位置的原理,分析了B-dot探头工作于自积分和微分模式的条件,并根据所测电子束流信号的前沿和脉冲宽度特点,确定B-dot探头工作于微分模式,设计其电感参数约为60 nH。在电子束流模拟装置上对B-dot探头的灵敏度系数和偏心曲线进行了标定,标定得到B-dot探头及测试线路的灵敏度系数为4 147 A/V。将探测器安装在神龙一号加速器上进行束测实验,多次实验结果表明该探测器可以实现电子束流强度和质心位置的准确测量。  相似文献   
60.
利用普通电学测量方法,通过不同加热率和保温温度测量了非晶态磁性材料的电阻率随温度变化情况,找到了非晶体磁性材料的晶化温度及其变化规律.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号