以四氟对苯二甲酸为配体构建的两个铅的配位聚合物：合成、晶体结构和荧光性质

在4-甲基咪唑/三氮唑存在下,利用四氟对苯二甲酸为配体、与Pb(NO3)2作用,得到了2种配位聚合物{[Pb(tfbdc)(H2tfbdc)0.5]·(4-MI)·(H2O)}n(1)和{[Pb(tfbdc)(H2O)2]}n(2)(H2tfbdc=四氟对苯二甲酸,4-MI=4-甲基咪唑),并用红外光谱、元素分析和X-单晶衍射对其进行了表征。化合物1属于单斜晶系,空间群为P21/n,化合物2属于三斜晶系,空间群为P1。配合物1中,铅离子依靠正常的Pb-O键和次级键Pb…O,与7个氧原子配位;tfbdc2-阴离子和H2tfbdc分别采用不同的配位方式桥联铅离子,导致1个具有孔道的三维结构的形成。而4-甲基咪唑和游离水分子通过氢键作用嵌在这三维结构的孔道中。π-π堆积作用的存在增强了1的稳定性。配合物2中,铅离子是位于8个氧原子的配位环境中,tfbdc2-阴离子以螯合和桥联的方式与铅离子作用,导致1个二维层状结构的形成。此外还考察了1和2的热稳定性和固体荧光性质。     

基于四氟对苯二甲酸为配体的两个锌(Ⅱ)的配合物的合成、晶体结构和荧光性质

本文以四氟对苯二甲酸(H2tfbdc)和2,2′-联吡啶(bpy)为配体,合成了2个锌(Ⅱ)的配合物[Zn2(bpy)4(Htfbdc)2(tfbdc)](1)and[Zn(bpy)(H2O)2(tfbdc)](2)。并用元素分析、红外光谱、X-射线单晶衍射结构分析、热重分析等对其进行了表征。化合物1和2均属于三斜晶系,空间群为P1。配合物1和2中的锌(Ⅱ)离子分别位于畸变的八面体和畸变的三角双锥构型中。配合物1为双核结构,它们通过分子间氢键进一步形成一个二维的结构;配合物2是一个单核的两性离子,两性离子间通过氢键形成一个三维的空间网状超分子结构。考察了两种配合物的固体荧光性质。     

含有未配位羧基的吡唑羧酸基镉和铜的配合物的合成、晶体结构和荧光性能

以菲咯啉和3,5-二甲基-1-羧甲基-4-吡唑甲酸为配体,合成了2个新的配合物[Cd(Hcmdpca)2(phen)(H_2O)](1)和[Cu2(Hcmdpca)2(phen)4(NO3)2]·4H_2O(2)(H2cmdpca=3,5-二甲基-1-羧甲基-4-吡唑甲酸;phen=菲咯啉),并用红外光谱、元素分析、热重分析和X射线单晶衍射结构分析等对其进行了表征。配合物1和2都属于单斜晶系,1和2的空间群分别为C2/c和P21/c。配合物1的镉离子采取七配位的方式,Hcmdpca-阴离子桥联2个镉离子形成一个双核结构;这些双核结构单元间通过分子间氢键及π-π相互作用构成一个三维的超分子结构。配合物2是一个由2个分立的单核铜配阳离子构成的独立单元,铜离子位于一个畸变的八面体构型中;这些单核铜配阳离子和硝酸根通过静电引力和分子间氢键作用,进一步形成一个三维的超分子结构,而溶剂水分子填充在该结构的空隙中。此外还考察了1和2的热稳定性和固体荧光性质。     

惯性技术中集成控制减振的研究

本文针对惯性技术对防振减振的高要求，提出采用集成控制减振，并通过数字仿真证实其有效性。分析了几种减振系统，其中以ＦＵＺＺＹ／ＰＩＤ串联控制集成减振系统性能最优。     

晶粒尺寸对Ba0.70Sr0.30TiO3陶瓷介电性能的影响规律及机理研究

通过制备晶粒尺寸处于0.1-10 μm之间的致密Ba0.70Sr0.30TiO3陶瓷,系统研究了晶粒尺寸对居里温度TC、铁电相介电常数εF、峰值介电常数εM的影响规律,并深入分析了其内在的影响机理.研究表明:晶粒尺寸减小时,TC刚开始基本不变,直到晶粒尺寸小到一定程度时才开始降低,此变化规律可由Buesseum的内应力模型解释;随晶粒尺寸的增加,εF先增加后减小,此变化规律可由Shaikh的串并联模型来解释,主要影响因素有内应力、畴、晶界;εM随晶粒尺寸的增加,在晶粒尺寸较小时先增加后减小,晶粒尺寸较大时略有增加,此变化规律可由弥散相变理论和串并联模型共同解释,在晶粒尺寸较小时主要影响因素为内应力、微畴和晶界,晶粒尺寸较大时主要影响因素为晶界.     

红外光谱法快速测定润滑油添加剂

利用ＰＥ－ＦＴＩＲ红外光谱仪及ＰＥ公司“Ｑｕａｎｔ”计算机软件,测定润滑油添加剂单剂与复合剂含量,实际测定了１５Ｗ／４０ＳＥ、１５／３０ ＳＥ／ＣＤ、１５／Ｗ４０ＣＤ、１５Ｗ／３０ＣＣ油品试样。测量范围为０．２％￣９０％,测定相对误差小于１０％。     

Ca8Mg(SiO4)4Cl2中Ce3+和Eu2+的光谱性质和能量传递

首次合成了Ｃｅ＾３＋和Ｅｕ＾２＋共激活氯硅酸镁钙Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋，Ｅｕ＾２＋高效绿色荧光粉，报道了它们的漫反射光谱、激发和发射光，观察到氯硅酸镁钙中Ｃｅ＾３＋ Ｅｕ＾２＋     

双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrdinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.     

Single-Photon Detection at Telecom Wavelengths

A single-photon detector based on an InGaAs avalanche photodiode has been developed for use at telecom wavelengths. A suitable delay and sampling gate modulation circuit are used to prevent positive and negative transient pulses from influencing the detection of true photon induced avalanches. A monostable trigger circuit eliminates the influence of avalanche peak jitter, and a dead time modulation feedback control circuit decreases the afterpulsing. From performance tests we lind that at the optimum operation point, the quantum efficiency is 12% and the dark count rate 1.5 × 10^-6 ns^-1, with a detection rate of 500 kHz.     

锂硼钒酸盐玻璃的~(11)B核磁共振研究

用~(11)B连续波核磁共振谱研究了锂硼钒酸盐玻璃的结构,测量了BO_4,BO_(3s)和BO_(3A)各结构单元的比例。实验表明,锂硼钒酸盐玻璃中N_4的最大值近似为一常数,与V_2O_5的含量无关。Li_2O被V_2O_5和B_2O_3分享。并推测V_2O_5与B_2O_3可能结合生成(BV_(4.5)基团。