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本文通过简单的一步水热法得到Ni2P-NiS双助催化剂,之后采用溶剂蒸发法将Ni2P-NiS与g-C3N4纳米片结合构建获得无贵金属的Ni2P-NiS/g-C3N4异质结。研究结果表明,优化后的复合材料具有良好的光催化产氢活性,其产氢速率最高可到6892.7 μmol·g-1·h-1,分别为g-C3N4 (150 μmol·g-1·h-1)、15%NiS/g-C3N4 (914.5 μmol·g-1·h-1)和15%Ni2P/g-C3N4 (1565.9 μmol·g-1·h-1)的46.1、7.5和4.4倍。这主要归因于Ni2P-NiS相比Ni2P和NiS单体具有更好的载流子转移能力,其与g-C3N4形成的肖特基势垒能有效促进光生载流子在二者界面上的分离,同时Ni2P-NiS能进一步降低析氢过电势,进而显著增强了表面析氢反应动力学。本研究为开发稳定、高效的非贵金属产氢助剂提供了实验基础。 相似文献
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153.
脉冲直流等离子体增强化学气相沉积Ti—Si—N纳米薄膜的摩擦磨损特性 总被引:3,自引:1,他引:3
采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti—Si—N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构、组成和化学状态;采用球-盘高温摩擦磨损试验机考察了薄膜同GCrl5钢对摩时的摩擦磨损性能.结果表明:薄膜的Si含量在0%~35%范围内变化,随着Si含量增大,薄膜沉积速率增大,但薄膜由致密形态向大颗粒疏松态过渡;薄膜的晶粒尺寸为7~50nm;Ti—Si—N薄膜的显微硬度高于TiN的硬度,最高可达60GPa;引入少量Si可以显著改善TiN薄膜的抗磨性能,但薄膜的摩擦系数较高(室温下约0.8、400℃下约0.7);随着Si含量的增加,Ti—Si—N薄膜的耐磨性能有所降低,其原因在于引入导电性较差的Si元素使得薄膜的组织变得疏松. 相似文献
154.
155.
一类半线性积分微分方程初边值问题的爆破解和全局解 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究初边值问题的爆破解和全局解,证明了在f的凸性假设和一定的增长性假定下解在有限时刻爆破,而在f的其他假设下证明了全局解的存在性。 相似文献
156.
利用自组的光纤探头式光谱仪对载体肉类表面进行光谱测量,采用反向传播人工神经网络(BP-ANN)对肉类可见光谱进行识别,分析了隐层神经元、期望误差、判别输出范围等网络参数的调整对识别功能的影响.基于大量实测数据样本,优化网络结构参数选择,建立了良好的人工神经网络,对肉类光谱识别率达到97.5%. 相似文献
157.
158.
159.
西北第二民族学院是一所综合性的高等学府。学院的经济管理系从1995年开始招生,就聘请我代珠算课。教学安排每个班开一个学期的珠算课,约30多个课时,要求普通五级毕业,按定级水平评定珠算课的结业成绩,考不上级的学期成绩不及格。 四年多来,学生学习结业珠算的定级水平逐年提高,95、96两届最高定到普三级,97 相似文献
160.
Nb/Al-AlOx/Nb tunnel junctions are often used in the studies of macroscopic quantum phenomena and superconducting qubit applications of the Josephson devices. In this work, we describe a convenient and reliable process using electron beam lithography for the fabrication of high-quality, submicron-sized Nb/Al-AlOx/Nb Josephson junctions. The technique follows the well-known selective Nb etching process and produces high-quality junctions with Vm=100 mV at 2.3 K for the typical critical current density of 2.2 kA/cm^2, which can be adjusted by controlling the oxygen pressure and oxidation time during the formation of the tunnelling barrier. We present the results of the temperature dependence of the sub-gap current and in-plane magnetic-field dependence of the critical current, and compare them with the theoretical predictions. 相似文献