外源性假性性早熟女童临床检测数据的R型分析

本文对江西省儿童医院近年来收治的 1 2 7例外源性假性性早熟女童的临床检测数据进行 R型分析 ,推导出衡量女童外源性假性早熟病情的综合指标 ,为临床诊治工作提供了一定的理论依据     

任意形状载流线圈在Pm“延长线”上和“中垂面”上远处一点激发的磁场

文章用普通物理的方法计算了任意形状载流线圈的过线圈几何中心且与Ｐｍ平行的直线上和过线圈几何中心且与Ｐｍ垂年的平面上的远处点激发的磁场。     

重力梯度仪的现状和前景

本文论述了重力梯度仪在惯性导航、地球科学、地质科学中的重要作用以及重力梯度仪的现状和前景,着重评述了旋转加速度计重力梯度仪、静电加速度计重力梯度仪和超导重力梯度仪的现状和发展,最后指出了对重力梯度仪的应用和发展需要进一步研究的问题.     

4-[(1,3-二氧代丁基)氨基]苯甲酸稀土配合物的合成、表征及发光性质

在乙醇体系中,由主配体4-[(1,3-二氧代丁基)氨基]苯甲酸(H2L,C11H11NO4)、稀土硝酸盐及辅助配体邻菲啰啉(phen)反应合成了两个系列8个配合物[Ln2(L)3(H2O)4]n(Ln=Sm(1),Eu(2),Tb(3),Dy(4));[Ln2(NO3)2(L)2(phen)2]n(Ln=Sm(5),Eu(6),Tb(7),Dy(8))。用元素分析、红外光谱、摩尔电导、热重分析进行表征,确定了产物的化学组成,推断了相应的结构。测定了室温时固体产物的激发和发射光谱,结果表明:由主辅配体共同配位的三元配合物的发光强度好于无辅助配体参与的二元配合物。测定了三元配合物的荧光寿命,其中铕和铽配合物显示较长的荧光寿命。     

基于掺铒光纤/喇曼混合放大的光纤激光器布喇格光栅传感系统

提出了一种提高长距离光纤布喇格光栅信噪比以进行准分布测量的新方法.该方法基于掺铒光纤/喇曼混合放大的光纤激光器结构,掺铒光纤和滤波器构成的环形结构产生激光作为光源,喇曼光纤放大器对布喇格光栅信号进行低噪音的双向放大,置于远处的掺铒光纤利用剩余的泵浦功率产生自发辐射光和放大传感信号,为远处掺铒光纤之后的布喇格光栅传感器提供信号光以及补偿由于长距离传输造成的光纤损耗.实验显示,与使用宽带光源的传感方式相比,系统的性能得到显著提高,仅使用小功率泵浦,分布在50 km光纤上的FBG均获得了超过58 dB的优良信噪比.     

新型含吡唑环的N-甲氧基氨基甲酸甲酯类化合物的设计、合成及生物活性

以苯(吡啶)乙/丙酮类化合物为原料, 经酯化、环化和缩合三步制得新型含吡唑环的N-甲氧基氨基甲酸甲酯类化合物3a~3r, 化合物及其中间体的化学结构经红外光谱、核磁共振谱及元素分析确认. 生物活性结果表明, 化合物3在400 mg/L下分别对水稻稻瘟病、黄瓜霜霉病和小麦白粉病具有很好的防治效果. 对水稻稻瘟病, R₁为甲基或甲氧基取代的苯基时活性最好; 对于黄瓜霜霉病和小麦白粉病, R₁为苯基或甲基取代苯基的化合物杀菌活性优于其它化合物, R₂为甲基的化合物杀菌活性优于R₂为氢的化合物.     

含3，4-吡唑二甲酸锰(Ⅱ)/锌(Ⅱ)配合物的合成、结构和荧光性能

在不同的含N辅助配体咪唑(ImH)和5-(4-吡啶基)四唑(4-PT)的存在下,将3,4-吡唑二羧酸(H₃pdc)与相应的Mn(Ⅱ)/Zn(Ⅱ)金属盐反应制得2种配合物：[Mn(Hpdc)(ImH)(H₂O)]_n(1)和[Zn(Hpdc)(4-PT)(H₂O)₃]·2H₂O(2)。在一维配位聚合物1和单核配合物2中,Hpdc^2-配体分别采用μ₂-κ∶O,N;κ∶O'',O″和O,N-螯合的配位模式,而且1和2中的ImH和4-PT辅助配体均为单齿配位。在O—H…O和O—H…N分子间氢键的作用下,配合物1中的1D聚合链堆积成了三维的超分子结构。2中,相邻[Zn(Hpdc)(4-PT)(H₂O)₃]单元在O—H…O和O—H…N分子间氢键的作用下堆积形成2D结构,这些2D层状结构与结晶水分子进一步连接形成了三维超分子结构。此外,还考察了配合物1和2的荧光性能以及配合物1的电化学性质。     

两个基于羧基-水分子链构筑的超分子镉配合物的合成、晶体结构和荧光性质

以5甲基-3-吡唑甲酸(H₂MPCA)为主配体,在螯合配体菲咯啉(phen)或2,2'-联吡啶(2,2'-bpy)的存在条件下,与醋酸镉在常温下反应得到2个基于氢键构筑的羧基-水分子链的超分子化合物,[Cd(HMPCA)₂(2,2'-bpy)]·2H₂O(1)和[Cd(HMPCA)₂(phen)]·2.5H₂O(2),并通过元素分析、红外光谱、热重分析、X-射线衍射等对其结构进行了表征.结构分析表明,在化合物1和2中,单核镉的配合物和游离水分子通过氢键及π…π堆积作用形成了三维超分子结构,在此过程中,游离水和羧基构筑的链状水分子簇起着非常重要的作用.此外,我们还研究了化合物1和2的热重和荧光性质.     

择优取向生长的Gd2O3高K栅介质薄膜

使用射频磁控溅射法在n型Si(001)基片上生长了Gd2O3薄膜。X射线衍射扫描研究和高分辨透射电子显微镜观察表明,薄膜由立方相和单斜相混合构成,且表现出立方(111)晶面和单斜(401)晶面的择优取向生长。XPS分析表明薄膜的元素组成接近化学计量比。电性能测试发现,薄膜拥有合适的介电常数,较小的漏电流密度和较大的击穿场强,厚度为15 nm的薄膜介电常数为23,漏电流密度为3.6×10-5A.cm-2(偏压为 1 V时),击穿场强为3.5 MV.cm-1。