连续树映射的ω极限集与非游荡集

本文研究树上连续自映射ｆ的ω极限集Λ,非游荡集Ω的若干拓扑结构,主要证明了：不在周期点集闭包中的ω极限点都有无限轨迹;Ω－Ｐ,Ω－Γ为可数集,Λ－Γ,Ｐ－Γ或为空集或可数无限,其中Γ为ｆ的γ极限集．     

SMAP／INDI／1单重休假随机服务系统的MSP方法

本文借助于马尔可夫骨架过程(MSP)方法研究了SMAP/INID/1单重休假随机服务系统的队长及等待时间等指标的瞬时分布.     

n-1／n（G）表决系统中的可靠性分析

本文通过补充变量法研究了n-1/n(G)表决系统中可靠度,可用度,以及故障频度等可靠性的一系列指标.     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

关于周期函数的探讨

2001年高考题最后一题是这样的:设f(x)是定义在R上的偶函数,其图象关于直线x=1对称.对任意 都有设f(1)=2,求 .(Ⅱ)证明f(x)是周期函数,对于第二问,我们求得f(x 2)=f(x).如果我们将题目推广到一般情况可得: 一、如果函数y=f(x)的图象关于直线x=a和x=b对称(a相似文献   

连续树映射非游荡集的拓扑结构

本文研究树（即不含有圈的一维紧致连通的分支流形）上连续自映射的非游荡集的拓扑结构．证明了孤立的周期点都是孤立的非游荡点；具有无限轨道的非游荡点集的聚点都是周期点集的二阶聚点，以及ω－极限集的导集等于周期点集的导集和非游荡集的二阶导集等于周期点集的二阶导集．     

Synthesis of ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates and growth of GaN films

With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction proceeds, ZnAl2O4 changes from the initial (111)-oriented single crystal to poly-crystal, and then to inadequate (111) orientation. Corresponding scanning electron microscope (SEM)images indicate that the surface morphology of ZnAl2O4 transforms from uniform islands to stick structures, and then to bulgy-line structures. In addition, XRDspectra present that ZnAl2O4 prepared at low temperature is unstable at the environment of higher temperature. On the as-obtained ZnAl2O4/α-Al2O3 substrates, GaN films were grown without any nitride buffer using light-radiation heating low-pressure MOCVD (LRH-LP-MOCVD). XRD spectra indicate that GaN film on this kind of complex substrate changes from c-axis single crystal to poly-crystal as ZnAl2O4 layer is thickened. For the single crystal GaN, its full width at half maximum (FWHM) of X-ray rocking curve is 0.4°. Results indicate that islands on thin ZnAl2O4 layer can promote nucleation at initial stage of GaN growth, which leadsto the (0001)-oriented GaN film.     

大学物理课程跨学科教学研究与实践

大学物理是理工科专业开设的一门公共必修基础课程，涉及的学科专业广，人数众多，且后续对接的课程面宽，在公共必修课中具有重要的地位．大学物理目前在我校面向电子信息工程、通讯工程、电子科学与技术、生物科学、生物技术、生物工程、环境工程、化学生物学、化学、应用化学、材料化学、化学工程与工艺、高分子材料与工程、数学、应用数学、信息与计算科学、计算机科学与技术、教育技术学、心理学等20个专业的5000多名学生开设．     

BEPCII直线加速器相控系统设计研究

为了补偿由于各种因素引起的微波相位漂移,BEPCII直线加速器需要建立微波相位反馈控制系统.能量最大法将用来确定每台功率源的最佳相位.沿直线加速器速调管长廊铺设相位稳定同轴线提供相位参考.现在已经完成了关键部件,如PAD单元、IfA 单元的开发.搭建了相控最小系统对系统进行了验证.     

压缩真空态下介观RLC电路中电荷和电流的量子涨落

发展了一种有源RLC电路的量子力学处理方案,在此基础上研究了压缩真空态下介观RLC电路中电荷和电流的量子涨落,着重研究了电阻和压缩参数对量子涨落的影响. 关键词：