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281.
AlmN+(m = 3~9)团簇的结构与稳定性 总被引:2,自引:0,他引:2
用密度泛涵理论(DFT)的B3LYP方法在6-31G水平上对AlmN+(m=3~9)团簇的几何构型、电子结构、振动频率等性质进行了理论研究,通过对基态结构的几何参数分析发现,m≥4的结构中AlN键和AlAl键共存。对团簇能量讨论的结果表明,m为偶数的AlmN+团簇比m为奇数的稳定。 相似文献
282.
建立了高效液相色谱法测定蜈蚣草中二苯砷酸的分析方法。样品采用0.1mol·L-1磷酸氢二钠溶液振荡提取4h,高速离心,上清液以Shimadzu VP-ODS反相C18柱为分离柱,以乙腈-0.02mol·L-1磷酸二氢钾溶液(16+84)作为流动相进行洗脱,检测波长为220nm。二苯砷酸的质量浓度在0.20~2.0 mg·L-1范围内与其峰面积呈线性关系,方法的检出限(3S/N)为2.8mg·kg-1。对空白样品进行加标回收试验,加标回收率在98.5%~98.8%之间,测定值的相对标准偏差(n=5)为0.97%~4.6%。方法可应用于蜈蚣草中二苯砷酸的检测。 相似文献
283.
主要采用累积Logits转移模型分析有序纵向睡眠障碍数据.目的是分析治疗具有睡眠障碍病人的新药的疗效是否显著;起始时刻分到新药组和安慰剂组的人数是否做到随机性;以及经过一段时间的治疗,药物对每类病人的疗效如何.结论表明,整体上来说,药物的疗效显著;起始条件是随机的;药物对病情不同的病人疗效不同,对病情较严重的病人,药物的疗效更显著. 相似文献
284.
变参量微纳结构在二维平面内交叉、分段排布可以实现超表面器件的多路复用和多功能集成。为实现交叉、分段变参量微纳结构的干涉制备,提出了孔径光阑与相位元件联合调制的傅里叶变换光学系统。利用透镜的傅里叶变换特性和相位元件衍射光线的几何传播特性,阐明了傅里叶成像面上交叉、分段分布的多干涉光场的生成方法与调控规律。同时,针对目标分布的变参量微纳结构,反演设计了多像素孔径光阑与基于光栅和变参量光栅的相位元件,实验获得了交叉、分段分布的多干涉光场。将多干涉光场与微缩投影结合可制备分段排布的纳米光栅。将动态调控的多干涉光场分时复用可制备分段排布的变参量纳米光栅。 相似文献
285.
286.
在离子液体氯化-1-烯丙基-3-甲基咪唑(AmimCl)存在的条件下,利用水合肼对氧化石墨烯进行同步还原,制备了一种可稳定分散在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和乙酸丁酯等有机溶剂中的离子液体改性石墨烯(IL-G)。运用红外光谱(FTIR)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、热失重分析(TGA)、原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱(Raman)、X射线电子衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对制备的改性石墨烯进行结构性能测试,结果表明离子液体AmimCl与石墨烯之间存在π-π和阳离子-π的相互作用,能较好的吸附在石墨烯表面。TGA测试表明IL-G中离子液体的比例约为7.20wt%。同时,AFM结果显示改性石墨烯剥离在DMF中的平均厚度是0.962 nm。由于非共价改性石墨烯可再分散于DMF和乙酸丁酯中,通过紫外可见吸收光谱测得其最大分散浓度分别是1.69 mg·mL-1和1.12 mg·mL-1。 相似文献
287.
以Ag纳米颗粒为牺牲模板,H2PdCl4为前驱体,抗坏血酸为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为表面活性剂,在70 ℃下采用电偶置换法结合还原法制备出AgPd双金属纳米空心球。采用紫外可见光谱、粉末X射线衍射、透射电镜结合能量色散等手段对由不同体积的0.01 mol·L-1 H2PdCl4溶液制备的产物进行结构表征。结果表明,随着H2PdCl4溶液体积的增加,产物的空心化程度逐渐升高,晶粒的尺寸逐渐增大。当 H2PdCl4溶液体积为 120 μL时,合成的 AgPd双金属纳米空心球组成和结构较为均匀,其粒径约为 25 nm,壳层厚度 2~3 nm。双金属中,由于 Ag 和 Pd 电负性的差异,电子从 Ag 转移到了 Pd,使 Pd 表面出现电子富集区,显著提高了其催化效率。将所合成的AgPd双金属以及纯金属Ag和Pd作为催化剂,分别用于硼氢化钠催化还原4-硝基苯酚的反应,发现AgPd双金属的催化性能远高于纯金属Ag和Pd,其中AgPd-120纳米空心球(H2PdCl4溶液体积120 μL)作催化剂时的反应速率常数最高,是同等尺寸纯Ag纳米球的24.0倍,纯Pd纳米立方体的14.7倍。 相似文献
288.
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了未掺杂与不同浓度的Mn原子取代Zn原子的三种Zn1-xMnxO超胞模型, 分别对模型进行了几何结构优化、态密度分布、能带分布和吸收光谱的计算. 结果表明: 电子非自旋极化处理的条件下, Mn掺杂浓度越小, ZnO形成能越小, 掺杂越容易, 晶体结构越稳定; Mn的掺入使得ZnO体系的杂质能带和导带发生简并化, 并且导带底和价带底同时向低能方向移动, 掺杂后的导带比价带下降得少导致禁带宽度变宽, ZnO吸收光谱明显出现蓝移现象, 计算结果和实验结果相一致. 同时, 电子自旋极化处理的条件下, 体系有磁性, 吸收光谱发生红移现象. 计算结果与相关实验结果相符合. 相似文献
289.
Influence of GaAsP Insertion Layers on Performance of InGaAsP/InGaP/A1GaAs Quantum-Well Laser
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We report on the use of very thin GaAsP insertion layers to improve the performance of an In GaAsP/InGaP/AIGaAs single quantum-well laser structure grown by metal organic chemical vapour deposition. Compared to the noninsertion structure, the full width at half maximum of photoluminescence spectrum of the insertion structure measured at room temperature is decreased from 47 to 38 nm indicating sharper interfaces. X-ray diffraction shows that the GaAsP insertion layers between AIGaAs and InGaP compensates for the compressive strain to improve the total interface. The laser performance of the insertion structure is significantly improved as compared with the counterpart without the insertion layers. The threshold current is decreased from 560 to 450 mA while the slope efficiency is increased from 0.61 to 0.7W/A and the output power is increased from 370 to 940mW. The slope efficiency improved is very high for the devices without coated facets. The improved laser performance is attributed to the suppression of indium carry-over due to the use of the GaAsP insertion layers. 相似文献
290.