Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes

This paper analyses the reverse recovery characteristics and mechanism of SiGeC p-i-n diodes. Based on the integrated systems engineering (ISE) data, the critical physical models of SiGeC diodes are proposed. Based on heterojunction band gap engineering, the softness factor increases over six times, reverse recovery time is over 30% short and there is a 20% decrease in peak reverse recovery current for SiGeC diodes with 20% of germanium and 0.5% of carbon, compared to Si diodes. Those advantages of SiGeC p-i-n diodes are more obvious at high temperature. Compared to lifetime control, SiGeC technique is more suitable for improving diode properties and the tradeoff between reverse recovery time and forward voltage drop can be easily achieved in SiGeC diodes. Furthermore, the high thermal-stability of SiGeC diodes reduces the costs of further process steps and offers more freedoms to device design.     

硫酸铵母液除氯及其对结晶影响

硫酸铵母液中Cl^-不断循环富集导致设备腐蚀严重,同时影响硫酸铵结晶及品质。本文运用硫酸钙铝法和脱硫灰铝法分别对硫酸铵母液进行除氯研究,采用筛分法对晶体粒径进行分析、扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM）对晶体尺寸、形貌进行表征,X射线衍射仪（X-ray Diffractometer,XRD）分析晶体物相。研究表明：除氯剂最佳投加量为3.0 g硫酸钙和0.8 g偏铝酸钠,3.0 g脱硫灰和0.8 g偏铝酸钠,对应除氯率分别为31.70%和36.38%。在转速200 r/min,反应温度为75 ℃,两种除氯剂加入会使ρ（Cl^-）快速下降,此为Cl^-与Ca²⁺和AlO₂^-反应形成了不溶钙铝氯化合物;除氯剂加入过量会使NaAlO₂发生双水解,解离出OH^-,抑制Cl^-与Ca²⁺、AlO₂^-反应,导致Cl^-去除率下降。硫酸钙铝法所产生的钙铝氯化合物会附着在晶粒活性表面进而增大硫酸铵结晶介稳区宽度,抑制晶体正常生长,导致结晶量减少;脱硫灰铝法中杂质金属可将OH^-消耗和减小硫酸铵结晶介稳区宽度,所含大量SO₄^2-会使硫酸铵结晶量增加,但晶体纯度降低。相关研究结果可为减少氨法脱硫设备腐蚀及优化硫酸铵结晶提供参考。     

超级质子-质子对撞机中束流热屏的热-结构耦合模拟分析

束流热屏(beam screen)是新一代高能粒子对撞机中的重要部件,用于将束流在管道中运行时产生的热量转移到冷却系统中,同时通过束流热屏上的排气孔将残余气体输送至冷管壁上,维持良好的真空度.然而,在转移热负载的过程中,温度变化产生的形变会影响束流热屏的结构稳定性.如何在保证束流热屏良好传热性能的情况下,尽量减小形变是优化束流热屏结构设计的关键问题之一.本文采用ANSYS软件对束流热屏模型的传热性能和力学性能进行了模拟,并优化了束流热屏结构设计,增强其传热性能和结构稳定性.对于束流热屏外屏的内表面,采用减小铜涂层厚度的方式来降低运行过程中产生的洛伦兹力.相关理论模型计算结果表明:与厚度为100μm的铜涂层工况相比,当铜涂层的厚度在0到100μm之间变化时,厚度为75μm的铜涂层可以使束流热屏外屏的最大形变降低70.9%,同时使束流热屏的最高温度升高1.1%.对于束流热屏内屏,采用间隔布置支撑肋片的设计方案对束流热屏的结构进行加固处理,提高束流热屏整体的结构稳定性.计算结果表明:与未加支撑肋片的工况相比,当相邻两个支撑肋片之间的间隔为1个排气孔时,束流热屏内屏的最大形变可降低86.8%,同时使束流热屏的最高温度降低7.69%.研究成果为新一代高能粒子加速器真空系统中关键部件束流热屏的设计提供重要的理论参考.     

