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201.
基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.
关键词:
单轴应力硅
k·p法')" href="#">k·p法
价带结构 相似文献
202.
203.
Based on the multi-coincidence measurement, the time resolution of three liquid scintillation detectors (BC501A) were determined strictly by solving the coincidence equations, where the influence from electronics estimated by self coincidence measurement as well as the background had been considered. The result of this work agreed well with the result that was deduced from the traditional method, and it will be helpful to analyze the energy resolution of neutron time of flight spectra measured by using such detectors at CIAE (China Institute of Atomic Energy). 相似文献
205.
207.
208.
210.
将离散的平均场Ising模型转换为连续的模型,给出了显式差分格式。利用有界延拓法,证明了差分解的收敛性与稳定性。最后通过数值例子说明了此格式的可信性。 相似文献