高量子效率的近红外量子裁剪材料LaF3:Ho3+,Yb3+的合成及其发光性能

采用共沉淀法合成了LaF₃∶Ho³⁺,Yb³⁺ 红外下转换材料,研究了室温下该材料的激发光谱、发射光谱特性和发光的时间衰减曲线。在LaF₃∶Ho³⁺,Yb³⁺ 粉末中,观察到了Ho³⁺ 到Yb³⁺ 的能量传递,并通过分析确认了其为共振能量传递。通过Ho³⁺ 到Yb³⁺ 的共振能量传递过程,可以将材料吸收一个300~360 nm波段的紫外光子转化为两个波长在1 μm附近的红外光子。Yb³⁺ 的发射正好与硅太阳能电池的吸收匹配,材料中的这一红外下转换现象对于提高硅太阳能电池的效率具有积极意义。     

Cu13团簇几何和电子结构的密度泛函研究

利用遗传算法结合Gupta原子间相互作用势,采用密度泛函理论,系统研究了带电 团簇的基态与低激发态的几何结构和电子结构并与中性Cu13团簇进行了对比．计算结果表明：对 Cu13（中性及带电）团簇,高对称性几何构型在众多异构中无能量竞争性优势,团簇基态结构皆为非紧致低对称性结构,对 负电Cu13找到一种新的低对称性最低能结构;带电明显影响团簇结构稳定性,带电Cu13团簇与中性Cu13团簇的结构稳定性序列显著不同;基态 Cu13（中性及带电）团簇的具有磁矩最小化效应,而其高对称性结构则有较大磁矩;计算所得Cu13团簇电离能及电子亲和势与实验结果相符．     

伴有磁场和纳米固体颗粒时的Jeffery-Hamel流动解析研究——Adomian分解法

用一种强有力的解析方法,称为Adomian分解法(ADM),来研究磁场和纳米颗粒对Jeffery-Hamel流动的影响.将该问题模型的控制方程,即将传统的流体力学Navier-Stokes方程和Maxwell电磁方程,简化为非线性的常微分方程.该方法得到的结果与Runge-Kutta方法得到的数值结果相一致,结果用表格列出.不同α,Ha和Re数下的图形表明,本方法可以得到高精度的结果.首先对不同的Hartmann数和管壁倾角,研究喇叭形管道中的流场;最后在没有磁场作用时,研究纳米固体颗粒体积率的影响.     

遗传算法结合密度泛函理论研究Cu13团簇的几何结构

基于Gupta 多体势采用遗传算法详细计算了金属团簇Cu13的几何结构,对所得到的大量低能（基态及低激发态）结构,利用密度泛函理论方法作进一步优化计算。结果表明：尽管遗传算法所得基于Gupta原子间多体势的基态结构（Ih高对称性的紧致结构）并不对应第一性原理计算结果（非紧致低对称性基态）,但遗传算法给予的大量候选结构经密度泛函理论再次计算仍然可以高效地得到真实基态结构,体现出遗传算法在计算具有非紧致低对称性基态体系时的有效性。     

对抛物型偏微分方程一种新的数值解法的研究

根据抛物型偏微分方程数值解法的研究,对抛物型偏微分方程提出了新的数值解法。该方法在稳定性方面具有一定的优势,并具有计算简单,无条件稳定,误差小,编程方便等优点。证明了无条件稳定性,分析了相容性及收敛性,最后进行数值试验,验证了它的可行性。     

维吾尔语语音标注复查软件的研究与实现

在维吾尔语语音识别研究工作中,由于语音标注工作量大、精度要求高,人工标注之后不可避免的存在各种错误,因此通过专门的复查软件来检查已标注过的文件并修改错误是必不可少的。对已标注的语音文件进行复查操作在语音识别研究中具有十分重要的作用,本文介绍了维吾尔语语音标注复查软件的必要性及基本原理,复查软件的功能及其实现过程的一些技术。     

基于自适应光学补偿的自由空间光通信系统性能研究

自由空间光通信在未来全球通信网中具有潜在的应用价值,然而自由空间光通信的性能易受大气湍流影响,而自适应光学能够解决大气湍流问题.在gamma-gamma分布大气湍流中,用自适应光学技术对自由空间光通信系统进行补偿,进行通信系统误码率的分析,给出了上行链路和下行链路的模拟结果.结果表明:自适应光学误差补偿技术能够很好地提高自由空间光通信的性能,并且低阶自适应光学补偿就能达到很好的校正效果.     

沿指定应力路径加载的有限元RVE模型研究

在细观尺度上建立能反映材料微观组织结构又能反映统计意义上宏观力学性能的代表性体积单元（Representative Volume Element, RVE）,对其进行复杂加载下的数值研究,是目前预测材料宏观力学性能较有效的方法。本文从理论上分析并提供了对正六面体RVE在任意应力状态及任意应力路径下加载及宏观应力、应变计算的方法,用有限元软件ABAQUS实现了数值计算过程,并用此方法对循环加载下缺口圆棒颈部中心和边缘位置进行了RVE分析。结果表明：（1）此方法能准确的控制并实现正六面体RVE在任意应力状态及应力状态路径下加载;（2）通过RVE分析,可用于复杂加载下试样局部细观结构变化的研究。     

Direct Observation of Tunnelling through 100-nm-Wide All Metal Magnetic Junction into Si

Nanoscaled spin-dependent tunnelling lines were patterned on doped Si and studied for tunnelling from the SDT ferromagnetic layer through an insulating barrier into Si. The injection contacts have the form of long strips with width and separation, ranging from 100 nm to 2 μm, and are patterned using e-beam lithography. The measured I-V characteristics versus temperature （80 to 300K） on the 100 nm scaled devices between the layered-magnetic metals and the semiconductor clearly showed ballistic tunnelling, with weak dependence on the temperature. This is qualitatively different, at elevated temperatures, from 2-μm-wide scaled-up spin-dependent tunnelling structures, where thermal-ionic emission was observed to dominate carrier transport.