对数学教育改革的思考

对数学教育改革的思考高勇（山西吕梁教育学院０３３０００）１反映当前教学教育状况及倾向的观点１．１在每个人的整个学习过程中（幼儿园→小学→中学→大学以至研究生）学得多的是数学．但是由于种种原因数学教学相当程度地日益背离我们的实际生活与工作，成为形式地从...     

分形图像压缩技术的数学基础

分形图像压缩技术是近年来产生的新的黑种人压缩技术，它以分形几何为数学基础。本文综述了这一技术的基本原理、数学基础及最新进展，包括迭代函数系统理论，迭代函数系统反问题，图像生成算法，基本思想与实现技术等等，同时也提出了一些有待深入研究的方向。     

带随机过程的随机规划问题最优解过程的平稳性与马氏性

证明了带随机过程的随机规划问题其最优争集中至少存在一列最优解均为可测的随机过程；且如果问题中的随机过程具有平稳性与马氏性，则此时间问题的最优解过程亦具有相应的特性。     

超空间上的选择算子理论与集值随机过程

本文首次引入了超空间(子集空间)上选择算子概念,给出了几类选择算子的存在定理。作为它们的应用,给出了集值随机变量同分布的选择刻画;圆满解决了依分布收敛集值随机变量列的向量值选择问题;研究了集值随机过程的正则选择与Markov选择,给出了集值Markov过程的离散化定理,证明了紧凸集值渐近鞅的向量值渐近鞅选择存在定理。     

杨氏模量实验的改进

杨氏模量实验的改进王光学（四川大学光电系成都６１００６４）高勇，赵文革（贵州教育学院物理系贵阳５５０００３）伸长法测量杨氏模量是一传统实验．该实验装置存在两点不足：一是调节困难，特别是刚开始接触光杠杆的学生，往往调了多时仍不能从望远镜中看到标尺的像；...     

FRP-混凝土界面粘结行为的参数影响研究

FRP-混凝土界面的粘结性能对FRP加固混凝土结构力学行为和破坏模式有着重要影响。本文对表征FRP-混凝土界面粘结性能的三个重要参数(界面初始刚度、最大剪应力、界面破坏能)开展研究,通过13个单剪试件的试验考察了混凝土强度、胶层厚度和粘结长度等因素对界面粘结行为的影响,根据试验结果拟合了界面破坏能、最大剪切应力与胶层剪切刚度、混凝土强度之间的函数关系。在试验研究基础上,构建了外贴FRP-混凝土界面粘结的有限元模型。通过有限元分析考察了界面破坏能等三个参数不变的前提下,不同的局部粘结滑移本构关系对界面粘结行为的影响;进而研究了其中一个参数变化时引起的界面粘结性能改变。研究结果表明:界面粘结承载力随着胶层厚度增加而逐渐提高;胶层厚度与界面破坏能成正比,与峰值剪应力成反比;当界面破坏能等三个参数保持不变时,局部粘结滑移本构关系对FRP-混凝土界面粘结性能的影响较小;三个参数中的一个增大时将延缓界面破坏的过程。     

超结硅锗碳异质结双极晶体管机理研究与特性分析优化

提出一种超结硅锗碳异质结双极晶体管(SiGeC HBT)新结构.详细分析了新结构中SiGeC基区和超结结构的引入对器件性能的影响,并对其电流输运机制进行研究.基于SiGeC/Si异质结技术,新结构器件的高频特性优良;同时超结结构的存在,在集电区内部水平方向和垂直方向都建立了电场,二维方向上的电场分布相互作用大大提高了新结构器件的耐压能力.结果表明:超结SiGeC HBT与普通结构SiGeC HBT相比,击穿电压提高了48.8%;更重要的是SiGeC HBT器件中超结结构的引入,不会改变器件高电流增益、高频率特性的优点;新结构器件与相同结构参数的Si双极晶体管相比,电流增益提高了10.7倍,截止频率和最高震荡频率也得到了大幅度改善,很好地实现了高电流增益、高频率特性和高击穿电压三者之间的折中.对超结区域的柱区层数和宽度进行优化设计,随着柱区层数的增多,击穿电压显著增大,电流增益有所提高,截止频率和最高震荡频率减低,但幅度很小.综合考虑认为超结区域采用pnpn四层结构是合理的.